Общие условия выбора системы дренажа: Система дренажа выбирается в зависимости от характера защищаемого...
Механическое удерживание земляных масс: Механическое удерживание земляных масс на склоне обеспечивают контрфорсными сооружениями различных конструкций...
Топ:
Техника безопасности при работе на пароконвектомате: К обслуживанию пароконвектомата допускаются лица, прошедшие технический минимум по эксплуатации оборудования...
Характеристика АТП и сварочно-жестяницкого участка: Транспорт в настоящее время является одной из важнейших отраслей народного хозяйства...
Установка замедленного коксования: Чем выше температура и ниже давление, тем место разрыва углеродной цепи всё больше смещается к её концу и значительно возрастает...
Интересное:
Принципы управления денежными потоками: одним из методов контроля за состоянием денежной наличности является...
Берегоукрепление оползневых склонов: На прибрежных склонах основной причиной развития оползневых процессов является подмыв водами рек естественных склонов...
Инженерная защита территорий, зданий и сооружений от опасных геологических процессов: Изучение оползневых явлений, оценка устойчивости склонов и проектирование противооползневых сооружений — актуальнейшие задачи, стоящие перед отечественными...
Дисциплины:
2024-02-15 | 16 |
5.00
из
|
Заказать работу |
|
|
Фотошаблоны являются основным инструментом для получения рисунка в слое ФР на подложке. Фотошаблон - это плоскопараллельная пластина из прозрачного материала, на которой имеется рисунок, состоящий из непрозрачных для света определенной длины волны участков, образующих топологию одного из слоев структуры прибора, многократно повторенного в пределах рабочего поля подложки. Топология структуры - рисунок (чертеж), включающий в себя размеры элементов структуры, их форму, положение и принятые допуски. Для изготовления ИМС необходим комплект ФШ в соответствии с количеством формируемых технологических слоев.
Чертеж фотошаблонов базовых и эмиттерных областей предсталены в Приложении 1 и в Приложении 2.
Заключение
В ходе курсового проекта была разобрана топология интегральной микросхемы, найдена эквивалентная электрическая схема логического элемента И-НЕ, по топологической схеме ТС-14 (Рис.1.3).
В ходе работы был произведен расчет профиля концентрации легирующей примеси в базовой и эмиттерной области структуры микросхемы, составлен технологический маршрут схемы по заданной технологии, так же рассчитана погрешность диффузионных элементов. Изготовлены чертежи фотошаблонов эмиттерных и базовых областей, представленных в приложении 1 и 2.
Список использованных источников
1. Данинилина Т.И., Смирнова К.И., Илюшин В.А., Величко А.А. – Процессы микро – и нанотехнологии. – Томск: ТУСУР, 2005. – 315 с.
2. Матсен Э.А., Крыжановский А.В. – Справочное пособие по конструированию микросхем. –Минск .: «Высшая школа», 1982. – 224 с.
3. Коледов Л.А. – Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок: Учебник для вузов.— М.: Радио и связь, 1989.— 400 с.
4. Данилина Т.И. – Технология тонкопленочных микросхем. – Томск: ТУСУР, 2007. – 151 с.
5. Парфенов О.Д. – Технология микросхем. – М.: Высшая школа, 1977. – 256с.
|
|
Биохимия спиртового брожения: Основу технологии получения пива составляет спиртовое брожение, - при котором сахар превращается...
Типы сооружений для обработки осадков: Септиками называются сооружения, в которых одновременно происходят осветление сточной жидкости...
Таксономические единицы (категории) растений: Каждая система классификации состоит из определённых соподчиненных друг другу...
История развития пистолетов-пулеметов: Предпосылкой для возникновения пистолетов-пулеметов послужила давняя тенденция тяготения винтовок...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!