Семя – орган полового размножения и расселения растений: наружи у семян имеется плотный покров – кожура...
Поперечные профили набережных и береговой полосы: На городских территориях берегоукрепление проектируют с учетом технических и экономических требований, но особое значение придают эстетическим...
Топ:
Основы обеспечения единства измерений: Обеспечение единства измерений - деятельность метрологических служб, направленная на достижение...
Особенности труда и отдыха в условиях низких температур: К работам при низких температурах на открытом воздухе и в не отапливаемых помещениях допускаются лица не моложе 18 лет, прошедшие...
Установка замедленного коксования: Чем выше температура и ниже давление, тем место разрыва углеродной цепи всё больше смещается к её концу и значительно возрастает...
Интересное:
Искусственное повышение поверхности территории: Варианты искусственного повышения поверхности территории необходимо выбирать на основе анализа следующих характеристик защищаемой территории...
Подходы к решению темы фильма: Существует три основных типа исторического фильма, имеющих между собой много общего...
Берегоукрепление оползневых склонов: На прибрежных склонах основной причиной развития оползневых процессов является подмыв водами рек естественных склонов...
Дисциплины:
2017-06-13 | 530 |
5.00
из
|
Заказать работу |
|
|
Сущность метода ВФХ состоит в измерении изменения ёмкости полупроводниковой структуры во времени под действием внешних и внутренних полей, оценки на этой основе качества полупроводниковой структуры. Информативными являются характеристики С-U, C-t. Данный метод наиболее эффективен для МДП – структуры. Он позволяет оцениватьт степень стабильности процесса формирования диэлектрических слоёв, степень ионного загрязнения поверхности полупроводниковых структур, определить концентрацию и профиль распределения носителей заряда. Характерный признак ёмкости МДП – структуры состоит в том, что при подаче U расширяющего пространственный заряд ионизированных примесей при поверхностном слое МДП – структуры могут генерироваться и накапливаться неосновные носители заряда. Экспериментально ВФХ измеряют как правило в диапазоне 1…10МГц при относительно медленно изменяющемся смещении. Методика снятия этих характеристик предусматривает измерение ёмкости на основе закона Ома для емкостной или активно емкостной цепи при относительно малом синусоидальном U на измеряемом элементе. В простейшем случае функциональную схему измерителя ВФХ емкостной цепи можно представить следующим образом:
Рисунок 32 - Функциональная схема измерителя ВФХ емкостной цепи
При изменении смещения, которое осуществляется генератором пилообразного U, изменяется проводимость активно емкостной цепи. Это фиксируется датчиком тока. После усиления и детектирования полученное U поступает на построитель C-U характеристик. ВФХ МДП – структуры, снятую при высокой частоте и медленной развёртке U можно представить следующим образом:
|
Рисунок 33 - ВФХ МДП – структуры
Св – ёмкость на высокой частоте
С – ёмкость на штатной (1КГц)
Информация о качестве поверхности полупроводника и границе раздела диэлектрик – полупроводник уточняется после этого по релаксационной характеристике. Для этого на структуру подают импульс обедняющего U. По релаксационным кривым можно рассчитать скорость поверхности генерации и генерационное время жизни неосновных носителей заряда. Зависимость генерационного тока от ширины области:
Аg – площадь МДП – структуры
q – электрический заряд
ni – концентрация собственных носителей
τg – время жизни неосновных носителей
So – скорость поверхностной генерации при отсутствии на поверхности инверсионного слоя
S – скорость поверхностной генерации с инверсионным слоем
W – ширина области неравновесного обеднения
d – толщина диэлектрика
Величина W определяется:
Со – удельная ёмкость диэлектрика
Наклон кривой характеризует генерационное время жизни неосновных носителей. Скорость генерации при W = 0 определяет скорость поверхностной генерации. Типичный график релаксации ВЧ ёмкости МДП – структуры можно представить следующим образом:
Рисунок 34 – График релаксации ВЧ ёмкости МДП – структуры
Сi – ёмкость, соответствующая глубокого объединения
Cf - ёмкость, соответствующая режиму инверсии
tf – время релаксации
|
|
Типы оградительных сооружений в морском порту: По расположению оградительных сооружений в плане различают волноломы, обе оконечности...
Археология об основании Рима: Новые раскопки проясняют и такой острый дискуссионный вопрос, как дата самого возникновения Рима...
Архитектура электронного правительства: Единая архитектура – это методологический подход при создании системы управления государства, который строится...
Индивидуальные очистные сооружения: К классу индивидуальных очистных сооружений относят сооружения, пропускная способность которых...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!