Замена электромеханических изделий — КиберПедия 

История создания датчика движения: Первый прибор для обнаружения движения был изобретен немецким физиком Генрихом Герцем...

Семя – орган полового размножения и расселения растений: наружи у семян имеется плотный покров – кожура...

Замена электромеханических изделий

2017-09-10 370
Замена электромеханических изделий 0.00 из 5.00 0 оценок
Заказать работу

В комплексе технических решений, ориентированных на повышение эффективности и качества устройств автоматики, радиотехники, электросвязи, промышленной и бытовой электроники, целесообразной и полезной мерой является замена электромеханических изделий (трансформаторов, реле, потенциометров, реостатов, кнопочных и клавишных переключателей) более компактными, долговечными, быстродействующими аналогами. Ведущая роль в этом направлении отводится оптоэлектронным приборам и устройствам. Дело в том, что весьма важные технические достоинства трансформаторов и электромагнитных реле (гальваническая развязка цепей управления и нагрузки, уверенное функционирование в мощных, высоковольтных, сильноточных системах) свойственны и оптронам. Вместе с тем оптоэлектронные изделия существенно превосходят электромагнитные аналоги по надежности, долговечности, переходным и частотным характеристикам. Управление компактными и быстродействующими оптоэлектронными трансформаторами, переключателями, реле уверенно осуществляется с помощью интегральных микросхем цифровой техники без специальных средств электрического согласования.

Пример замены импульсного трансформатора приведен на рис. 12.

 

Рисунок 12 – Схема оптоэлектронного трансформатора

 

Ход работы

 

  1. Соберите схему гальванической развязки согласно вашему заданию.
  2. Проверьте работоспособность вашей схемы с помощью цифрового генератора и осциллографа.
  3. Исследуйте зависимость выходного сигнала от входного.
  4. Опишите какие явления происходят в схеме.
  5. Запишите результаты экспериментов в отчет.
  6. Сформулируйте выводы.

 

Контрольные вопросы

 

  1. Устройство и принцип действия оптопары, основные характеристики.
  2. Применение оптопар.
  3. Схемы включения оптопар.
  4. Достоинства и недостатки оптопар.

 

Литература

а) основная литература

1. Глинкин Е.И. Схемотехника аналоговых интегральных схем: учебное пособие [Электронный ресурс]. / Е.И. Глинкин. - 2-е изд., доп. - Тамбов: Изд-во ФГБОУ ВПО "ТГТУ", 2012. - 152 с. // Единое окно доступа к информационным ресурсам. URL: http://window.edu.ru/resource/453/76453 (дата обращения: 11.07.2015).

2. Кузнецов Б.Ф. Электронные промышленные устройства: Учебное пособие [Электронный ресурс]. - Изд-во: Ангарской государственной технической академии, 2010. - 151 с. // Единое окно доступа к информационным ресурсам. URL:http://window.edu.ru/resource/335/73335 (дата обращения: 11.07.2015).

3. Кулик В.Д. Силовая электроника. Автономные инверторы, активные преобразователи: Учебное пособие [Электронный ресурс]. - СПб.: СПбГТУРП, 2010. - 90 с. // Единое окно доступа к информационным ресурсам. URL: http://window.edu.ru/resource/330/76330 (дата обращения: 11.07.2015).

4. Муромцев Д.Ю. Основы проектирования электронных средств: учебное пособие [Электронный ресурс] / Д.Ю. Муромцев, И.В. Тюрин. - Тамбов: Изд-во ГОУ ВПО ТГТУ, 2011. - Ч. 1. - 80 с. // Единое окно доступа к информационным ресурсам. URL:http://window.edu.ru/resource/512/76512 (дата обращения: 11.07.2015).

5. Чернышова Т.И., Чернышов Н.Г. Моделирование электронных схем: Учебное пособие [Электронный ресурс]. - Тамбов: Издательство ТГТУ, 2010. - 80 с. // Единое окно доступа к информационным ресурсам. URL:http://window.edu.ru/resource/209/73209 (дата обращения: 11.07.2015).

б) дополнительная литература

1. Афанасьева Н.А., Булат Л.П. Электротехника и электроника: Учебное пособие [Электронный ресурс]. - 2-е изд., перераб. и дополн. - СПб.: СПбГУНиПТ, 2009. - 181 с. // Единое окно доступа к информационным ресурсам. URL: http://window.edu.ru/resource/926/77926 (дата обращения: 11.07.2015).

2. Гаврилов С. А. Искусство схемотехники. Просто о сложном. – СПб.: Наука и Техника, 2011. – 352 с.

3. Майер Р.В. Основы электроники. Курс лекций: Учебно-методическое пособие. – Глазов: ГГПИ, 2011. – 80 с.

4. Топильский В. Б. Схемотехника измерительных устройств / В. Б. Топильский. – М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2010. – 232 с.


Приложение А

(справочное)

Параметры оптопар

 

Транзисторные оптопары по сравнению с диодными, за счет внутреннего усиления обладают большей чувствительностью

Рис. 4. Расположение выводов и внутренняя структура транзисторных оптопар

(необходим меньший управляющий ток). У них допустим и больший выходной ток, что позволяет во многих случаях при передаче сигналов обойгись без дополнительных последующих каскадов усиления, чго удобно. Видимо, поэтому транзисторные оптопары чаще всего применяются в радиоаппаратуре.

