Особенности сооружения опор в сложных условиях: Сооружение ВЛ в районах с суровыми климатическими и тяжелыми геологическими условиями...
Историки об Елизавете Петровне: Елизавета попала между двумя встречными культурными течениями, воспитывалась среди новых европейских веяний и преданий...
Топ:
Генеалогическое древо Султанов Османской империи: Османские правители, вначале, будучи еще бейлербеями Анатолии, женились на дочерях византийских императоров...
Методика измерений сопротивления растеканию тока анодного заземления: Анодный заземлитель (анод) – проводник, погруженный в электролитическую среду (грунт, раствор электролита) и подключенный к положительному...
Проблема типологии научных революций: Глобальные научные революции и типы научной рациональности...
Интересное:
Берегоукрепление оползневых склонов: На прибрежных склонах основной причиной развития оползневых процессов является подмыв водами рек естественных склонов...
Уполаживание и террасирование склонов: Если глубина оврага более 5 м необходимо устройство берм. Варианты использования оврагов для градостроительных целей...
Подходы к решению темы фильма: Существует три основных типа исторического фильма, имеющих между собой много общего...
Дисциплины:
2022-02-11 | 24 |
5.00
из
|
Заказать работу |
|
|
При прямом включении напряжение на диоде должно достигнуть определенного порогового значения - Vϒ, при котором P-N-переход в полупроводнике открывается и диод начинает проводить ток. До этого диод является очень плохим проводником. (Как указывалась,Vϒ у кремниевых приборов примерно 0.75V, у германиевых – около 0.4V).
Параметры диода:
- Vϒ(гамма) - напряжение порога проводимости
- Рабочая точка (режим покоя) характеризуется или значением постоянного напряжения на диоде Uд, или значением постоянного тока диода Iд (между ними существует однозначная связь). Поскольку диод - нелинейный прибор, то статическое сопротивление является функцией рабочей точки: Rд = F(Uд) или Rд = F(Iд).
При расчёте статического режима необходимо построить на ВАХ диода нагрузочную прямую АВ. Обычно известны E, R и дана ВАХ диода. Нагрузочная прямая (статический режим) строится из уравнения закона Ома для полной цепи: . Если диод полностью открыт, то максимальный ток определяется сопротивлением R. Если диод заперт, то напряжение равно сумме падений напряжений на диоде и сопротивлении R.
- ID_MAX - максимальный ток через диод при прямом включении. Когда ток через прибор превышает этот предел, диод перегревается, разрушается кристаллическая структура полупроводника, прибор становится непригодным. Величина данной силы тока сильно колеблется в зависимости от типов диодов и их производителей.
-IOP – обратный ток утечки. При обратном включении диод не является абсолютным изолятором и имеет конечное сопротивление, хоть и очень высокое. Это служит причиной образования тока утечки или обратного тока IOP. Ток утечки у германиевых приборов достигает до 200 µА, у кремниевых до нескольких десятков nА. Самые высококачественные кремниевые диоды с предельно низким обратным током имеют этот показатель около 0.5 nA.
|
-PIV(Peak Inverse Voltage) - Напряжение пробоя. Если внешняя разность потенциалов превышает это значение, диод резко понижает свое сопротивление и превращается в проводник. Величина напряжения пробоя колеблется в зависимости от разных типов диодов и их производителей.
-Паразитная емкость PN-перехода. Если на диод подать напряжение значительно выше Vϒ, он не начнет мгновенно проводить ток. Причиной этому является паразитная емкость P-N перехода, на наполнение которой требуется определенное время. Чем меньше величина ёмкости p-n перехода, тем на более высоких частотах он может работать.
Частотные свойства p-n перехода определяются двумя видами ёмкости перехода: барьерной и диффузионной. Барьерная ёмкость обусловлена неподвижными зарядами ионов донорной и акцепторной примеси.
Sp-n– площадь p-n перехода; Δx- толщина перехода.
Диффузионная ёмкость, обусловлена диффузией подвижных носителей заряда через p-n переход при прямом включении.
Приближенные модели диодов.
Идеальный диод. Основная задача обычного выпрямительного диода – проводить электрический ток в одном направлении, и не пропускать его в обратном. Следовательно, идеальный диод должен быть очень хорошим проводником с нулевым сопротивлением при прямом подключении напряжения (плюс - к аноду, минус - к катоду), и абсолютным изолятором с бесконечным сопротивлением при обратном. Вот так это выглядит на графике:
Такая модель диода используется, когда важна только логическая функция прибора, например, в цифровой электронике.
Приближенная модель первого уровня «идеальный диод + Vϒ»
Самой простой и часто используемой является приближенная модель первого уровня. Она состоит из идеального диода и, добавленного к нему, напряжения порога проводимости Vϒ.
Приближенная модель второго уровня «идеальный диод + Vϒ + rD»
|
Иногда используют чуть более сложную и точную приближенную модель второго уровня. В этом случае добавляют к модели первого уровня внутреннее сопротивление диода, аппроксимировав его экспоненциальную функцию линейной.
В большинстве случаев для расчетов в электронных схемах не используют точную модель диода со всеми его характеристиками. Нелинейность этой функции слишком усложняет задачу.
|
|
Общие условия выбора системы дренажа: Система дренажа выбирается в зависимости от характера защищаемого...
Кормораздатчик мобильный электрифицированный: схема и процесс работы устройства...
Механическое удерживание земляных масс: Механическое удерживание земляных масс на склоне обеспечивают контрфорсными сооружениями различных конструкций...
Археология об основании Рима: Новые раскопки проясняют и такой острый дискуссионный вопрос, как дата самого возникновения Рима...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!