RAS(Row Adress Strobe) - сигнал, определяющий адрес строки. — КиберПедия 

Опора деревянной одностоечной и способы укрепление угловых опор: Опоры ВЛ - конструкции, предназначен­ные для поддерживания проводов на необходимой высоте над землей, водой...

Общие условия выбора системы дренажа: Система дренажа выбирается в зависимости от характера защищаемого...

RAS(Row Adress Strobe) - сигнал, определяющий адрес строки.



CAS(Column Adress Strobe) - сигнал, определяющий адрес столбца.

CAS Latency(CAS)- это количество тактов от момента запроса данных до их считывания с модуля памяти. Одна из важнейших характеристик модуля памяти.

RAS to CAS Delay(TRCD) - задержка между сигналами RAS и CAS. Как мы уже сказали, обращения к строкам и столбцам происходят отдельно друг от друга. Этот параметр определяет отставание одного сигнала от другого.

Row Precharge Delay(TRP) - задержка, необходимая на подзарядку емкостей ячеек памяти. Производится или закрытие целой строки.

Activate to Precharge(TRAS) - время активности строба. Минимальное количество циклов между командой активации (RAS) и командой подзарядки (Precharge) или закрытия одного и того же банка.

Чем ниже эти тайминги, тем соответственно лучше: память будет работать быстрее с низкими задержками. А вот насколько лучше и насколько быстрее, надо проверить.

Память для скорости

BIOS современных материнских плат позволяет вручную менять значения таймингов. Главное - чтобы модули памяти поддерживали эти значения. По умолчанию значения таймингов "прошиты" в SPD чипах модулей и материнская плата автоматически выставляет рекомендованные производителем значения. Но энтузиастам ничто не мешает снизить задержки вручную, немного разогнав память. Часто это приводит к нестабильной работе. Поэтому, чтобы сравнить влияние таймингов на скорость, мы возьмём очень быструю память и будем безопасно её затормаживать, меняя те или иные задержки.

Компания OCZ, признанный авторитет в производстве модулей памяти для аксессуаров, сегодня выпускает очень быстрые модули DDR-II. Большинство производителей памяти DDR-II используют задержки 4-4-4-12 или 4-5-5-12. Это позволяет менее качественным и, соответственно, более дешёвым чипам памяти работать на заявленных частотах. Как правило, снизить задержки из BIOS в этих модулях не удаётся. Мы приняли решение использовать память OCZ PC2-5400 Titanium, имеющую тайминги 4-2-2-8.

Память OCZ серии Titanium может похвастаться тем, что на неё установлены медные распределители тепла с титановым покрытием. По утверждению компании OCZ, каждый модуль памяти перед продажей тестируется на стабильность, что исключает попадание брака на прилавки магазинов. А кроме того, при штатном напряжении памяти DDR-2 равным 1.8 Вольт, память OCZ Titanium рассчитана на работу при напряжении 2.1 Вольт. То есть, для энтузиастов и оверклокеров разгон практически гарантирован. Несмотря на то, что память OCZ Titanium рассчитана на частоту 667 МГц, мы будем тестировать её на стандартной для современных компьютеров частоте 533 МГц, чтобы отражать реальную скорость, хотя, конечно, велик соблазн разогнать такую красоту.



Два модуля памяти OCZ Titanium PC2-5400 объёмом по 512 Мб готовы и ждут своей очереди.

Теперь осталось подобрать хорошую тестовую платформу. Мы решили использовать компьютер, собранный на базе barebone-платформы Shuttle SB95P V2.

Это современная платформа, рассчитанная на использование в компьютерах с высокой производительностью. Она построена на чипсете Intel i925X, который имеет поддержку памяти только DDR-2, и при том использует технологии оптимизации PAT. В этом компьютере очень хорошо просчитана вентиляция, так что за перегрев нам не пришлось бояться.

Тестовая система

  • Intel Pentium 4 2.8 GHz (800 MHz FSB, 1024 Kb L2, LGA 775)
  • 80 Gb Maxtor DiamondMax 9 (7200 RPM, 8 Mb) S-ATA
  • SAPPHIRE RX600 PRO 128 Mb PCI Express
  • Windows XP Professional (Eng.) SP2
  • CATALYST 5.3

Тестировать память надо в разных приложениях, чтобы увидеть разницу в скорости или наоборот показать, что её нет. Здесь нам потребуются следующие тесты:

· Синтетика

o RightMark Memory Analyzer

o SiSoft Sandra 2005

· Эмуляция реальных задач

o PCMark 2004 patch 120

o 3DMark 03

· Тест RealWorld

o SYSMark2004

Чтобы лучше показать разницу между разными задержками памяти, будем использовать максимальные задержки. По умолчанию память работала с установками 4-2-2-8. Максимум, до чего материнская плата позволяла затормозить память - это 5-5-5-15. Мы провели тесты, поочерёдно меняя каждую из величин таймингов.

RightMark Memory Analyzer






Общие условия выбора системы дренажа: Система дренажа выбирается в зависимости от характера защищаемого...

Механическое удерживание земляных масс: Механическое удерживание земляных масс на склоне обеспечивают контрфорсными сооружениями различных конструкций...

Опора деревянной одностоечной и способы укрепление угловых опор: Опоры ВЛ - конструкции, предназначен­ные для поддерживания проводов на необходимой высоте над землей, водой...

Поперечные профили набережных и береговой полосы: На городских территориях берегоукрепление проектируют с учетом технических и экономических требований, но особое значение придают эстетическим...





© cyberpedia.su 2017 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав

0.005 с.