Архитектура электронного правительства: Единая архитектура – это методологический подход при создании системы управления государства, который строится...
Автоматическое растормаживание колес: Тормозные устройства колес предназначены для уменьшения длины пробега и улучшения маневрирования ВС при...
Топ:
Определение места расположения распределительного центра: Фирма реализует продукцию на рынках сбыта и имеет постоянных поставщиков в разных регионах. Увеличение объема продаж...
Генеалогическое древо Султанов Османской империи: Османские правители, вначале, будучи еще бейлербеями Анатолии, женились на дочерях византийских императоров...
Характеристика АТП и сварочно-жестяницкого участка: Транспорт в настоящее время является одной из важнейших отраслей народного...
Интересное:
Уполаживание и террасирование склонов: Если глубина оврага более 5 м необходимо устройство берм. Варианты использования оврагов для градостроительных целей...
Инженерная защита территорий, зданий и сооружений от опасных геологических процессов: Изучение оползневых явлений, оценка устойчивости склонов и проектирование противооползневых сооружений — актуальнейшие задачи, стоящие перед отечественными...
Лечение прогрессирующих форм рака: Одним из наиболее важных достижений экспериментальной химиотерапии опухолей, начатой в 60-х и реализованной в 70-х годах, является...
Дисциплины:
2022-10-28 | 59 |
5.00
из
|
Заказать работу |
|
|
- 200 мА
- 50 мА
+ 98 мА
- 102 мА
##theme 2
##score 2
##type 1
##time 0:00:00
Биполярный транзистор включен по схеме с общей базой. При этом ток эмиттера равен 10 мА, ток коллектора 9,8 мА. Если этот транзистор будет включен по схеме с общим эмиттером, то коэффициент передачи по току будет равен:
- 98
+ 49
- 0,98
##theme 2
##score 2
##type 1
##time 0:00:00
Биполярный транзистор включен по схеме с общим эмиттером. При этом, входной ток равен 100 мкА, выходной ток равен 9,9 мА. Если этот транзистор будет включен по схеме с общей базой, то коэффициент передачи по току будет равен:
- 99
- 0,1
+ 0,99
- 100
##theme 2
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
Биполярный транзистор включен по схеме с общей базой. При этом ток эмиттера равен 20 мА, ток коллектора 19 мА. Коэффициент передачи по току будет равен
+ 0,95
- 1,052
- 19
- 20
##theme 2
##score 2
##type 1
##time 0:00:00
Коэффициент передачи тока базы равен 70. Коэффициент передачи тока эмиттера равен
+ 0,986
- 0,9
- 1,014
- 71
##theme 2
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
В транзисторе ток эмиттера I э=9 мА, ток базы I б=100 мкА. Тогда ток коллектора равен
+ 8,9 мА
- 9,1 мА
- 109 мА
- 91 мА
##theme 2
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
Если биполярный транзистор работает в активном режиме, то наименьшее входное сопротивление имеет схема включения биполярного транзистора с
- общим эмиттером
+ общей базой
- общим коллектором
##theme 2
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
Если биполярный транзистор работает в активном режиме, то наименьшее выходное сопротивление имеет схема включения биполярного транзистора с
- общим эмиттером
- общей базой
+ общим коллектором
##theme 2
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
|
Если биполярный транзистор работает в активном режиме, то наибольшее входное сопротивление имеет схема включения биполярного транзистора
- общим эмиттером
- общей базой
+ общим коллектором
##theme 2
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
Если биполярный транзистор работает в активном режиме, то наибольшее выходное сопротивление имеет схема включения биполярного транзистора
- общим эмиттером
+ общей базой
- общим коллектором
##theme 2
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
Токи в цепях биполярного транзистора связаны между собой
-
+
-
##theme 2
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
Модуляция толщины базы биполярного транзистора – это
+изменение толщины базы при изменении напряжения на коллекторе
- изменение толщины базы при изменении напряжения на эмиттере
- изменение толщины базы при изменении напряжения на базе
##theme 2
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
В активном режиме работы биполярного транзистора на переходе коллектор-база определяющую роль играет(ют)
- диффузионная ёмкость
+ барьерная ёмкость
- диффузионная и барьерная ёмкости
##theme 2
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
В активном режиме работы биполярного транзистора на переходе эмиттер-база определяющую роль играет(ют)
+ диффузионная ёмкость
- барьерная ёмкость
- диффузионная и барьерная ёмкости
##theme 2
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
На усилительные свойства биполярного транзистора оказывает(ют) более сильное влияние емкость(и)
- эмиттерного перехода
+ коллекторного перехода
- обоих переходов
##theme 2
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
|
|
Поперечные профили набережных и береговой полосы: На городских территориях берегоукрепление проектируют с учетом технических и экономических требований, но особое значение придают эстетическим...
Адаптации растений и животных к жизни в горах: Большое значение для жизни организмов в горах имеют степень расчленения, крутизна и экспозиционные различия склонов...
Автоматическое растормаживание колес: Тормозные устройства колес предназначены для уменьшения длины пробега и улучшения маневрирования ВС при...
Археология об основании Рима: Новые раскопки проясняют и такой острый дискуссионный вопрос, как дата самого возникновения Рима...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!