Архитектура электронного правительства: Единая архитектура – это методологический подход при создании системы управления государства, который строится...
История развития хранилищ для нефти: Первые склады нефти появились в XVII веке. Они представляли собой землянные ямы-амбара глубиной 4…5 м...
Топ:
Комплексной системы оценки состояния охраны труда на производственном объекте (КСОТ-П): Цели и задачи Комплексной системы оценки состояния охраны труда и определению факторов рисков по охране труда...
Теоретическая значимость работы: Описание теоретической значимости (ценности) результатов исследования должно присутствовать во введении...
Особенности труда и отдыха в условиях низких температур: К работам при низких температурах на открытом воздухе и в не отапливаемых помещениях допускаются лица не моложе 18 лет, прошедшие...
Интересное:
Принципы управления денежными потоками: одним из методов контроля за состоянием денежной наличности является...
Национальное богатство страны и его составляющие: для оценки элементов национального богатства используются...
Наиболее распространенные виды рака: Раковая опухоль — это самостоятельное новообразование, которое может возникнуть и от повышенного давления...
Дисциплины:
2024-02-15 | 17 |
5.00
из
|
Заказать работу |
|
|
Параметры транзисторов являются величинами, характеризующими их свойства. Все параметры можно разделить на собственные (первичные) и вторичные.
Собственные параметры характеризуют свойства самого транзистора независимо от схемы его включения. К ним относятся: rэ – сопротивление эмиттера, rк – сопротивление коллектора, rб – сопротивление базы. Значения сопротивлений рассматриваются по отношению к переменной составляющей. С учетом этих параметров транзистор, включенный по схеме с ОЭ, может быть представлен эквивалентной схемой.
Схема замещения:
~ |
вх |
I |
× |
b |
б |
r |
э |
r |
) |
1 |
( |
a |
- |
к |
r |
~ |
U |
~ |
U |
~ |
I |
вх |
вх |
вх |
Статическими характеристиками являются статический коэффициент передачи тока эмиттера α и тока базы β.
С точки зрения системы вторичных параметров транзистор рассматривают как некоторый четырехполюсник со следующей схемой замещения.
Эквивалентная схема с h -параметрами:
~ |
~ |
U |
U |
~ |
I |
~ |
I |
1 |
1 |
h |
~ |
1 |
2 |
U |
h |
~ |
2 |
1 |
I |
h |
вых |
вх |
вх |
вх |
вых |
вых |
1) Входное сопротивление при коротко замкнутом выходе при , к.з. на выходе
……………….по переменному току,
2)Коэффициент обратной связи по напряжению при х.х. на входе, . Этот коэффициент показывает, какая доля выходного переменного напряжения передается на вход транзистора вследствие отрицательной обратной связи в нем.
|
3) Усиление тока при к.з. на выходе по переменному току , при , .
Показывает коэффициент усиления переменного тока транзистором в режиме работы без нагрузки.
4) Выходная проводимость при х.х. на входе , при , – часто используют выходное сопротивление.
Представляет собой внутреннюю проводимость для переменного тока между выходными зажимами транзистора.
Транзисторный источник тока. Транзисторный источник тока с заземленной нагрузкой. Недостатки.
Транзисторный источник тока
Работает следующим образом: напряжение на базе Uб> 0,6 В поддерживает эмиттерный переход в открытом состоянии: Uэ = Uб - 0,6 В. В связи с этим Iэ = Uэ/Rэ = (Uэ - 0,6/Rэ). Так как Iэ ≈ Iк, то Iк≅ (Uб - 0,6 В)/Rэ независимо от напряжения Uк до тех пор, пока транзистор не перейдет в режим насыщения (Uк>Uэ + 0.2 В).
|
|
Общие условия выбора системы дренажа: Система дренажа выбирается в зависимости от характера защищаемого...
Таксономические единицы (категории) растений: Каждая система классификации состоит из определённых соподчиненных друг другу...
История создания датчика движения: Первый прибор для обнаружения движения был изобретен немецким физиком Генрихом Герцем...
Эмиссия газов от очистных сооружений канализации: В последние годы внимание мирового сообщества сосредоточено на экологических проблемах...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!