Историки об Елизавете Петровне: Елизавета попала между двумя встречными культурными течениями, воспитывалась среди новых европейских веяний и преданий...
История создания датчика движения: Первый прибор для обнаружения движения был изобретен немецким физиком Генрихом Герцем...
Топ:
Марксистская теория происхождения государства: По мнению Маркса и Энгельса, в основе развития общества, происходящих в нем изменений лежит...
Оценка эффективности инструментов коммуникационной политики: Внешние коммуникации - обмен информацией между организацией и её внешней средой...
Организация стока поверхностных вод: Наибольшее количество влаги на земном шаре испаряется с поверхности морей и океанов...
Интересное:
Что нужно делать при лейкемии: Прежде всего, необходимо выяснить, не страдаете ли вы каким-либо душевным недугом...
Наиболее распространенные виды рака: Раковая опухоль — это самостоятельное новообразование, которое может возникнуть и от повышенного давления...
Финансовый рынок и его значение в управлении денежными потоками на современном этапе: любому предприятию для расширения производства и увеличения прибыли нужны...
Дисциплины:
2017-10-17 | 297 |
5.00
из
|
Заказать работу |
|
|
На рис. 7 для ряда приборов, изображенных на рис. 6, показана зависимость некоторых важных рабочих характеристик от соответствующих критических параметров или размеров электрода. Предельная рабочая частота СВЧ полевого транзистора (см. рис. 6, а) ограничивается временем переноса носителей между истоком и стоком, а также определенными паразитными сопротивлениями и емкостями прибора.
В приборах с малой длиной затвора электрическое поле должно быть достаточно сильным для того, чтобы скорость носителей (у8) достигала уровня насыщения и максимальная предельная частота определялась выражением /тах = = vsjnL [60]. Буква L на рис. 7 представляет критическую длину для каждого типа прибора и в случае полевого транзистора L является длиной канала. Зависимость fmax от L показана на рис. 7 двумя верхними линиями, соответствующими скорости носителей в пике зависимости vs от уровня легирования для арсенида галлия и уровню насыщения поля для арсенида галлия и кремния. Из этих теоретических кривых (при расчетах не учитывались паразитные эффекты) видно, что при длине затвора менее 0,7 мкм можно достичь предельной частоты свыше 100 ГГц
Ряд точек взят из работ [2—4, 34, 43]; ромбами показаны СВЧ полевые транзисторы на арсениде галлия и перевернутыми треугольниками — СВЧ полевые транзисторы на кремнии. На ординате показана максимальная или предельная частота, обычно определяемая путем экстраполяции данных по максимальному коэффициенту усиления.
Все приборы изготовлены методом фотолитографии. Наименьшая длина затвора (0,5 мкм) получена с помощью особой методики, позволившей приблизить возможности ФЛ к теоретическим пределам. По тому, как с уменьшением L возрастает отклонение точек от линий времени пролета носителей, видно, что паразитные эффекты также являются существенными факторами, определяющими характеристики прибора при малых размерах.
|
Основное ограничение предельной частоты для линий задержки на поверхностных акустических волнах (ПАВ) определяется достижимыми размерами промежутка между электродами, образующими встречно-гребенчатую структуру преобразователя (см. рис. 6, б).
В основной моде (π) рабочая частота преобразователя f = v/p, где v — скорость ПАВ и р — шаг структуры (р = А,— длине волны на кристалле). В простом случае p=4L, где L — ширина электрода и ширина зазора; f=v/4L (это соотношение дано на рис. 7 для скоростей волн, характерных для ниобата лития). Показанные рядом с этой линией точки представляют фильтр со сжатием импульса, имеющий 650 электродов шириной 0,5 мкм и изготовленный с применением серийной ЭЛУ [67], линию задержки с рабочей частотой 2,5 ГГц [42], преобразователи с рабочими частотами 3,5 |[42] и 4,1 ГГц [70]. Точки отклоняются от прямой, поскольку ширина электродов фактически была меньше 1/4 длины волны сигнала.
