Фазовая автоподстройка частоты

При использовании фазового метода автоматической подстройки частоты промежуточная частота в приемнике подстраивается, путем перестройки гетеродина, под высокостабильную частоту опорного генератора (ОГ) с помощью напряжения расстройки, формируемого фазовым детектором (ФД). ФНЧ в системе ФАПЧ определяет степень ее инерционности. Структурная схема системы ФАПЧ промежуточной частоты приведена на рис. 4.37.

Рис. 4.37. Структурная схема системы ФАПЧ

Одним из способов описания системы ФАПЧ, так же как и для ЧАПЧ, является статическая характеристика. Ее вид представлен на рис. 4.38.

Рис. 4.38. Статическая характеристика системы ФАПЧ

Коэффициент автоподстройки системы ФАПЧ в установившемся режиме равен бесконечности, т.е. промежуточная частота будет соответствовать частоте опорного генератора с точностью до фазы. Полосы удержания ΔΩ_У и захвата ΔΩ_З определяются характеристиками ФНЧ и регулятора частоты.

 

Элементная база

В данном разделе приведены справочные данные некоторых радиоэлементов, которые могут оказаться полезными при выборе элементной базы для курсового проектирования.

Основные параметры:

U _макс - Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор - эмиттер
I _макс - Максимально допустимый постоянный ток коллектора
P _макс - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
f _гран - Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ
h _21э - Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ
I _кбо - Обратный ток коллектора
K _ш - Коэффициент шума транзистора

Таблица 5.1.

Иностранные ВЧ транзисторы в корпусе SOT-23

Наименование	Структура	U макс, В	I макс, мА	P макс, Вт	f гран, ГГц	K ш, дБ	h 21э
BFR92A	N-P-N	15	25	0,3	5	2,1	40-90
BFR93A	N-P-N	12	35	0,3	6	1,9	40-90
BFR193	N-P-N	12	80	0,58	8	1,3	50-200
BFS17A	N-P-N	15	25	0,3	2,8	2,5	25-90
BFT92	P-N-P	15	25	0,3	5	2,5	20-50
BFT93	P-N-P	12	35	0,3	5	2,4	20-50

 

Таблица 5.2.

Иностранные ВЧ транзисторы в корпусеTO-50

Наименование	Структура	U макс, В	I макс, мА	P макс, Вт	f гран, ГГц	K ш, дБ	h 21э
BF970	P-N-P	35	30	0,3	1	4,2	25-90
BF979	P-N-P	20	50	0,3	1,75	3,4	20-90
BFR90A	N-P-N	15	30	0,3	6	1,8	50-150
BFR91A	N-P-N	12	50	0,3	6	1,6	40-150
BFR96TS	N-P-N	15	100	0,7	5	4	25-150

 

Табл. 5.3.

Иностранные ВЧ транзисторы в корпусеTO-92

Наименование	Структура	U макс, В	I макс, мА	P макс, Вт	f гран, МГц	h 21э
BF199	N-P-N	25	25	0,5	550	>38
BF240	N-P-N	40	25	0,3	>150	60-220
BF324	P-N-P	30	25	0,3	450	>25
BF450	P-N-P	40	25	0,3	375	>50
BF494	N-P-N	20	30	0,3	>260	>30
BF959	N-P-N	20	100	0,625	>600	>35

 

Таблица 5.4.

Иностранные ВЧ транзисторы в корпусах различных типов

Наименование	Структура	U макс, В	I макс, мА	P макс, Вт	f гран, ГГц	h 21э	Корпус
BFG425W	N-P-N	4,5	30	0,135	25	50-120	SOT343R
BFP67	N-P-N	10	50	0,2	7,5	65-150	SOT143
BFP450	N-P-N	4,5	100	0,45	24	50-150	SOT343R
BFP540	N-P-N	4,5	80	0,25	33	50-200	SOT343R
BFP620	N-P-N	2,3	80	0,185	65	100-320	SOT343R

 

Таблица 5.5.

