Археология об основании Рима: Новые раскопки проясняют и такой острый дискуссионный вопрос, как дата самого возникновения Рима...
Механическое удерживание земляных масс: Механическое удерживание земляных масс на склоне обеспечивают контрфорсными сооружениями различных конструкций...
Топ:
Установка замедленного коксования: Чем выше температура и ниже давление, тем место разрыва углеродной цепи всё больше смещается к её концу и значительно возрастает...
Устройство и оснащение процедурного кабинета: Решающая роль в обеспечении правильного лечения пациентов отводится процедурной медсестре...
Интересное:
Наиболее распространенные виды рака: Раковая опухоль — это самостоятельное новообразование, которое может возникнуть и от повышенного давления...
Влияние предпринимательской среды на эффективное функционирование предприятия: Предпринимательская среда – это совокупность внешних и внутренних факторов, оказывающих влияние на функционирование фирмы...
Берегоукрепление оползневых склонов: На прибрежных склонах основной причиной развития оползневых процессов является подмыв водами рек естественных склонов...
Дисциплины:
2017-09-10 | 358 |
5.00
из
|
Заказать работу |
|
|
Собственные полупроводники – химически чистые полупроводники (без примесей), - Ge, Se и соединения GaAs, CdS и др.
Рассмотрим модель идеального абсолютно чистого бездефектного полу-проводникового кристалла, например германия, при 0 К (рис. а).
Германий принадлежит к IV группе периодической системы Д.И.Менделеева. На его внешней оболочке находятся 4 валентных электрона, обеспечивающие парноэлектронные (ковалентные) связи ионов в узлах кристаллической решётки. Валентная зона заполнена. В зоне проводимости электроны отсутствуют (рис. а). За счет энергии электрического поля их переброс туда не возможен
При нагреве, растёт энергия колебательного движения ионов в узлах решетки, и, получив в результате столкновения квант энергии, электроны приобретают возможность перескочить в зону проводимости (рис б).
Эти электроны обусловят электронную проводимость данного полупроводника. Кроме того, в валентной зоне появятся вакантные места, на которые могут переходить другие валентные электроны, связанные в пространстве с другими, соседними атомами. В результате вакансия приобретает возможность перемещаться в пространстве, подобно положительно заряженной частице. Такую квазичастицу назвали «дыркой». Дырки наравне с электронами участвуют в электропроводности полупроводниковых кристаллов, однако, обладают меньшей подвижностью.
Концентрация электронов собственной проводимости и дырок в чистом полупроводниковом кристалле одинакова, поскольку образуются они парами.
В чистых полупроводниках носителями тока являются:
· отрицательно заряженные электроны п ( от слова «негатив» );
· положительно заряженные дырки р (от слова «позитив» );
|
· количество электронов равно количеству дырок
Nn = Np;
· дырки движутся вниз в валентной зоне, электроны – вверх в валентной зоне и в зоне провдимости.
В собственных полупроводниках уровень Ферми находится посередине запретной зоны (рис).
Для переброса электрона валентной зоны в зону проводимости затрачивается энергия активации , равная ширине запрещенной зоны. ( идет на переход электрона в зону проводимости и - на образование дырки).
Зависимость проводимости собственных полупроводников
От температуры
Электрические свойства полупроводников определяются как концентрацией носителей тока, так и характером их взаимодействия с атомами кристаллической решетки. Изменение концентрации носителей тока при изменении температуры при этом имеет более резкую зависимость, которая в основном и определяет проводимость полупроводника.
Удельная проводимость чистых полупроводников
- const для данного полупроводника
Зависимость ln от 1/Т линейная и по её наклону можно экспериментально определить ширину запрещённой зоны
Экспериментальным путем установлено, что сопротивление полупроводников с повышением температуры уменьшается приблизительно по экспоненте:
где ΔЕ - энергия активации;
k – постоянная Больцмана, равняется 1,38·10-23 Дж/К;
Т – абсолютная температура;
А – коэффициент, постоянный для данного вещества.
|
|
История создания датчика движения: Первый прибор для обнаружения движения был изобретен немецким физиком Генрихом Герцем...
Архитектура электронного правительства: Единая архитектура – это методологический подход при создании системы управления государства, который строится...
Адаптации растений и животных к жизни в горах: Большое значение для жизни организмов в горах имеют степень расчленения, крутизна и экспозиционные различия склонов...
История развития пистолетов-пулеметов: Предпосылкой для возникновения пистолетов-пулеметов послужила давняя тенденция тяготения винтовок...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!