Уменьшение потребляемой мощности и времени задержки для транзисторов и НС с меньшими размерами представлено на рис. 8. Здесь L — критический размер, т. е. длина затвора ПТ и минимальный размер элемента в И2Л-схеме. Три ромба соответствуют задержке распространения сигнала на одну ступень в кольцевых осцилляторах, выполненных на 11 кремниевых ПТ с изолированными затворами с различной длиной, сформированными методом ЭЛЛ [23]. С применением электронно-лучевой литографии сформированы также кремниевые ПТ с барьером Шоттки (для логических схем НЕ—И с задержкой распространения 100 нс [50,51]).
Эти приборы характеризуются значением произведения мощности на задержку 0,1 пДж. Сплошная кривая, обозначенная КМОП/КНС, представляет время задержки на одну ступень для последовательно включенных кольцевых осцилляторов с различной длиной затвора, изготовленных с помощью рентгенолитографии [57]. Незачерненные кружки характеризуют КМОП/КНС-кольцевые осцилляторы; штриховая линия относится к приборам, изготовленным фотолитографией [35] и отличающимся длиной затвора в 2 раза; отдельный кружок относится к прибору, изготовленному с применением ЭЛЛ [46]; зачерненные квадраты характеризуют кремниевые ПТ с барьером Шоттки [17]. Двумя отдельными крестами обозначены И1 2 *Л-схемы, выполненные с применением ЭЛЛ и ФЛ [20]. Кресты на штриховой линии представляют кольцевые осцилляторы на ПТ с барьером Шотки, имеющих длину затвора 1,0 и 0,5 мкм, изготовленные с применением ЭЛЛ [27]; произведение мощности на задержку для этих приборов равно 1,4 пДж. Следует отметить, что наклон линий на рис. 8 близок к Lrx.
|
Коэффициент шума ПТ в первом приближении обратно пропорционален предельной частоте, которая, в свою очередь, обратно пропорциональна L., следовательно, шумы убывают с уменьшением длины затвора [52]. Этот эффект проверен экспериментально. Нижний график на рис. 8 характеризует коэффициент шума СВЧ GaAs-полевых транзисторов с барьером Шоттки на частоте 8 ГГц [13]. Полевой транзистор на арсениде галлия с длиной затвора 5 мкм наилучшим образом применим для входных цепей малошумящего СВЧ приемника, а по коэффициенту шума уступает только более сложному параметрическому усилителю.
Как показано на рис. 6, в, электронно-лучевая литография пригодна для формирования элементов интегральной оптики — световодов и пассивных элементов (направленных ответвителей, гибридных структур и т. д.). Электронно-лучевое экспонирование резиста позволяет создавать на подложке узкие линии с неровностью края менее 50 нм — лучше, чем с применением других способов.
В приборах с зарядовой связью (см. рис. 6, в) малый зазор между электродами обеспечивает малые потери при переносе заряда, а рабочая частота прибора повышается с уменьшением ширины электродов. Можно показать, что максимальная рабочая частота изменяется приблизительно пропорционально 1/L2 (L— ширина электродов). Тактовая частота зависит от площади структуры прибора, следовательно, произведение мощности на задержку уменьшается приблизительно в L 4 раз (при условии уменьшения размеров только в плане). Помимо перечисленных приборов уменьшение размеров элементов позволяет также улучшить характеристики биполярных транзисторов, приборов на сверхпроводящих переходах Джозефсона, схем И2Л и т. д.
|
|
Состав сооружений: решетки и песколовки: Решетки – это первое устройство в схеме очистных сооружений. Они представляют...
Таксономические единицы (категории) растений: Каждая система классификации состоит из определённых соподчиненных друг другу...
Механическое удерживание земляных масс: Механическое удерживание земляных масс на склоне обеспечивают контрфорсными сооружениями различных конструкций...
Индивидуальные и групповые автопоилки: для животных. Схемы и конструкции...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!