Семя – орган полового размножения и расселения растений: наружи у семян имеется плотный покров – кожура...
Своеобразие русской архитектуры: Основной материал – дерево – быстрота постройки, но недолговечность и необходимость деления...
Топ:
Выпускная квалификационная работа: Основная часть ВКР, как правило, состоит из двух-трех глав, каждая из которых, в свою очередь...
Особенности труда и отдыха в условиях низких температур: К работам при низких температурах на открытом воздухе и в не отапливаемых помещениях допускаются лица не моложе 18 лет, прошедшие...
История развития методов оптимизации: теорема Куна-Таккера, метод Лагранжа, роль выпуклости в оптимизации...
Интересное:
Лечение прогрессирующих форм рака: Одним из наиболее важных достижений экспериментальной химиотерапии опухолей, начатой в 60-х и реализованной в 70-х годах, является...
Национальное богатство страны и его составляющие: для оценки элементов национального богатства используются...
Что нужно делать при лейкемии: Прежде всего, необходимо выяснить, не страдаете ли вы каким-либо душевным недугом...
Дисциплины:
2017-11-27 | 214 |
5.00
из
|
Заказать работу |
|
|
Проводимость полупроводников является следствием внешнего фактора внешнего фактора, сообщающего электронам валентной зоны энергию, достаточную для перехода их в зону проводимости.
Мгновенный ток, создаваемый одним электроном, движущимся со скоростью v, равен
I = — qv. (рис. 5.7).
Результирующий ток, создаваемый всеми электронами валентной зоны, I = — q å v, где суммирование проводится по всем состояниям, занятым электронами.
Рис 5 7 Иллюстрация понятия дырки в валентной зоне
Фиктивным частицам с положительным зарядом + q (называемые дырками), приписывается положительная эффективная масса, численно равная отрицательной эффективной массе электрона.
ПРИМЕСНЫЕ УРОВНИ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ
Полупроводники всегда содержат примесные атомы, создающие свои энергетические уровни, называемые примесными; они могут располагаться как в разрешенной, так и в запрещенной зонах на различном расстоянии от потолка валентной зоны или дна зоны проводимости.
Донорные уровни. Германий имеет решетку типа алмаза, в которой каждый атом окружен четырьмя ближайшими соседями, связанными с ним валентными силами. Если в кристалле германия часть атомов замещена атомами пятивалентного мышьяка, то для установления связей атом мышьяка расходует 4 валентных электрона (рис. 5.8, а). Пятый электрон в образовании связи не участвует. Такой электрон отрывается от атома и приобретает способность свободно перемещаться по кристаллу, (рис. 5.8, б) .
Рис. 5.8. Возбуждение носителей заряда полупроводниках
а) Т =0 К; б)при Т >0 К ионизация атома пятивалентного элемента приводит к образованию электрона проводимости, в)— энергетические уровни пятых электронов мышьяка, представляющие собой донорные уровни. Эти уровни размещаются непосредственно у дна зоны проводимости на малом расстоянии Ед» 0,01 эВ. При сообщении электронам примесных уровней энергии Ед они переходят в зону проводимости. Неподвижные положительно заряженные ионы в электропроводности не участвуют.
|
Акцепторные уровни. Если в решетке часть атомов замещена атомами трехвалентного элемента (рис. 5.9, а)., то для образования связи с четырьмя ближайшими соседями не хватает одного электрона. Разорванная связь представляет собой дырку (рис. 5.9, б), так как она соответствует образованию в валентной зоне германия вакантного состояния.
На рис. 5.9, впоказана зонная структура германия, легированного трёхвалентным элементом. У потолка валентной зоны располагаются незаполненные уровни атомов индия. При относительно невысоких температурах электроны из валентной зоны переходят на примесные уровни. Свободными носителями заряда являются «дырки», возникшие в валентной зоне.
Рис. 5 9. Возбуждение носителей заряда в примесных р -полупроводниках: a —Т =0 К; б) — при Т >0 К электроны переходят на неукомплектованные связи примесных атомов, образуя ион индия и незаполненный уровень (дырку) в валентной зоне; в—акцепторные уровни при Т >0 К, дырки в валентной зоне
Глубокие примесные уровни. Некоторые примеси создают в полупроводниках примесные уровни, расположенные далеко от границ энергетических зон. Такие уровни называются глубокими. В кремнии и германии подобные уровни создают атомы золота, меди, марганца, железа и др.
|
|
Биохимия спиртового брожения: Основу технологии получения пива составляет спиртовое брожение, - при котором сахар превращается...
Опора деревянной одностоечной и способы укрепление угловых опор: Опоры ВЛ - конструкции, предназначенные для поддерживания проводов на необходимой высоте над землей, водой...
Папиллярные узоры пальцев рук - маркер спортивных способностей: дерматоглифические признаки формируются на 3-5 месяце беременности, не изменяются в течение жизни...
Поперечные профили набережных и береговой полосы: На городских территориях берегоукрепление проектируют с учетом технических и экономических требований, но особое значение придают эстетическим...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!