Биохимия спиртового брожения: Основу технологии получения пива составляет спиртовое брожение, - при котором сахар превращается...
История развития хранилищ для нефти: Первые склады нефти появились в XVII веке. Они представляли собой землянные ямы-амбара глубиной 4…5 м...
Топ:
История развития методов оптимизации: теорема Куна-Таккера, метод Лагранжа, роль выпуклости в оптимизации...
Когда производится ограждение поезда, остановившегося на перегоне: Во всех случаях немедленно должно быть ограждено место препятствия для движения поездов на смежном пути двухпутного...
Комплексной системы оценки состояния охраны труда на производственном объекте (КСОТ-П): Цели и задачи Комплексной системы оценки состояния охраны труда и определению факторов рисков по охране труда...
Интересное:
Подходы к решению темы фильма: Существует три основных типа исторического фильма, имеющих между собой много общего...
Что нужно делать при лейкемии: Прежде всего, необходимо выяснить, не страдаете ли вы каким-либо душевным недугом...
Инженерная защита территорий, зданий и сооружений от опасных геологических процессов: Изучение оползневых явлений, оценка устойчивости склонов и проектирование противооползневых сооружений — актуальнейшие задачи, стоящие перед отечественными...
Дисциплины:
2017-08-23 | 274 |
5.00
из
|
Заказать работу |
P1 – мощность, потребляемая трансформатором от сети.
P2 – мощность, отдаваемая в нагрузку.
Pc – потери в стальном магнитопроводе.
Pm – потери в медной обмотке.
Рис.1.88. КПД трансформатора в ф-ции P2.
При Р2=0 (реж. х.х.) →η=0. С ростом Р2 КПД увеличивается, достигает ηmax, а затем снижается, что объясняется опережающим ростом Pm, т.к. мощность пропорциональна квадрату тока.
Конструкция трансформатора обеспечивает максимум КПД при наиболее вероятной нагрузке Р2ном.
Лекция №9
2. Основы электроники
2.1 Полупроводники. Зонная теория.
2.1.1 Полупроводниковые приборы.
Основные понятия с точки зрения зонной теории.
Твердые тела в природе делятся на аморфные и кристаллические. Большинство применяемых полупроводников относятся к кристаллическим, атомы которых, расположенные в определенном порядке, образуют пространственную решетку. Почти все они обладают ковалентной связью, при которой взаимное притяжение двух атомов осуществляется благодаря общей паре валентных электронов, вращающихся по орбите вокруг этих атомов. Общее количество электронов, окружающих ядро атома данного элемента, определяется его порядковым номером (валентностью). При сближении атомов (для образования кристалла) их взаимодействие усиливается и на некотором расстоянии становится настолько значительным, что вызывает расщепление каждого энергетического уровня изолированного атома в энергетическую зону – область значений полной энергии электронов в кристалле, характеризуемую максимальным и минимальным значениями энергии. Число энергетических уровней в каждой зоне равно числу объединяющихся атомов в 1 см3 твердого тела. Число атомов около 1022, следовательно, и число уровней в каждой разрешенной зоне имеет тот же порядок.
Ширина верхней из заполненных зон – валентной – max, по мере приближения к атомному ядру расщепление энергетического уровня атома создает все более узкие зоны.
Все внутренние зоны целиком заполнены электронами. Т. к. эти электроны сильно связаны с ядром и не влияют на проводимость кристалла, в дальнейшем рассматриваться не будут.
Между зонами, разрешенными для электронов, располагаются запрещенные зоны – области значений энергии, которыми не может обладать электрон в идеальном кристалле.
Обычно в полупроводниковых приборах рассматривается лишь запрещенная зона, отделяющая валентную зону от зоны проводимости (свободной зоны при К) на уровне которой при возбуждении атома могут находиться электроны.
На рис. 1.1. представлена схема энергетических зон
– разрешенные зоны
W, W1 – запрещенные зоны
Рисунок 1.1.
По оси ординат отложены величины энергии электронов, по оси абсцисс расстояние X в направлении толщины кристалла. Ширина верхней запрещенной зоны D W равна разности энергий между нижним уровнем (дном) зоны проводимости Wпр. и верхним уровнем (потолком) валентной зоны Wв. D W = Wпр – Wв.
Археология об основании Рима: Новые раскопки проясняют и такой острый дискуссионный вопрос, как дата самого возникновения Рима...
Механическое удерживание земляных масс: Механическое удерживание земляных масс на склоне обеспечивают контрфорсными сооружениями различных конструкций...
Папиллярные узоры пальцев рук - маркер спортивных способностей: дерматоглифические признаки формируются на 3-5 месяце беременности, не изменяются в течение жизни...
Историки об Елизавете Петровне: Елизавета попала между двумя встречными культурными течениями, воспитывалась среди новых европейских веяний и преданий...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!