Опора деревянной одностоечной и способы укрепление угловых опор: Опоры ВЛ - конструкции, предназначенные для поддерживания проводов на необходимой высоте над землей, водой...
Кормораздатчик мобильный электрифицированный: схема и процесс работы устройства...
Топ:
Выпускная квалификационная работа: Основная часть ВКР, как правило, состоит из двух-трех глав, каждая из которых, в свою очередь...
Когда производится ограждение поезда, остановившегося на перегоне: Во всех случаях немедленно должно быть ограждено место препятствия для движения поездов на смежном пути двухпутного...
Организация стока поверхностных вод: Наибольшее количество влаги на земном шаре испаряется с поверхности морей и океанов...
Интересное:
Лечение прогрессирующих форм рака: Одним из наиболее важных достижений экспериментальной химиотерапии опухолей, начатой в 60-х и реализованной в 70-х годах, является...
Аура как энергетическое поле: многослойную ауру человека можно представить себе подобным...
Уполаживание и террасирование склонов: Если глубина оврага более 5 м необходимо устройство берм. Варианты использования оврагов для градостроительных целей...
Дисциплины:
2018-01-14 | 191 |
5.00
из
|
Заказать работу |
Коэффициент формы ТПР определяется из соотношения
R/R□
При определении размеров резистора необходимо учитывать ограничения выбранного вида технологии, рассеиваемую резистором мощность и допуск на номинал.
При Кф > сначала определяется ширина ТПР из соотношения
b = max {b', b'', b''' } (6)
Здесь b' - минимальная допустимая ширина резистивиой полоски (технологическое ограничение), выбирается из таб.1;
b" - минимальная допустимая ширина резистора, обеспечивающая его нормальную работу при заданной рассеиваемой мощности,
b'' > (7)
Определение b'''. Величина b'" определяется из условия обеспечения заданной точности ТПР. Размеры резистора должны быть таковы, чтобы его сопротивление при заданных технологических погрешностях R□, и c заданной вероятностью ФR попало в заданный допуск .
При изготовлении пленочных резисторов возникают погрешности воспроизведения геометрии, т.е. коэффициента формы, и получения расчетного значения сопротивления квадрата R□. Как правило, все отклонения носят случайный характер и распределяются по нормальному закону [4]. Следовательно, отклонение номиналов резисторов случайно и имеет нормальный (гауссовский) закон распределения.
На основании выражения (1) дисперсию номинала резистора можно выразить через дисперсии R□, l и b:
R□+ (8)
где R□ - относительное среднеrквадратическое отклонение R□, определяемое технологическим процессом (см. табл. 1); - относительное среднеквадратическое отклонение длины ТПР; - относительное среднеквадратическое отклонение ширины ТПР.
Часть электрического поля конденсатора проходит по подложке, часть по воздуху или защитному слою.
Ёмкость компланарного конденсатора рассчитывается [2] по формуле , где - расчетное значение диэлектрической проницаемости, ; , - диэлектрическая проницаемость подложки изащитного слоя соответственно; - коэффициент, зависящий от соотношения размеров а, b и d; l - длина совместной границы обкладок.
Коэффициент при d<<a и d<<b определяется из выражения
.
Произведение коэффициентов и составляет погонную емкость конденсатора, показанного на рис. 10, а:
Полная емкость
При расчете конструкции компланарных конденсаторов размеры а и b следует брать в 3-5 раз больше зазора d, который, в свою очередь, определяется разрешающей способностью технологического процесса изготовления. Разработка конструкции конденсатора начинается с определения d, а и b затем определяются значения , и
,
.
Величины , , и заданы или выбраны ранее.
При конструировании ТПК со ступенчатой подгонкой (рис. 9,6) ненастраиваемую часть Сосм определяют по формуле
откуда
, ,
Величина емкости подстраиваемой части ТПК, состоящей из секций, определяется из выражения
а необходимое число секций
Площадь одной подгоночной секции вычисляется по формуле
размеры А' и В' определяются конструктором (А'В' = Sc). Размеры А' и В' не рекомендуется брать меньше 0,2 мм. Если это условие не удается выполнить, то следует использовать TTIK с плавной подгонкой (рис. 9, а).
Расчет конструкции компланарного конденсатора
Компланарные конденсаторы (рис. 10) используются в колебательных LC - контурах на основе плоских спиральных индуктивностей для частот более 50 МГц и в интегральных микросхемах СВЧ - диапазона. Обкладки этих конденсаторов расположены на подложке в одной плоскости и разделены небольшим зазором.
