Описание принципиальной схемы исследуемого усилителя — КиберПедия 

Своеобразие русской архитектуры: Основной материал – дерево – быстрота постройки, но недолговечность и необходимость деления...

Эмиссия газов от очистных сооружений канализации: В последние годы внимание мирового сообщества сосредоточено на экологических проблемах...

Описание принципиальной схемы исследуемого усилителя

2017-09-28 222
Описание принципиальной схемы исследуемого усилителя 0.00 из 5.00 0 оценок
Заказать работу

Исследуемое усилительное устройство с ОС состоит из пяти каскадов, из которых четыре входят в состав собственно усилителя, а один относится к цепи ОС.

Усилитель содержит два резисторных каскада предварительного усиления на транзисторах VI и V4 (риc. 4.1), включенных по схеме с ОЭ, из которых первый является входным, а второй – предвыходным каскадом. В качестве элемента связи у входного каскада используется резистор R5, а у предвыходного каскада в зависимости от положения тумблера S6 – резистор R14 или генератор стабильного тока (ГСТ), состоящий из транзистора V3 и находящегося в его эмиттерной цепи резистора R12.

С помощью тумблера S5 осуществляется шунтирование резистора эмиттерной стабилизации R15 блокировочным конденсатором С5 в целях увеличения коэффициента усиления предварительного каскада вследствие исключения местной последовательной по току ОС.

Транзисторы VI, V2, V4 (а также V3) работают в режиме А, поскольку они входят в состав однотактных каскадов.

Последующая часть усилителя представляет собой группу из двух составных, попарно комплементарных транзисторов V6, V8 и V7, V9, включенных по схеме с ОЭ [1, рис. 4.19, б и 6.27]. Эти пары образуют двухтактную схему, транзисторы которой работают в режиме В. В качестве элементов связи между транзисторами первой и второй пары используются резисторы R16 и R19. При этом транзисторы верхнего (V6) и нижнего (V7) плеч охвачены местной ОС, последовательной по току, через резисторы R17 и R18. Кроме того, находящиеся в эмиттерных цепях транзисторовV8, V9 резисторы R20, R21 также создают местную ОС, последовательную по току.

Резисторы R17, R18, R20, R21способствуют симметричности плеч каскада, а R20, R21 – защите от влияния перегрузки при избыточно сильном сигнале. Диод V5 предназначен для получения напряжения смещения на базах выходных транзисторов и стабилизации их коллекторного тока покоя.

Ввиду того, что питание усилителя ведется от однополярного источника в выходной цепи расположен разделительный конденсатор С6, через который выходной сигнал передается внешней нагрузке R , в качестве которой в зависимости от положения переключателя S7 используется один из резисторов R23–R25.

Для измерения постоянной составляющей (среднего значения) коллекторного тока, потребляемого транзистором V8 (также и V9), используется прибор РАI (рис. 4.1).

В исследуемом устройстве цепь общей ОС (последовательная по напряжению) охватывает все каскады усилителя, причем она действует как по сигналу, так и по стабилизации постоянного напряжения (рис. 4.2).

Рис. 4.1. Принципиальная схема для лабораторной работы 4 «Исследование
транзисторного бестрансформаторного усилителя мощности с обратной связью»

 

Цепь ОС по сигналу при замкнутом тумблере S3 состоит из делителя напряжения R13, R11, R8, R7 (при R7 >> 1/2 f C3) и буферного каскада с ОК на транзисторе V2 с резистором связи R6, который одновременно является элементом местной ОС, последовательной по току, для транзистора V1. При этом цепь ОС по дрейфу (и одновременно по сигналу при разомкнутом тумблере S3) образована резисторами R13, R11, R8, транзистором V2 и резистором R6; глубина общей ОС по сигналу в этом положении больше, чем при замкнутом S3. Естественно, что глубина гальванической ОС не зависит от положения тумблера S3.

Использование буферного эмиттерного повторителя на транзисторе V2 облегчает получение более глубокой общей ОС за счет снижения мощности, потребляемой цепью ОС от выходного каскада.

При замкнутом положении тумблера S4 общая ОС по сигналу не действует.

С помощью разделительных конденсаторов C1 и С2 исключается влияние изменения положений переключателей S1, S2 на режимы работы по постоянному току всех транзисторов, кроме V3.

Переключатель S1 предназначен для присоединения источника сигнала (лабораторного генератора) ко входу усилительного устройства (положение 1) для измерения коэффициента усиления по ЭДС KЕ = U 2 / Е 1 при отсутствии ОС, заблокированной конденсатором С4 при замкнутом положении тумблера S4, а также для измерения параметров KEF = U 2F / E 1 при действующей ОС, когда разомкнут тумблер S4. Эти два положения тумблеров S1, S4 используются при измерении выходных сопротивлений без ОС и с ОС, т. е. R вых и R вых F.

Для измерения коэффициента петлевого усиления K п напряжение входного сигнала подается через переключатель S1 (положение 2) в цепь ОС через разделительный конденсатор С2 и резистор R8 (рис. 4.2) на базу транзистора V2 и далее через входной (V1), предвыходной (V4) и выходные (V6–V9) транзисторы поступает на выход усилителя Х2. Переключатель S2 при всех исследованиях находится в положении 1.

Рис. 4.2. Схема части усилителя, используемая для измерения параметра K п


Поделиться с друзьями:

Архитектура электронного правительства: Единая архитектура – это методологический подход при создании системы управления государства, который строится...

Двойное оплодотворение у цветковых растений: Оплодотворение - это процесс слияния мужской и женской половых клеток с образованием зиготы...

Археология об основании Рима: Новые раскопки проясняют и такой острый дискуссионный вопрос, как дата самого возникновения Рима...

Таксономические единицы (категории) растений: Каждая система классификации состоит из определённых соподчиненных друг другу...



© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!

0.008 с.