Организация стока поверхностных вод: Наибольшее количество влаги на земном шаре испаряется с поверхности морей и океанов (88‰)...
Опора деревянной одностоечной и способы укрепление угловых опор: Опоры ВЛ - конструкции, предназначенные для поддерживания проводов на необходимой высоте над землей, водой...
Топ:
Определение места расположения распределительного центра: Фирма реализует продукцию на рынках сбыта и имеет постоянных поставщиков в разных регионах. Увеличение объема продаж...
Характеристика АТП и сварочно-жестяницкого участка: Транспорт в настоящее время является одной из важнейших отраслей народного...
Интересное:
Принципы управления денежными потоками: одним из методов контроля за состоянием денежной наличности является...
Распространение рака на другие отдаленные от желудка органы: Характерных симптомов рака желудка не существует. Выраженные симптомы появляются, когда опухоль...
Аура как энергетическое поле: многослойную ауру человека можно представить себе подобным...
Дисциплины:
2018-01-14 | 231 |
5.00
из
|
Заказать работу |
|
|
В процессе эксплуатации интегральной микросхемы резисторы работают в цепях как постоянного, так и переменного токов, поэтому необходимо знать, каково комплексное сопротивление пленочного резистора токам высокой частоты. Резистор, имея конечные геометрические размеры, кроме активного сопротивления обладает собственными индуктивностью и емкостью. Полная эквивалентная схема пленочного резистора показана на рис. 3, а. Анализ такой схемы громоздок. Достаточно точно изменение сопротивления пленочного резистора можно описать по приближенной эквивалентной схеме (рис. 3, б), где R - сопротивление резистора постоянному току; СП - собственная емкость с учетом емкости контактных площадок; LП - собственная индуктивность резистора.
Реальные конструкции пленочных резисторов имеют паразитные индуктивности до десятков наногенри и паразитные емкости до единиц пикофарад. Следовательно, есть смысл индуктивную составляющую
учитывать для резисторов малых номиналов, когда шунтирующим действием паразитной емкости можно пренебречь (рис. 3, в). Для высокоомных резисторов можно пренебречь индуктивной составляющей сопротивления, но учитывать шунтирующее действие паразитной емкости (рис. 3, г). При этом следует отметить, что для большинства резисторов (особенно типа "меандр") комплексное сопротивление носит емкостной характер.
Для низкоомных резисторов верхняя частота, до которой можно не учитывать паразитную индуктивность, определяется по формуле
Для высокоомных резисторов, где следует учитывать паразитную емкость, верхняя граничная частота определяется как
Величины собственных значений паразитной ёмкости резистора Сп и индуктивности Ln зависят от конструкции резистора и контактных площадок и точно могут быть определены после выбора конструкции.
|
Проектирование резисторов сложной формы
Установлено, что электрическое поле в резисторах сложной формы ("меандр", "змейка" и т.д.) неравномерно. Наибольшего значения градиент плотности тока достигает в местах излома или изгиба резистивной пленки. Неравномерность электрического поля приводит к изменению сопротивления пленочного резистора. В связи с этим расчет сопротивления резисторов сложной формы по длине геометрической средней линии является неточным.
Для расчета размеров резисторов сложной формы (например, изображенных на рис. 1, б, д) резистивная полоска условно разбивается на прямоугольные участки и элементы сопряжения типа изображенных на рис. 4, сопротивление которых рассчитывается по формулам
R = 2,55 R□ (тип А) (14)
Выбор материала диэлектрика
Проектирование однослойных ТПК следует начинать с выбора типа конструкции и материала диэлектрической пленки (см. табл. 4). При этом необходимо учитывать номинальное значение емкости, требования к стабильности, условия эксплуатации и технологичность изготовления ТПК. Для выбранного материала определяются технологические и эксплуатационные характеристики:
- диэлектрическая проницаемость диэлектрика;
Епр - электрическая прочность материала диэлектрика, В/см;
- температурный коэффициент емкости конденсатора;
- относительное изменение емкости во времени, %.
|
|
Историки об Елизавете Петровне: Елизавета попала между двумя встречными культурными течениями, воспитывалась среди новых европейских веяний и преданий...
Состав сооружений: решетки и песколовки: Решетки – это первое устройство в схеме очистных сооружений. Они представляют...
Биохимия спиртового брожения: Основу технологии получения пива составляет спиртовое брожение, - при котором сахар превращается...
Своеобразие русской архитектуры: Основной материал – дерево – быстрота постройки, но недолговечность и необходимость деления...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!