Значение (реальная дисперсия), определяемое выражением (8), не должно превышать допустимое значение дисперсии номинала резистора при заданном значении допуска и заданном значении вероятности выхода годного резистора ФR [2], т.е. должно выполняться соотношение
(9)
Величину , исходя из закона нормального распределения
погрешности сопротивления резистора, можно определить [4] из соотношения
(10)
где технологический (суженный) допуск на номинал резистора (4); Z- аргумент интеграла вероятностей ФR [1],
Величина Z определяется по заданному значению ФR из табл. 3.
Зная значение , заданные значения R□, , и заменяя величину l на , из выражения (8) с учетом неравенства (9) получаем
Подставив это значение в выражение (6), определим ширину резистора b, а из выражения l = BKф - его длину.
В знаменателе выражения (11) может получиться "ноль" или отрицательное число. Это значит, что при выбранных технологичес-ких параметрах обеспечить требуемую точность резистора за счет увеличения его размерив невозможно, необходима подгонка.
Если длина резистора l > (5,..8) мм, целесообразно выполнять его изогнутым в виде "меандра" или использовать другую конструкцию (см. рис.1).
Таблица 3
Значение интеграла вероятностей
x | Ф(x) | x | Ф(x) | x | Ф(x) | x | Ф(x) | |
0,00 | 0,0000 0226 0451 0676 0901 | 0,60 | 0,6039 6194 6346 6494 6638 | 1,20 | 0,9103 | 1,80 | 0,9891 9899 9907 9915 | |
0,10 | 1125 1348 1569 1790 2009 | 0,70 | 1,30 | 9340 9381 9419 9456 | 1,90 | 9939 9944 | ||
0,20 | 2227 2443 2657 2869 3079 | 0,80 | 7421 7538 7651 7761 7867 | 1,40 42 44 46 48 | 2,00 | 9953 9963 9970 9976 9981 | ||
0,30 | 3286 3491 3694 3893 4090 | 0,90 | 7969 8068 8163 8254 8342 | 1,50 | | 9684 | 2,25 | 9988 9991 9993 | |
0,40 | 4284 4475 4662 4847 5027 | 1,00 | 8427 8508 8586 8661 8733 | 1,60 | 9763 9780 9796 9811 9825 | 2,50 80 2,90 | 9996 9998 9999 9999 0,9999 | |
0,50 | 5205 5379 5549 5716 0,5879 | 1,10 | 8S02 8868 8931 8991 0,9048 | 1,70 | 9838 9850 9861 9872 0,9882 | 3,00 60 3,80 | 1,0000 1,0000 1,0000 1,0000 1,0000 |
Если конструируется ТПК с плавной подгонкой, то конструкция его может быть такой, как на рис. 8 а, или на рис, 9 а. Процесс подгонки заключается в удалении части верхней обкладки ТПК при помощи электроэрозии или «факельным разрядом. Расчетное значение емкости такого ТПК определяется по формуле
где С - номинальное значение емкости ТПК; - относительное среднсквадратическое отклонение емкости ТПК после изготовления.
Для выбранного техпроцесса находится из соотношений (33) и (34); при этом предварительно необходимо определить
С0 = min{ C'0 , C''0 }
(35)
Подставляя полученное из (35) значение в (34) и заменяя величину В на В = А/Кф, получим уравнение с одним неизвестным А. Значения , , заданы или выбираются из табл. 5. Решение уравнения (34) относительно А позволяет найти один из размеров верхней обкладки ТПК
(36)
при Кф = 1 (квадратная форма верхней обкладки) получим
(37)
Второй размер верхней обкладки определяем как
Площадь ТПК, при которой обеспечивается заданная точность:
S = AB (38)
а величина удельной емкости C0''' = С / S.
Подставив величину C0''' в (29), получим значение С0, а изсоотношения - площадь ТПК. Задаваясь одним из размеров верхней обкладки (А или В) из (38) найдем другой размер.
Если в схеме несколько ТПК, то С0 определяется для каждого из них, затем выбирается наименьшее значение. Оно ипринимается за значение С0 для всех ТПК.
Типы оградительных сооружений в морском порту: По расположению оградительных сооружений в плане различают волноломы, обе оконечности...
Таксономические единицы (категории) растений: Каждая система классификации состоит из определённых соподчиненных друг другу...
История развития пистолетов-пулеметов: Предпосылкой для возникновения пистолетов-пулеметов послужила давняя тенденция тяготения винтовок...
Наброски и зарисовки растений, плодов, цветов: Освоить конструктивное построение структуры дерева через зарисовки отдельных деревьев, группы деревьев...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!