Особенности сооружения опор в сложных условиях: Сооружение ВЛ в районах с суровыми климатическими и тяжелыми геологическими условиями...
Биохимия спиртового брожения: Основу технологии получения пива составляет спиртовое брожение, - при котором сахар превращается...
Топ:
Методика измерений сопротивления растеканию тока анодного заземления: Анодный заземлитель (анод) – проводник, погруженный в электролитическую среду (грунт, раствор электролита) и подключенный к положительному...
Теоретическая значимость работы: Описание теоретической значимости (ценности) результатов исследования должно присутствовать во введении...
Оценка эффективности инструментов коммуникационной политики: Внешние коммуникации - обмен информацией между организацией и её внешней средой...
Интересное:
Лечение прогрессирующих форм рака: Одним из наиболее важных достижений экспериментальной химиотерапии опухолей, начатой в 60-х и реализованной в 70-х годах, является...
Наиболее распространенные виды рака: Раковая опухоль — это самостоятельное новообразование, которое может возникнуть и от повышенного давления...
Как мы говорим и как мы слушаем: общение можно сравнить с огромным зонтиком, под которым скрыто все...
Дисциплины:
2017-11-27 | 183 |
5.00
из
|
Заказать работу |
|
|
Рис. 1 17. Потенциальный барьер U, отделяющий
Два соседних узла решетки, один из которых
Занят атомом А, другой вакансией В
Для того чтобы атом А мог переместиться в соседний узел В, необходимо, чтобы этот узел был свободен. Диффузия чужеродных (примесных) атомов в решетке может протекать как по вакансиям, так и по междоузлиям.
Диффузионное уравнение. Процесс диффузии описывается двумя законами Фика.
Первый закон Фика утверждает, что плотность диффузионного потока примеси J пропорциональна градиенту концентрации примеси:
(1.16)
Коэффициент пропорциональности D называется коэффициентом диффузии и измеряется в м2/с. Знак «—» указывает на то, что диффузионный поток направлен в сторону убывания концентрации.
Скорость изменения концентрации с течением времени (dN/dt), выражается вторым законом Фика:
(1.17)
Если D не зависит от N, то (1.17) можно переписать так:
(1.18)
Дифференциальное уравнение (1.17) или (1.18) называется диффузионным.
РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ПРИМЕСИ В ЧАСТНЫХ СЛУЧАЯХ ДИФФУЗИОННОГО ПРОЦЕССА
Диффузия из источника с постоянной поверхностной концентрацией.
Диффузия из тонкого слоя с фиксированным количеством примеси.
Рис. 1.19. Диффузия из источника с постоянной поверхностной концентрацией (а) и из тонкого слоя с фиксированным количеством примеси (б)
Диффузия из источника с постоянной поверхностной концентрацией.
Решение уравнения (1.18) имеет следующий вид:
(1.19)
Где
(1.20)
Представляет собой интеграл ошибок Гаусса, а
(1.21)
Есть дополнительная функция интеграла ошибок.
Диффузия из тонкого слоя с фиксированным количеством примеси N0 атомов на единицу поверхности, нанесенной на поверхность кристалла, (рис. 1.19, б). На рис. 1.19, б показаны кривые распределения примеси в кристалле для различных моментов времени.
|
ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ КОЭФФИЦИЕНТА ДИФФУЗИИ.
Коэффициент диффузии экспоненциально зависит от температуры, резко увеличиваясь с ее ростом. В полулогарифмических координатах lg D (1/Т) зависимость D(Т) выражается прямой (рис.1.20).
Рис. 1.20. Зависимость коэффициента диффузии D некоторых химических элементов в кремнии от температуры
(1.25)
Здесь D0 - предэкспоненциaльный множитель,
Q —числитель показателя экспоненты - энергия активации процесса диффузии, R — универсальная газовая постоянная, k – постоянная Больмана.
ПОВЕРХНОСТНАЯ ДИФФУЗИЯ.
Рис. 1.21. Схематическое изображение структуры реальной поверхности кристалла:
1 — одиночный собственный атом на поверхности;
2 — одиночный чужеродный атом;
3 — собственный атом на плоскости ступеньки;
4 — то же на краю ступеньки;
5 — то же в углу ступеньки;
6 — чужеродный атом в углу ступеньки;
7 — скопление из двух собственных атомов на выступе ступеньки, 8 — то же на поверхности;
9 — вакансия;
Скопление вакансий
ДЕФОРМАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА
КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ТЕЛ
На рис. 1.28 показано возникновение и развитие остаточной деформации в кристалле под действием сдвигающей силы. (рис. 1.28, б). После снятия внешней нагрузки одна часть кристалла остается смещенной относительно другой (рис. 1.28, г).
В кристалле существуют избранные плоскости и направления, по которым протекает процесс скольжения, рис. 1.29.
Рис. 1.28. Деформация кристалла под действием внешней силы:а) - ненапряженный кристалл; б) — упругая деформация,; в) —пластический сдвиг (скольжение), г) —остаточная деформация
Рис. 1.29. Плоскости и направления скольжения
РЕКРИСТАЛЛИЗАЦИЯ
При рекристаллизации возникают и растут новые кристаллы. Происходит изменение микроструктуры образца и переход его из монокристаллического в поликристаллическое состояние.
|
Подавляющее большинство реальных твердых тел представляют собой поликристаллические агрегаты, состоящие из огромного числа кристалликов, произвольно ориентированных и прочно сросшихся между собой (рис.1.30).
Рис. 1.30. Структура поликристалла
ДИСЛОКАЦИИ
Основным механизмом пластического течения кристаллов является сдвигообразование.
Рис. 1.36. Расположение атомов в плоскости,
|
|
Архитектура электронного правительства: Единая архитектура – это методологический подход при создании системы управления государства, который строится...
Историки об Елизавете Петровне: Елизавета попала между двумя встречными культурными течениями, воспитывалась среди новых европейских веяний и преданий...
Механическое удерживание земляных масс: Механическое удерживание земляных масс на склоне обеспечивают контрфорсными сооружениями различных конструкций...
Своеобразие русской архитектуры: Основной материал – дерево – быстрота постройки, но недолговечность и необходимость деления...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!