Состав сооружений: решетки и песколовки: Решетки – это первое устройство в схеме очистных сооружений. Они представляют...
Историки об Елизавете Петровне: Елизавета попала между двумя встречными культурными течениями, воспитывалась среди новых европейских веяний и преданий...
Топ:
Выпускная квалификационная работа: Основная часть ВКР, как правило, состоит из двух-трех глав, каждая из которых, в свою очередь...
Проблема типологии научных революций: Глобальные научные революции и типы научной рациональности...
Характеристика АТП и сварочно-жестяницкого участка: Транспорт в настоящее время является одной из важнейших отраслей народного...
Интересное:
Влияние предпринимательской среды на эффективное функционирование предприятия: Предпринимательская среда – это совокупность внешних и внутренних факторов, оказывающих влияние на функционирование фирмы...
Инженерная защита территорий, зданий и сооружений от опасных геологических процессов: Изучение оползневых явлений, оценка устойчивости склонов и проектирование противооползневых сооружений — актуальнейшие задачи, стоящие перед отечественными...
Национальное богатство страны и его составляющие: для оценки элементов национального богатства используются...
Дисциплины:
2017-10-17 | 374 |
5.00
из
|
Заказать работу |
|
|
Попадающий на мишень электронный луч создает заряд, равный произведению тока на время экспонирования. Полезное действие луча на поверхность мишени можно выразить через число электронов, приходящееся на единицу площади, которое необходимо для получения нужного эффекта. Так, каждый резист характеризуется пороговой дозой S, измеряемой в кулонах на квадратный сантиметр. Время, необходимое для экспонирования пятна диаметром ds лучом с плотностью тока Js на поверхности мишени, равно
ts = = S/Js.
Например, чтобы экспонировать резист с S=8 • 10-5 Кл/см2 требуется примерно S*1014 электрон/см2; в этом случае достигается разрыв (или сшивание) такого количества химических связей в полимере, что обеспечивается проявление с желаемой контрастностью. Чем меньше значение S, тем выше чувствительность резиста, т. е. для достижения нужного эффекта в резисте требуется меньшее число электронов. Поэтому чувствительность резиста строго определяет скорость экспонирования в процессе электронно-лучевой литографии.
Существенное ограничение на разрешающую способность накладывает расширение экспонированной линии в резисте, вызываемое рассеянием электронов, поскольку ширина линии оказывается больше диаметра пятна.
Хорошо известно, что попадающие в твердый материал электроны могут рассеиваться под большими углами вследствие упругих столкновений с атомными ядрами материала; рассеян не приблизительно пропорционально атомному номеру Z [21, 68]. Пробег электронов в резисте обычно много больше толщины слоя резиста, поэтому электроны проходят сквозь резист в подложку (например, кремниевую), характеризующуюся большим (относительно резиста) атомным номером. По этой причине рассеяние происходит главным образом в подложке. Значительная часть электронов отражается и возвращается в резист, причем электроны имеют достаточную для экспонирования энергию. В результате образуется широкая по сравнению с диаметром падающего электронного луча экспонированная область.
|
Эффект рассеяния обусловливает принципиальное ограничение минимальной ширины линий, формируемых е помощью электронно-лучевой литографии. Кроме того, некоторые резисты способны изменять форму рисунка — набухают или дают усадку при проявлении, что отражается на размерах элементов рисунка.
Помимо рассеяния электронов существует другой эффект, ограничивающий минимальную ширину формируемых линий [22]; этот эффект зависит от чувствительности резиста и обусловлен главным образом статистическим характером потока электронов. Эффект будет рассмотрен в гл. 2, однако здесь полезно дать его качественное описание. Как было показано, экспонирование резиста характеризуется числом электронов, падающих на единицу площади, т. е. S = eNe/A, где Ne — число электронов, попадающих на площадь А. Численно это составляет для A = (0,1 см)2 и 5=10"7 Кл/см2
электронов. Однако если A = (0,01 мкм)2, то для того же резиста Ne~ 0,6электрона.
Поэтому концепция постоянной чувствительности резиста недействительна, когда дискретная экспонируемая область очень мала. На каждую минимальную экспонируемую область (элемент разложения) должно приходиться некоторое минимальное число электронов.
Это число грубо можно определить следующим образом. Эмиссия электронов с катода представляет собой случайный (во времени) процесс, а не последовательность равномерно-распределенных во времени событий. Поскольку число электронов, попадающих на поверхность за время t(Ns = ~ Jt/e), велико, неопределенность этого числа составляет У Ns. Это означает, что реально число электронов может изменяться в интервале Jtje±^Jt!e. Поэтому отношение необходимого числа электронов к значению неопределенности составляет Nsj\ANS = V~ Ns и напоминает отношение сигнал-шум. Для полной уверенности в том, что резист экспонирован должным образом, отношение должно быть большим (примерно 10), т. е. минимальное число электронов, которые определенно попадают «а данный участок, составляет Nm = = 102. Поэтому в областях с малыми размерами минимальная ширина линии связана с пороговой дозой выражением
|
( (1.1)
Выражение (1.1) показывает, что очень чувствительные резисты не пригодны для формирования структур с высокой разрешающей способностью, если только на область с малыми размерами не попадает число электронов, существенно большее Минимального.
|
|
Состав сооружений: решетки и песколовки: Решетки – это первое устройство в схеме очистных сооружений. Они представляют...
Своеобразие русской архитектуры: Основной материал – дерево – быстрота постройки, но недолговечность и необходимость деления...
Семя – орган полового размножения и расселения растений: наружи у семян имеется плотный покров – кожура...
Особенности сооружения опор в сложных условиях: Сооружение ВЛ в районах с суровыми климатическими и тяжелыми геологическими условиями...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!