Историки об Елизавете Петровне: Елизавета попала между двумя встречными культурными течениями, воспитывалась среди новых европейских веяний и преданий...
Индивидуальные очистные сооружения: К классу индивидуальных очистных сооружений относят сооружения, пропускная способность которых...
Топ:
Выпускная квалификационная работа: Основная часть ВКР, как правило, состоит из двух-трех глав, каждая из которых, в свою очередь...
Особенности труда и отдыха в условиях низких температур: К работам при низких температурах на открытом воздухе и в не отапливаемых помещениях допускаются лица не моложе 18 лет, прошедшие...
Организация стока поверхностных вод: Наибольшее количество влаги на земном шаре испаряется с поверхности морей и океанов...
Интересное:
Национальное богатство страны и его составляющие: для оценки элементов национального богатства используются...
Уполаживание и террасирование склонов: Если глубина оврага более 5 м необходимо устройство берм. Варианты использования оврагов для градостроительных целей...
Финансовый рынок и его значение в управлении денежными потоками на современном этапе: любому предприятию для расширения производства и увеличения прибыли нужны...
Дисциплины:
2021-03-18 | 100 |
5.00
из
|
Заказать работу |
|
|
Распределение зарядов в базе транзистора
, (38)
где - время жизни частиц, а описывает рекомбинацию частиц.
(39)
1. Нормальный активный режим.
(40)
; .
2. Режим насыщения.
(41)
; .
3. Режим отсечки.
(42)
Переходные характеристики ключа с общим эмиттером.
1. Положительный фронт.
;
(43)
Перерисуем графики более подробно.
(44)
В любой схеме времена фронтов надо уменьшать. Существует два способа: за счёт изменения входных сигналов и за счёт изменения номиналов схем (схемотехнический путь).
1. Увеличение :
На практике обычно используют второй путь – схемотехнический.
2. Уменьшение , для этого увеличивают .
После момента , когда , транзистор из нормальной активной области работы переходит в режим насыщения. Это означает, что в базе транзистора накапливается много зарядов (база насыщается зарядами).
|
Если база перенасыщена зарядами, то время жизни уменьшается.
Т.к. время жизни уменьшилось, то процесс возрастания заряда пошёл быстрее.
Из стадии переключения мы находим две важные величины.
После стадии с момента времени наступает стадия накопления зарядов в базе. Она характеризуется тем, что во внешней цепи ток и напряжение не изменяются. Происходят только внутренние процессы накопления зарядов в базе (см. график ). Эта стадия будет продолжаться до момента , когда приходит отрицательное запирающее напряжение.
С момента действует отрицательная ступенька тока и поэтому, теоретически, заряд в базе стремился бы к величине . На практике, в процессе уменьшения, заряд в базе в момент времени достигает своего значения . Это означает, что транзистор из режима насыщения переходит обратно в нормальный активный режим.
Т.к. на участке транзистор ещё находится в режиме насыщения, то во внешней цепи токи и напряжения не изменяются.
Т.о. из графиков видно: входной сигнал тока изменился в момент времени , а ток и напряжение не изменились и остаются постоянными до времени .
Интервал называется интервалом рассасывания (временем задержки).
Рассчитаем время рассасывания.
Интервал будем называть стадией рассасывания носителей из базы.
Ранее нами было получено общее решение для зарядов в базе транзистора для любого режима его работы.
(45)
Найдём решения уравнения (45) в момент времени .
(46)
Пути уменьшения времени задержки.
1. Увеличиваем отрицательную ступеньку .
2. Схемотехнический путь. Увеличиваем за счёт уменьшения . В данном случае мы имеем явное противоречие с параметром , для которого надо было увеличивать .
|
2. Отрицательный фронт.
После момента начинается стадия отрицательного фронта. На этой стадии транзистор работает в нормальном активном режиме и запирается отрицательной ступенькой до полной отсечки.
С момента времени заряд будет уменьшаться более медленно.
Стадия запирания заканчивается в момент времени , когда общий заряд в базе будет тождественно равен нулю .
(47)
|
|
Опора деревянной одностоечной и способы укрепление угловых опор: Опоры ВЛ - конструкции, предназначенные для поддерживания проводов на необходимой высоте над землей, водой...
Историки об Елизавете Петровне: Елизавета попала между двумя встречными культурными течениями, воспитывалась среди новых европейских веяний и преданий...
Состав сооружений: решетки и песколовки: Решетки – это первое устройство в схеме очистных сооружений. Они представляют...
Кормораздатчик мобильный электрифицированный: схема и процесс работы устройства...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!