Отечественные ВЧ транзисторы

Наименование	Структура	P макс, Вт	I макс, мА	U макс, В	I кбо, мкА	h 21э	f гран, МГц	Корпус
КТ3102А-Ж	N-P-N	0,25	200	20-50	< 0,05	100/250-400/1000	150	КТ-1-7
КТ3102АМ-КМ	N-P-N	0,25	200	20-50	< 0,05	100/250-400/1000	150	КТ-26
КТ3107	P-N-P	0,3	100	20-45	< 0,1	70/140-380/800	250	КТ-26
КТ3108	P-N-P	0,3	200	45-60	< 0,2	50/150-100/300	250	КТ-1-7
КТ3117А, Б	N-P-N	0,3	400	50	< 10	40/200	300	КТ-1-7
КТ3117А1	N-P-N	0,3	400	50	< 10	40/200	300	КТ-26
КТ3129	P-N-P	0,15	100	20-40	< 1,0	30/120-200/500	200	КТ-46
КТ3130	N-P-N	0,1	100	15-40	< 0,1	100/250-400/1000	150	КТ-46
КТ315	N-P-N	0,15	50-100	25-60	0,5	20/90-50/350	200	КТ-13
КТ3151А9, Д9	N-P-N	0,2	100	80	< 1,0	> 20	100	КТ-46
КТ3153А9	N-P-N	0,3	400	50	< 0,05	100/300	250	КТ-46
КТ3157А	P-N-P	0,2	30	250	< 0,1	> 50	60	КТ-26
КТ3172А9	N-P-N	0,2	200	20	< 0,4	40/150	500	КТ-46
КТ339АМ	N-P-N	0,26	25	25	< 1,0	> 25	550	КТ-26
КТ342АМ, БМ, ВМ	N-P-N	0,25	50	30	< 30	100/250	250	КТ-26
КТ361	P-N-P	0,15	50-100	10-45	< 1	20/90-100/350	150	КТ-13

 

Таблица 5.6.

Отечественные СВЧ транзисторы

Наименование	Структура	P макс, Вт	I макс, мА	U макс, В	I кбо, мкА	h 21э	f гран, МГц	Корпус
КТ3101А-2	N-P-N	0,1	20	15	0,5	35/300	2250	Н/С-1
КТ3101АМ	N-P-N	0,1	20	15	0,5	35/300	1000	КТ-14
КТ3115А-2(Б, Д)	N-P-N	0,07	8,5	7-10	0,5	15/80	5800	КТ-22
КТ3120А	N-P-N	0,1	20	15	5	> 40	1800	КТ-14
КТ3126А,Б	P-N-P	0,15	30	30	0,5	25/100-60/180	500	КТ-26
КТ3128А1	P-N-P	0,3	30	35	0,1	35/150	800	КТ-26
КТ3168А9	N-P-N	0,18	28	15	< 0,5	60/180	<3000	КТ-46
КТ326А,Б	P-N-P	0,2	50	15	0,5	20/70-45/160	250	КТ-1-7
КТ326АМ,БМ	P-N-P	0,2	50	15	0,5	20/70-45/160	250	КТ-26
КТ368А,Б	N-P-N	0,225	30	15	0,5	50/300	900	КТ-1-12
КТ368АМ,БМ	N-P-N	0,225	30	15	0,5	50/450	900	КТ-26
КТ368А9, Б9	N-P-N	0,1	30	15	0,5	50/300	900	КТ-46
КТ399АМ	N-P-N	0,15	30	15	0,5	40/170	1800	КТ-26

 

Таблица 5.7.

Полосовые фильтры для трактов ПЧ АМ

Тип изделия	Номинальная частота, кГц	Ширина полосы по уровню 6 дБ, кГц	Избирательность при расстройке дБ, не менее	Гарантированное затухание, дБ, не менее	Вносимое затухание дБ, не более	Вх./Вых. нагрузочное сопротивление, кОм
ФП1П1-7	465	20 - 26	40(±22,5 кГц)	30,0	4,0	3,0/1,5
ФП1П1-7-1	455	20 - 26	40(±22,5 кГц)	30,0	4,0	3,0/1,5
ФП1П1-7-М	465	16 - 20	50(±25 кГц)	38,0	4,0	3,0/1,5
ФП1П1-11	455	22 - 26	60(±22 кГц)	50,0	4,0	2,4/2,4

 

Таблица 5.8.

Фильтры для трактов УПЧ радиоприемной аппаратуры

Тип изделия	Номинальная частота, fном, кГц	Шир. полосы пропуск. по ур.3 дБ, кГц	Шир. полосы пропуск. по ур. 40 дБ, кГц	Вносимое затухание, дБ, не более	Гарантир. затухание, fн ± 100кГц, дБ
ФП1П1-12-1	455	30	60	≤ 4,0	≥ 27
ФП1П1-12-2	455	30	50	≤ 6,0	≥ 25
ФП1П1-12-3	450	25	70	≤ 5,0	≥ 25
ФП1П1-12-4	500	7,8	22	≤ 6,0	≥ 25
ФП1П1-12-5	500	24,5	60	≤ 5,0	≥ 25
ФП1П6-4	10700	≥ 180	660 (по ур. 20 дБ)	≤ 8,0	≥ 30 (fн + 2МГц)