Типы оградительных сооружений в морском порту: По расположению оградительных сооружений в плане различают волноломы, обе оконечности...
Семя – орган полового размножения и расселения растений: наружи у семян имеется плотный покров – кожура...
Топ:
Определение места расположения распределительного центра: Фирма реализует продукцию на рынках сбыта и имеет постоянных поставщиков в разных регионах. Увеличение объема продаж...
Организация стока поверхностных вод: Наибольшее количество влаги на земном шаре испаряется с поверхности морей и океанов...
Комплексной системы оценки состояния охраны труда на производственном объекте (КСОТ-П): Цели и задачи Комплексной системы оценки состояния охраны труда и определению факторов рисков по охране труда...
Интересное:
Искусственное повышение поверхности территории: Варианты искусственного повышения поверхности территории необходимо выбирать на основе анализа следующих характеристик защищаемой территории...
Финансовый рынок и его значение в управлении денежными потоками на современном этапе: любому предприятию для расширения производства и увеличения прибыли нужны...
Подходы к решению темы фильма: Существует три основных типа исторического фильма, имеющих между собой много общего...
Дисциплины:
2017-09-10 | 349 |
5.00
из
|
Заказать работу |
|
|
Фотодиоды
Фотодиод - это фоточувствительный прибор с одним электрическим переходом между двумя типами полупроводника (p-n -переход) или между полупроводником и металлом.
Под действием света, падающего на p-n -переход, в нем образуются электронно-дырочные пары. Неосновные носители, то есть дырки в n -области и электроны в p -области, диффундируют в область p-n -перехода, втягиваются его полем и выбрасываются в область, расположенную за переходом, образуя в ней объемный заряд. По мере перехода неосновных носителей из одной области в другую происходит их накопление в одной части рассматриваемой системы, в то время как в другой ее части накапливаются основные носители тока. Это накопление не может продолжаться беспредельно, так как одновременно с возрастанием концентрации дырок в p- области и электронов в n -области возрастает создаваемое ими электрическое поле, препятствующее переходу не основных носителей через запирающий слой из одной области в другую. По мере возрастания этого поля возрастает и обратный поток носителей. В конце концов, наступает динамическое равновесие, при котором число неосновных носителей, перемещающихся за единицу времени через запирающий слой, равно числу тех же носителей перемещающихся в обратном направлении. При этом между электродами устанавливается некоторая разность потенциалов Е - это фотоэдс. При подключении к выводам фотодиода нагрузки в ее цепи появляется ток, величина которого определяется разностью встречных потоков носителей через p-n -переход.
Структура перехода фотодиода показана на рис. 6.1, а, а семейство вольт-амперных характеристик - на рис. 6.1, б.
а б
Рис. 6.1. Структура фотодиода (а) и семейство его вольт-амперных характеристик (б)
|
Фотодиоды используют в фотодиодном и фотогальваническом режимах. В первом диод смещается в обратном направлении, и фототок является функцией светового потока. Во втором режиме прибор работает в режиме генерации фотоэдс.
Вольтамперные характеристики фотодиода в квадранте 1 (см. рис. 6.1, б) соответствуют включению в прямом направлении. Квадрант 4 соответствует случаю работы диода в фотогальваническом режиме, то есть фотодиод работает как солнечный преобразователь, ток и напряжение при этом зависят от силы светового потока.
Основные характеристики фотодиодов – это:
- токовая чувствительность Si (А/лм или А/Вт) - определяет значение фототока, создаваемого единичным потоком излучения.
(6.1)
или
(мА×Вт -1) (6.2)
где I Ф - фототок; Ф - световой поток, Р - мощность излучения.
- спектральная характеристика. Показывает распределение чувствительности материала к длине волны падающего на него излучения. На рис. 6.2 показаны спектральные характеристики
- постоянные времени нарастания t н и спада t сп фототока, они определяют предельные значения рабочей частоты модуляции светового потока, при которых еще не заметно уменьшение фотоотклика.
- быстродействие - определяется граничной частотой f гр, соответствующей максимальной частоте модуляции светового потока, на которой статическая чувствительность уменьшается до уровня 0,707 от чувствительности на низкой частоте модуляции.
- номинальное рабочее напряжение U ном, темновой ток I тм и максимально допустимое обратное напряжение U мах.
Рис. 6.2. Спектральные характеристики германиевого и кремниевого фотодиодов
|
|
Опора деревянной одностоечной и способы укрепление угловых опор: Опоры ВЛ - конструкции, предназначенные для поддерживания проводов на необходимой высоте над землей, водой...
Двойное оплодотворение у цветковых растений: Оплодотворение - это процесс слияния мужской и женской половых клеток с образованием зиготы...
Особенности сооружения опор в сложных условиях: Сооружение ВЛ в районах с суровыми климатическими и тяжелыми геологическими условиями...
Организация стока поверхностных вод: Наибольшее количество влаги на земном шаре испаряется с поверхности морей и океанов (88‰)...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!