Архитектура электронного правительства: Единая архитектура – это методологический подход при создании системы управления государства, который строится...
Эмиссия газов от очистных сооружений канализации: В последние годы внимание мирового сообщества сосредоточено на экологических проблемах...
Топ:
Эволюция кровеносной системы позвоночных животных: Биологическая эволюция – необратимый процесс исторического развития живой природы...
Генеалогическое древо Султанов Османской империи: Османские правители, вначале, будучи еще бейлербеями Анатолии, женились на дочерях византийских императоров...
Устройство и оснащение процедурного кабинета: Решающая роль в обеспечении правильного лечения пациентов отводится процедурной медсестре...
Интересное:
Национальное богатство страны и его составляющие: для оценки элементов национального богатства используются...
Лечение прогрессирующих форм рака: Одним из наиболее важных достижений экспериментальной химиотерапии опухолей, начатой в 60-х и реализованной в 70-х годах, является...
Распространение рака на другие отдаленные от желудка органы: Характерных симптомов рака желудка не существует. Выраженные симптомы появляются, когда опухоль...
Дисциплины:
2018-01-03 | 168 |
5.00
из
|
Заказать работу |
|
|
Если ширина граничной зоны p-n -перехода L, а напряжённость внутреннего поля , то в граничной зоне существует разность потенциалов. .
К р-n -переходу можно подключить источник напряжения U одним из двух способов: а) прямое включение; б) обратное включение.
А. Прямое включение:
В р-n -переходе создаётся внешнее поле , тогда результирующее поле: , или . Если или , то поле Е внутри р-n -перехода будет вызывать прохождение тока, уменьшение граничной зоны и рассасывание её связанного заряда. При этом дырки движутся из р - в n -область, электроны – обратно.
Вольт-амперная характеристика (ВАХ) р-n- перехода при прямом включении имеет вид:
U пор – напряжение, при котором через р-n -переход начинает протекать ток (пороговое). U пор = 0,2–0,8 В.
Б. Обратное включение:
В р-n -переходе создаётся результирующее поле , или Е = Е вн + + Е внеш, ток не протекает, граничная зона расширяется, её связанный заряд растёт. При определённом значении U внеш = U пробоя р-n -переход начинает проводить ток (ток пробоя), при этом из р -области вырываются электроны, из n -области – дырки.
В большинстве случаев при пробое р-n -переход разрушается. Таким образом, полная ВАХ р-n -перехода имеет вид:
Из ВАХ р-n -перехода видно, что на его основе можно изготовить прибор, пропускающий ток только в одном направлении.
Полупроводниковый диод
П/п диоды применяют в цепях, где надо обеспечить прохождение тока только в одном направлении, т. е. диод работает в режиме вентиля.
Диод содержит р-n -переход с металлическими выводами, заключённый в герметичный корпус. Вывод от р -области – анод, от n -области – катод.
а) прямое включение: б) обратное включение:
ток протекает ток не протекает
|
· Диоды широко применяют в электротехнике и радиоэлектронике.
Полупроводниковый триод (транзистор)
На основе взаимодействия двух р-n -переходов изготавливают п/п транзистор. Он состоит из трёх областей (р-n-р или n-p-n), образующих два р-n -перехода: 1 – эмиттер Э; 2 – коллектор К; 3 – база Б.
Для создания транзисторов с хорошими характеристиками необходимо, чтобы:
1) эмиттер был легирован гораздо сильнее базы (чтобы в нём создавалось много носителей зарядов);
Легирование – добавление примесей;
2) толщина базы была меньше длины свободного пробега носителей заряда (чтобы они не успевали рекомбинировать в базе).
Для нормальной работы транзистора на переход ЭБ подают прямое напряжение (прямое смещение), а на переход БК – обратное.
Работа p-n-p транзистора
1. Переход ЭБ смещён в прямом направлении, по нему протекает ток I Э, образованный в основном дырками (эмиттер р -типа легирован гораздо сильнее базы).
2. Пройдя базу, дырки попадают в поле, созданное U КБ, захватываются им и через коллектор идут к отрицательному полюсу источника UКБ.
3. Рекомбинировать в базе носители не успевают, поэтому I Э» I К, причём U КБ >> U БЭ, т.е. при одинаковом токе мощность на сопротивлении R H в цепи коллектора Р К = I К U КБ гораздо больше мощности в цепи эмиттера Р Э = I К U ЭБ.
Сигнал в цепи коллектора по характеру изменения тока повторяет сигнал цепи эмиттера, но по мощности значительно его превосходит, т. е. транзистор – усилитель.
· Устройство, работа и подключение p-n-p и n-p-n транзисторов аналогичны с той лишь разницей, что источники питания U БЭ и U КБ для n-p-n транзистора включают в обратной полярности и основными носителями в нём являются электроны.
· Усиление происходит за счёт энергии внешнего источника питания U КБ и закон сохранения энергии не нарушается.
· Транзисторные усилители широко применяют в радиоэлектронике.
|
|
Механическое удерживание земляных масс: Механическое удерживание земляных масс на склоне обеспечивают контрфорсными сооружениями различных конструкций...
История развития хранилищ для нефти: Первые склады нефти появились в XVII веке. Они представляли собой землянные ямы-амбара глубиной 4…5 м...
Адаптации растений и животных к жизни в горах: Большое значение для жизни организмов в горах имеют степень расчленения, крутизна и экспозиционные различия склонов...
Типы оградительных сооружений в морском порту: По расположению оградительных сооружений в плане различают волноломы, обе оконечности...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!