История развития хранилищ для нефти: Первые склады нефти появились в XVII веке. Они представляли собой землянные ямы-амбара глубиной 4…5 м...
Своеобразие русской архитектуры: Основной материал – дерево – быстрота постройки, но недолговечность и необходимость деления...
Топ:
Генеалогическое древо Султанов Османской империи: Османские правители, вначале, будучи еще бейлербеями Анатолии, женились на дочерях византийских императоров...
Организация стока поверхностных вод: Наибольшее количество влаги на земном шаре испаряется с поверхности морей и океанов...
Методика измерений сопротивления растеканию тока анодного заземления: Анодный заземлитель (анод) – проводник, погруженный в электролитическую среду (грунт, раствор электролита) и подключенный к положительному...
Интересное:
Наиболее распространенные виды рака: Раковая опухоль — это самостоятельное новообразование, которое может возникнуть и от повышенного давления...
Инженерная защита территорий, зданий и сооружений от опасных геологических процессов: Изучение оползневых явлений, оценка устойчивости склонов и проектирование противооползневых сооружений — актуальнейшие задачи, стоящие перед отечественными...
Влияние предпринимательской среды на эффективное функционирование предприятия: Предпринимательская среда – это совокупность внешних и внутренних факторов, оказывающих влияние на функционирование фирмы...
Дисциплины:
2017-12-20 | 450 |
5.00
из
|
Заказать работу |
По функциональному назначению микросхемы памяти подразделяют на оперативные (ОЗУ) и постоянные (ПЗУ).
Информационная емкость микросхемы Е определяет общее количество бит информации, которое может храниться в микросхеме.
Основной составной частью микросхемы ОЗУ (рис. 6.7) является массив элементов памяти, объединенных в матрицу накопителя. Один элемент памяти (ЭП) хранит один бит (лог. "0" или дог. "1") информации.
Например, если матрица содержит 1024 элемента памяти, то информационная емкость Е микросхемы равна Е = 1024 бит = 1 Кбит.
Микросхема содержит различные контакты, которые служат для подачи информационных, адресных, выходных, управляющих сигналов и т.п. Для входа и вывода информации служит контакт "вход-выход" микросхемы. Для управления режимом микросхемы используются контакты "Режим микросхемы" и "Запись-считывание" (вход ЗП/СЧ).
Рис. 6.6. Микросхема памяти ОЗУ как функциональный узел
Например, у микросхем типа К573РФ5 (РПЗУ УФ) стирание производят облучением кристалла микросхемы ультрафиолетовым светом (длина волны менее 400 нм) через кварцевое окно в крышке корпуса. Микросхема либо облучается в составе модуля ЗУ (источники питания отключены), либо снимается с печатной платы и подвергается облучению в камере источником УФ в течение 30 мин, после чего ее можно перепрограммировать (репрограммировать).
Следует отметить ряд особенностей работы данных РПЗУ. Во-первых, вследствие постепенного "рассасывания" заряда, хранящегося на границе раздела двух диэлектрических слоев и "стекающего" через изолирующий окисел, время хранения информации ограничено (для микросхемы типа К573РФ5 – до 105 часов). Во-вторых, число циклов перезаписи также ограничено (25 100), так как при каждом цикле репрограммирования изолирующий окисел подвергается воздействиям высоких электрических полей, потоков, высокоэнергетичных электронов и т. п., разрушающих его структуру.
Каждая элементарная ячейка памяти накопителя, ответственная за 1 бит информации, представляет собой МОП-транзистор, который расположен в прямоугольной матрице размерами.
Рассмотрим принципы построения микросхемы с многоразрядной словарной организацией, например, на основе схемы К573РФ5.
Микросхема К573РФ5 с информационной емкостью Е º 2K = 2Кбайт = 2·8·1024 бит = 16384 бит имеет матрицу из 16384 транзисторов, сформированных в квадратную структуру NX · NY = 128х128 штук. Технологически, накопитель (матрица) разбит на восемь секций по 128х16 элементов памяти в каждой (рис. 6.7).
Рис. 6.7. Матрица памяти микросхемы
В каждом элементе памяти (транзисторе) может присутствовать (логическая лог. "1") или отсутствовать (лог. "0") информация.
Описание установки и процедуры испытаний
Объекты исследования
В работе исследуются: микросхемы:
– ситалловые подложки (полуфабрикаты промышленного производства) с нанесенными алюминиевыми резисторами в форме меандра;
- гибридные микросхемы на ситалловой подложке с навесными диодами или биполярными микротранзисторами;
- кремниевые подложки (полуфабрикаты промышленного производства) с подготовленной микросхемой типа операционного усилителя на биполярных транзисторах;
- микросхемы отечественного и зарубежного производства, представляющие собой РПЗУУФ (матрицу памяти) информационной емкостью
E = 2 К, E = 4 К и другие,допускающие стирание ультрафиолетовым светом.
Оптические микроскопы
Исследование проводится с помощью микроскопов установок типа МИР и МИМ, схематично изображенных на рис. 6.8.
На установке МИР (рис. 6.8, а) имеются штатные окуляр и объектив, не требующие подсветки. Перемещение окуляра (объектива) над образцами производится с помощью вращения рукоятки, связанной с нониусной шкалой.
а) б)
Рис. 6.8. Условное изображение микроскопов МИР (а) и МИМ (б)
Микроскоп МИМ сформирован на штатной установке (рис. 6.8, б); питание МИМ производится последовательным включением тумблера ″Сеть″ и ″Лампа″. Вертикальное движение окуляра над образцом осуществляется с помощью ручки подъема и фиксатора. Горизонтальное перемещение окуляра над образцом производится соответствующими рукоятками.
Семя – орган полового размножения и расселения растений: наружи у семян имеется плотный покров – кожура...
Автоматическое растормаживание колес: Тормозные устройства колес предназначены для уменьшения длины пробега и улучшения маневрирования ВС при...
Адаптации растений и животных к жизни в горах: Большое значение для жизни организмов в горах имеют степень расчленения, крутизна и экспозиционные различия склонов...
Таксономические единицы (категории) растений: Каждая система классификации состоит из определённых соподчиненных друг другу...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!