Особенности сооружения опор в сложных условиях: Сооружение ВЛ в районах с суровыми климатическими и тяжелыми геологическими условиями...
Опора деревянной одностоечной и способы укрепление угловых опор: Опоры ВЛ - конструкции, предназначенные для поддерживания проводов на необходимой высоте над землей, водой...
Топ:
Эволюция кровеносной системы позвоночных животных: Биологическая эволюция – необратимый процесс исторического развития живой природы...
Оснащения врачебно-сестринской бригады.
Особенности труда и отдыха в условиях низких температур: К работам при низких температурах на открытом воздухе и в не отапливаемых помещениях допускаются лица не моложе 18 лет, прошедшие...
Интересное:
Принципы управления денежными потоками: одним из методов контроля за состоянием денежной наличности является...
Лечение прогрессирующих форм рака: Одним из наиболее важных достижений экспериментальной химиотерапии опухолей, начатой в 60-х и реализованной в 70-х годах, является...
Наиболее распространенные виды рака: Раковая опухоль — это самостоятельное новообразование, которое может возникнуть и от повышенного давления...
Дисциплины:
2020-08-20 | 519 |
5.00
из
|
Заказать работу |
|
|
р-п -перехода
Влияние температуры на обратный ток диода. С ростом температуры увеличивается скорость тепловой генерации электронно-дырочных пар во всех областях p-n -перехода. Это приводит к резкому (по экспоненциальному закону) возрастанию с температурой концентрации неосновных носителей в n- и p- областях перехода и, следовательно, к увеличению тока насыщения. Концентрация неосновных носителей заряда в полупроводнике зависит от температуры по закону:
. (2.72)
При выводе этих соотношений использовался закон действующих масс и то обстоятельство, что nn 0 и pp 0не меняются с изменением температуры во всем интервале истощения примеси.
Время жизни неосновных носителей заряда и их диффузионные длины с изменением температуры меняются значительно слабее и их изменением можно пренебречь и считать, что ток насыщения
(2.73)
Другая компонента обратного тока – ток термогенерации в слое объемного заряда – также будет расти вследствие увеличения скорости тепловой генерации электронно-дырочных пар G 0
. (2.74)
Третья компонента обратного тока – ток утечки – также растет с ростом температуры, но значительно слабее. Ввиду того, что этот ток может быть обусловлен различными механизмами, из которых не все до конца понятны, то общий анализ зависимости J ут.(T) затруднен.
В общем случае зависимость обратного тока от температуры приведена на рис. 2.34. Очевидно, что при низких температурах будет преобладать ток утечки. Поскольку Jген в ОЗ растет с температурой быстрее тока утечки, в каком то интервале температур он станет больше. Ток насыщения растет с температурой еще быстрее, так что он может стать основным при более высоких температурах.
|
Поскольку JSи Jген в ОЗ в общем случае пропорциональны , где m – коэффициент, соответствующий определенной компоненте обратного тока. Для диодов, у которых эти компоненты преобладают над токами утечки, снимая зависимость J обр.(T)при постоянном обратном смещении, можно по величине m оценить механизм протекания тока через диод в том или ином температурном интервале. Для этого необходимо построить в полулогарифмическом масштабе график зависимости и по наклону выбранного прямолинейного участка определить коэффициент m:
(2.75)
Рис. 2.34. Температурная зависимость обратного тока через диод
Влияние температуры на прямую ветвь ВАХ диода. Прямой ток через диод создается диффузионными потоками основных носителей, преодолевающих энергетический барьер. С ростом температуры равновесная высота потенциального барьера уменьшается, поскольку уровень Ферми как в п- так и в р -области с повышением температуры стремится к середине запрещенной зоны полупроводника.С понижением потенциального барьера увеличиваются диффузионные потоки основных носителей, то есть увеличивается прямой ток перехода. Иначе говоря, при большей температуре p-n -перехода тот же прямой ток достигается при меньшем смещении. Следовательно, прямая ветвь ВАХ p-n -перехода, без учета сопротивления базы, с ростом температуры смещается влево, в сторону меньших напряжений (рис. 2.35, а). ВАХ базы (рис. 2.35, б) наоборот, сдвигается вправо, так как сопротивление базы с температурой растет из-за снижения подвижности свободных носителей заряда. Таким образом, результирующая вольт-амперная характеристика диода при прямом смещении сложным образом зависит от температуры. При малых токах характеристика смещается с ростом температурывлево, а при больших токах (где влияние базы сильнее) – вправо (рис. 2.35, в).
а б в
|
Рис. 2.35. Влияние температуры на прямую ветвь вольт-амперной характеристика р-п- перехода (а); базы (б); диода (в)
|
|
История создания датчика движения: Первый прибор для обнаружения движения был изобретен немецким физиком Генрихом Герцем...
Автоматическое растормаживание колес: Тормозные устройства колес предназначены для уменьшения длины пробега и улучшения маневрирования ВС при...
Механическое удерживание земляных масс: Механическое удерживание земляных масс на склоне обеспечивают контрфорсными сооружениями различных конструкций...
Опора деревянной одностоечной и способы укрепление угловых опор: Опоры ВЛ - конструкции, предназначенные для поддерживания проводов на необходимой высоте над землей, водой...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!