Эмиссия газов от очистных сооружений канализации: В последние годы внимание мирового сообщества сосредоточено на экологических проблемах...
История развития пистолетов-пулеметов: Предпосылкой для возникновения пистолетов-пулеметов послужила давняя тенденция тяготения винтовок...
Топ:
Проблема типологии научных революций: Глобальные научные революции и типы научной рациональности...
Особенности труда и отдыха в условиях низких температур: К работам при низких температурах на открытом воздухе и в не отапливаемых помещениях допускаются лица не моложе 18 лет, прошедшие...
Интересное:
Наиболее распространенные виды рака: Раковая опухоль — это самостоятельное новообразование, которое может возникнуть и от повышенного давления...
Лечение прогрессирующих форм рака: Одним из наиболее важных достижений экспериментальной химиотерапии опухолей, начатой в 60-х и реализованной в 70-х годах, является...
Распространение рака на другие отдаленные от желудка органы: Характерных симптомов рака желудка не существует. Выраженные симптомы появляются, когда опухоль...
Дисциплины:
2017-09-28 | 325 |
5.00
из
|
Заказать работу |
|
|
ЛЕКЦИЯ 10
Переходные процессы в биполярном транзисторе
План лекции:
Работа биполярного транзистора в ключевом режиме
Переходные процессы в базе БТ при скачке входного тока для схемы включения с ОЭ
Статический режим ключевой схемы на биполярном транзисторе
Переходные процессы в простейшем ключе на БТ при скачке входного тока для схемы включения с ОЭ
Работа биполярного транзистора в ключевом режиме
Цифровые схемы работают с прямоугольными импульсами, которые характеризуются длительностью и двумя постоянными значениями амплитуды: минимальной и максимальной.
Минимальной амплитудой называют напряжение , равное модулю напряжения насыщения или несколько больше него. Минимальное напряжение называют низким или нулевым: .
Максимальной амплитудой называют напряжение большее некоторого заданного по модулю значения, называемого высоким или единичным: .
Если выходное напряжение будет больше или равно , то говорят, что схема находится в состоянии"1" или (от high – "высокий"), если , то схема находится в состоянии "0" или (от low – "низкий").
Величины высокого и низкого уровней зависят только от используемой элементной базы цифровой схемотехники. Значения выходного напряжения, лежащие в интервале между и , считают запрещёнными и при переходе от к и обратно они должны изменяться очень быстро.
В качестве схемы транзисторного ключа, т.е. биполярного транзистора, работающего в режиме насыщения и запирания, представлена на рис. 10.1. Отличием от схемы инвертора является то, что в цепь базы последовательно включён резистор, обеспечивающий получение надёжных уровней и даже в самых неблагоприятных условиях.
|
Рис. 10.1. Транзисторный ключ
Транзисторный ключ должен сам работать от верхнего и нижнего уровней на входе, т.е. при должно выполняться условие , а при − условие . Такие требования могут быть выполнены соответствующим выбором как уровней и , так и величин сопротивлений и .
В нулевой момент времени происходит скачкообразное увеличение тока эмиттера за счёт инжекции электронов из эмиттера в базу. Такое же изменение будет иметь базовый ток.
Рис. 10.2. Прохождение прямоугольного импульса через транзисторный ключ
Рис. 10.3. Схема повышения помехоустойчивости с помощью диода
Инжектированные электроны имеют конечные скорости, распределённые по закону Максвелла. Поэтому они будут достигать коллектора постепенно, т.е. вначале коллектор достигнут наиболее быстрые электроны, а затем более медленные. С момента достижения коллектора первыми электронами появляется коллекторный ток, а базовый начинает убывать. Когда коллектора достигнут самые медленные электроны, инжектированные эмиттером, рост коллекторного тока прекращается и он становится максимальным, постоянным и равным . Рост коллекторного тока происходит по достаточно сложному закону (рис. 10.1 б – штриховая линия), однако с достаточной для инженерной практики точностью рассматривают этот закон как экспоненциальный, смещённый на некоторое время задержки (рис. 10.1 б – сплошная линия).
Рис. 10.4. Схема повышения помехоустойчивости с помощью эмиттерно-базового делителя
Время пролёта или время диффузии, если транзистор бездрейфовый, электрона от эмиттера до коллектора у каждого электрона своё. Поэтому рассматривают среднее время пролёта
Рис. 10.5. Схема повышения помехоустойчивости с помощью эмиттерно-базового делителя и дополнительного источника смещения
Для схемы включения с ОЭ
ЛЕКЦИЯ 10
Переходные процессы в биполярном транзисторе
|
План лекции:
|
|
Археология об основании Рима: Новые раскопки проясняют и такой острый дискуссионный вопрос, как дата самого возникновения Рима...
Механическое удерживание земляных масс: Механическое удерживание земляных масс на склоне обеспечивают контрфорсными сооружениями различных конструкций...
Поперечные профили набережных и береговой полосы: На городских территориях берегоукрепление проектируют с учетом технических и экономических требований, но особое значение придают эстетическим...
Эмиссия газов от очистных сооружений канализации: В последние годы внимание мирового сообщества сосредоточено на экологических проблемах...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!