Архитектура электронного правительства: Единая архитектура – это методологический подход при создании системы управления государства, который строится...
Папиллярные узоры пальцев рук - маркер спортивных способностей: дерматоглифические признаки формируются на 3-5 месяце беременности, не изменяются в течение жизни...
Топ:
Характеристика АТП и сварочно-жестяницкого участка: Транспорт в настоящее время является одной из важнейших отраслей народного хозяйства...
Методика измерений сопротивления растеканию тока анодного заземления: Анодный заземлитель (анод) – проводник, погруженный в электролитическую среду (грунт, раствор электролита) и подключенный к положительному...
Устройство и оснащение процедурного кабинета: Решающая роль в обеспечении правильного лечения пациентов отводится процедурной медсестре...
Интересное:
Уполаживание и террасирование склонов: Если глубина оврага более 5 м необходимо устройство берм. Варианты использования оврагов для градостроительных целей...
Подходы к решению темы фильма: Существует три основных типа исторического фильма, имеющих между собой много общего...
Распространение рака на другие отдаленные от желудка органы: Характерных симптомов рака желудка не существует. Выраженные симптомы появляются, когда опухоль...
Дисциплины:
2021-01-29 | 74 |
5.00
из
|
Заказать работу |
для термопары – мВ/ o K.
Погрешности датчиков
Основная погрешность:
в абсолютных значениях отклонения - (Y и – Y д)
в относительных единицах - (Y и – Y д)/ Y д %.
Относительная приведенная погрешность:
max (Y и – Y д) / max (Y) в диапазоне (X н, X к)
Дополнительная погрешность: - в процентах,
например, % / градус.
Динамическая характеристика
(dY / dt)/ dX.
2. Резистивные датчики
Реостатные датчики
Тензорезистивные датчики (тензометры)
коэффициент тензочувствительности:
Kт=1+2μ+δρ/δ L,
Схемы включения тензометров
Параметры датчика с учетом угловой частоты переменного тока (ω=2 π F):
Rp= Ro[1+ ω 2 (Ls/ Ro) 2]
Xp=1/ω (Cs - Ls/ Ro 2)=1/ω Cэкв
Последовательная схема и схема с делителем
Для последовательного включения выходное напряжение равно (используем замену Ro±∆ R= Ry):
Uo=Ui Rн /(Rн +Ry)
Для схемы с делителем:
Uo= Ui Rн Rу/[ Ro(Rн+ Rу)+ Rн Rу]
В обоих случаях зависимость Uo= f(Ui) нелинейна,
Однако она выпрямляется при увеличении Rн.
Мостовая схема
исходное состояние моста:
R 1= R 2= R 3= R 4= R 0
Для всех мостовых схем:
I н= Ui (R 1 R 4- R 2 R 3)/[ R н(R 1+ R 2)(R 3+ R 4)+ R 1 R 2(R 3+ R 4)+ R 3 R 4(R 1+ R 2)]
Графики изменения Uo= f(Ro), построены с учетом того, что: Uo= Iн Rн
3. Термодатчики
Термопары
Конструкция
Инерционность термопар
Таблица 3
группа | погружные | поверхостные |
малоинерционные | 5 с | 10 с |
среднеинерционные | 60 с | 120 с |
сильноинерционные | 180 с | 300 с |
Схемы включения термопар
Потенциометрическая схема
Терморезисторы
Металлические термосопротивления
П латиновые (ТСП)
М едные (ТСМ)
д иапазон измеряемых температур - 200 …+ 1100 оС.
т очность измерения: 0.001 оС.
Полупроводниковые термосопротивления (термисторы)
т ермисторы имеют противоположный по знаку ТКС.
М едно-марганцевые (ММТ)
К обальто-марганцевые (КМТ)
д иапазон - 60…+ 180 о С.
т очность до 0.0005оС.
Угольные термосопротивления
Изготавливаются из графита и углей.
Чистый графит имеет отрицательный ТКС
С опротивление обратно пропорционально температуре
Диапазон температур до +2300 о К.
4. Электромагнитные датчики
Параметрические датчики
Индуктивные и трансформаторные
Индуктивность:
L = w 1 2 /(R м+ R в)
Взаимоиндуктивность:
М= w 1 · w 2 / (R м+ R в)
Где:
w 1 и w 2 – число витков первичной и вторичной обмоток,
R м = l /μ а · S – сопротивление магнитопровода,
R в = δ/μ о · S – сопротивление воздушного зазора шириной δ между якорем и магнитопроводом,
L – средняя длина магнитного пути,
μ а = μ·μ о – магнитная проницаемость материала магнито -провода,
μ – относительная магнитная проницаемость материала (для сталей равна 200…5000),
μ о – магнитная постоянная = 1.257 мкВ·сек/ A м,
S – поперечное сечение магнитопровода.
Магнитоупругие
Относительная тензочувствительность датчиков:
Кт = (∆μ/μ)/(∆ l / l)
Чувствительность магнитоупругого датчика составляет
Несколько мВ/Н.
Генераторные датчики
На выходе датчика - напряжение, пропорциональное скорости изменения потока:
U w = W 1 (d Ф/ dt)
Схемы включения параметрических датчиков
Последовательная схема
р еактивное сопротивление Х=2·π· F · L
в ыходное напряжение:
U o = I·R n = Ui·R n / [(R a +R n)2 + Х 2 ]
Если:
(R a +R n) << 2· π ·F·w12· μ о ·S/ δ,
то получим линейную зависимость:
U o = K ·δ,
где коэффициент преобразования:
K = Ui·R n /2· π ·F·w12· μ о ·S.
Дифференциальная схема
где: ∆ L = L 1 - L 2, L = L 1 + L 2
следовательно, U o = f (∆ L)
Папиллярные узоры пальцев рук - маркер спортивных способностей: дерматоглифические признаки формируются на 3-5 месяце беременности, не изменяются в течение жизни...
Состав сооружений: решетки и песколовки: Решетки – это первое устройство в схеме очистных сооружений. Они представляют...
История создания датчика движения: Первый прибор для обнаружения движения был изобретен немецким физиком Генрихом Герцем...
Наброски и зарисовки растений, плодов, цветов: Освоить конструктивное построение структуры дерева через зарисовки отдельных деревьев, группы деревьев...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!