Индивидуальные очистные сооружения: К классу индивидуальных очистных сооружений относят сооружения, пропускная способность которых...
Биохимия спиртового брожения: Основу технологии получения пива составляет спиртовое брожение, - при котором сахар превращается...
Топ:
Выпускная квалификационная работа: Основная часть ВКР, как правило, состоит из двух-трех глав, каждая из которых, в свою очередь...
Техника безопасности при работе на пароконвектомате: К обслуживанию пароконвектомата допускаются лица, прошедшие технический минимум по эксплуатации оборудования...
Основы обеспечения единства измерений: Обеспечение единства измерений - деятельность метрологических служб, направленная на достижение...
Интересное:
Наиболее распространенные виды рака: Раковая опухоль — это самостоятельное новообразование, которое может возникнуть и от повышенного давления...
Инженерная защита территорий, зданий и сооружений от опасных геологических процессов: Изучение оползневых явлений, оценка устойчивости склонов и проектирование противооползневых сооружений — актуальнейшие задачи, стоящие перед отечественными...
Как мы говорим и как мы слушаем: общение можно сравнить с огромным зонтиком, под которым скрыто все...
Дисциплины:
2017-09-29 | 324 |
5.00
из
|
Заказать работу |
|
|
Принципиальная схема усилителя на биполярном транзисторе с ОЭ приведена на рис. 50.
Рис. 50. Принципиальная схема резисторного каскада
Один из вариантов АЧХ такого усилителя показан на рис. 51. В области нижних частот формируют частотную характеристику конденсаторы СР1, СЭ, СР2. Участок 2–3–4 отражает влияние конденсатора СЭ (структура третья). Участок от начала графика до точки 1 отражает влияние разделительных конденсаторов СР1 и СР2. С ними связано понятие «нуль в нуле» (структура вторая). Поскольку конденсаторов два, наклон АЧХ на начальном участке составляет 2 ∙ (+6 дБ/окт.), т. е. 12 дБ/окт.
На верхних частотах действуют паразитные емкости транзистора СБЭ, СК и паразитная емкость нагрузки С2Н. Емкости СБЭ, С2Н не связаны друг с другом, влияние каждой можно рассматривать отдельно.
Рис. 51. Асимптотическая АЧХ резисторного каскада
На АЧХ (рис. 51) излом в точке 5 вызывает полюс функции передачи, связанный с емкостью СБЭ, излом в точке 6 обязан присутствию емкости нагрузки С2Н (обе по структуре 1), после этой точки наклон асимптоты определяется двумя полюсами и составляет –12дБ/окт. В нижней части рис. 51 приведены назначения наклонов асимптот в дБ/окт.
Влияние проходной емкости СК (структура 5) проявляется в изменении АЧХ на участке 7–8–9 (штрихи). Дело в том, что емкость СК соединяется как с емкостью СБЭ, так и с емкостью С2Н. Эту конструкцию уже нельзя рассматривать как отдельные звенья первого порядка. Нуль в числителе функции передачи фиксирован, а полюсы зависят от номиналов емкостей и могут сдвигаться влево или вправо. Желательно иметь транзисторы с малой проходной емкостью. Неплохой результат может давать применение в расчетах эффекта Миллера, но в схемах с обратной связью его не применяют.
|
Использование асимптот или диаграмм Боде находит широкое применение в проектировании усилителей с обратной связью. Обратные связи в этом пособии не рассматривались.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1. Волович, Г. И. Схемотехника аналоговых и аналого-цифровых электронных устройств / Г. И. Волович. – М.: Издательский дом «Додэка-ХХI», 2005.
2. Абрамов, В. М. Электронные элементы устройств автоматического управления: Схемы, расчет, справочные данные / В. М. Абрамов. – М.: ИКП «Академкнига», 2006.
3. Травин, Г. А. Основы схемотехники устройств радиосвязи, радиовещания и телевидения: учеб. пособие для вузов. – 2-е изд., испр. / Г. А. Травин. – М.: Горячая линия – Телеком, 2009.
4. Корис, Р. Справочник инженера-схемотехника / Р. Корис, Х. Шмидт-Вальтер. – М.: Техносфера, 2006.
5. Войшвилло, Г. В. Усилительные устройства: учебник для вузов. – 2-е изд., перераб. и доп. / Г. В. Войшвилло. – М.: Радио и связь, 1983.
6. Крекрафт, Д. Аналоговая электроника: Схемы, системы, обработка сигнала / Д. Крекрафт, С. Джерджли. – М.: Техносфера, 2005.
7. Miller, G. Dependence of the Impedance of a Three Electrode Vacuum Tube upon the Load in the Plate Circuit / G. Miller // Scientific Papers of the Bureau of Standards. – 1919. – Nov. – № 351. – P. 367–385.
8. Дьюб Динеш, С. Электроника: схемы и анализ / С. Дьюб Динеш. – М.: Техносфера, 2008.
9. Джонс, М. Х. Электроника – практический курс / М. Х. Джонс. – М.: Техносфера, 2006.
Алексеев Алексей Георгиевич
Климова Полина Валентиновна
СХЕМОТЕХНИКА АНАЛОГОВЫХ
ЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ
Анализ частотных характеристик
типовых структур
аналоговых устройств
УЧЕБНОЕ ПОСОБИЕ
Редактор И. И. Щенсняк
Верстка Е. В. Пироговой
План 2012 г., п. 40
_________________________________________________________________
Подписано к печати 06.09.2012
Объем 3,25 усл.-печ. л. Тираж 100 экз. Заказ 211
_________________________________________________________________
Издательский центр СПбГУТ. 191186 СПб., наб. р. Мойки, 61
Отпечатано в СПбГУТ
В печать
План 2012 г., п. 40
Объем __3,25___ печ. л.
Тираж ___100__ экз.
Заказ ____211___
|
Первый проректор –
проректор по учебной работе, проф.
__________________________Г. М. Машков
«____» ___________ 2012г.
Начальник РИО
__________________________Е. Ю. Пономарева
«____» ___________ 2012г.
Редактор
__________________________И. И. Щенсняк
«____» ___________ 2012г.
|
|
Архитектура электронного правительства: Единая архитектура – это методологический подход при создании системы управления государства, который строится...
Папиллярные узоры пальцев рук - маркер спортивных способностей: дерматоглифические признаки формируются на 3-5 месяце беременности, не изменяются в течение жизни...
Типы оградительных сооружений в морском порту: По расположению оградительных сооружений в плане различают волноломы, обе оконечности...
Автоматическое растормаживание колес: Тормозные устройства колес предназначены для уменьшения длины пробега и улучшения маневрирования ВС при...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!