Рис. 4. Продолжение

Несмотря на то, что инерционность транзисторных оптопар выше, чем у диодных, для многих применений она оказывается вполне допустимой. А для повышения быстродействия таких компонентов разработчики придумали простой способ, реализованный при изготовлении некоторых оптопар. Он заключается в объединении в одном корпусе фотодиода и обычного транзистора, как это показано для оптопар 6N135, 6N136 (рис. 4). Фактически получается диодная оптопара с однотранзисторным внутренним усилителем. Такие компоненты применяютдля скоростной (до 1 Мбит/с) передачи цифровых сигналов.

Коллекторным током оптотранзистора можно управлять не только оптически (током через ИК-диод), но и электрическим сигналом по базовой цепи (если такой вывод имеется). При этом выходная цепь может работать в линейном или ключевом режиме. Схемы включения транзистора обычно применяются с общим эмиттером или общим коллектором.

Транзисторы, входящие в оптроны, бывают низковольтными, допускающими напряжение эмиттер-коллектор до 30 В (в полно-

Таблица 6. Основные параметры распространенных транзисторных оптопар

 

Продолжение табл. 6

Окончание табл. 6

Примечание к таблице

1. Следуетучитывать, что в таблице указана типовая величина времени переключения иунекоторыхзкземпляров значение можетбыть выше в 3…5 раз.

2. В таблице для Ki (CTR) указана минимальная допустимая величина и для многихприборов значение можетбыть большевЗ… Юраза.

стью открытом состоянии на них будет 0,25…0,5 В), и высоковольтные, способные работать с 11кэ > 80 В (в полностью открытом состоянии у них будет падение напряжение от 1 до 7 В, в зависимости оттипа). Чем больше максимально допустимое напряжение, на которое рассчитан прибор, тем больше и остаточное напряжение при насыщении.

В табл. 6 приведена справочная информация только по оптро- нам, которые выпускаются в популярныхпластмассовых DIP-корпу- cax (иногда эти корпуса называют PDiP). В таблицах применяются обозначения:

UcE — напряжение коллектор-эмиттер, В;

TonAoF — время включения и выключения (типовое), характеризует быстродействие элементов.

Наиболее популярны среди производителей электронных устройств оптопары серий 4Nxx, 6Nxxx, PC8xx, SFH6xx, HCPL-xxxx и др. Особенности и возможные варианты эквивалентной замены транзисторных оптронов разных производителей указаны в табл. 7. Обратная замена не всегда возможна, так какуказанные эквиваленты были разработаны позже и часто имеют лучшие характеристики.

Таблица 7. Варианты замены транзисторных оптронов

Продолжениетабл. 7

Основной тип Полные зарубежные аналоги (отечественный вариантаналога) Корпус Особенности выхода
MOC8113 TLP632(GB), 0РТ06Ю DlP-6 1 канал без вывода базы_
MOC8204 TLP371 DIP-6 1 канал
MOC8205 TLP371 DIP-6 1 канал
MOC8206 TLP371 DlP-6 1 канал
CNYt7-t LTV702VA, PC702VA, CNY17-2, K102P2 DIP-6 1 канал
CNY17-2 LTV702VB, PC702VB, CNY75A, TLP535-2________ DIP-6 1 канал
CNY17-3 LTV702VC, PC702VC, CNY75B, TLP535-3________ DIP-6 1 канал
CNY17-4 LTV702VD, PC702VD, CNY17-4, CNY75C, TLP535-4 DIP-6 1 канал
CNX36 PC703VB, TLP631, CQY80N DIP-6 1 канал
PC725V LTV725V, MCA11G, H11G, TLP371, IL66_____ DIP-6 1 канал со схемой Дарлингтона
PC810 PS2701-1, PS2561-1, PS2701-1________ DIP-4 1 канал без вывода базы_
PC812 PS2701-1, PS2561-1 DIP-4 1 канал без вывода базы
PC813 LTV814, TLP520GB, TLP620, PS2705-1, PS2565-1________ DIP-4 1 канал без вывода базы_
PC814 LTV814, TLP520GB, TLP620, PS2705-1, PS2565-1, KB814 DIP-4 1 канал без вывода базы _
PC815 LTV815, TLP523, TIL197, ISP815, PS2502-1, PS2702-1, PS2502-1, KB815_ DIP-4 1 канал со схемой Дарлингтона
PC816 LTV816, TLP321, PS2701-1, PS2561-1,KB816_ DIP-4 1 канал без вывода базы_ ______
PC817 LTV817, TLP521-1, TLP621, SFH618, PS2701-1, PS2561-1, KB817, (АОУ174)________ DIP-4 1 канал без вывода базы
PC818 TLP621, PS2701-1, PS2561-1 DIP-4 1 канал без вывода базы
PC824 LTV824, TLP620-2, PS2505-2, KB824 __________ DIP-8 2 канала

Окончание табл. 7

Основной тип Полные зарубежные аналоги (отечественный вариант аналога) Корпус Особенности выхода
PC825 LTV825, ILD30, TLP523-2, PS2502-2, KB825_ DIP-8 2 канала со схемой Дарлингтона__
PC826 LTV826, TLP321-2, PS2501-2, PS2561-2_______ DIP-8 2 канала
PC827 LTV827, TLP621-2, K827P2, PS2501-2, PS2561-2_______ DIP-8 2 канала
PC844 LTV844, TLP620-4, ISP844, PS2505-4, KB844, OPTQ164 DIP-16 4 канала
PC845 LTV845, ILQ30, ISP845, PS2505-4, KB845, OPTQ162 DIP-16 4 канала со схемой Дарлингтона
PC846 PS2501-4, KB846 DIP-16 4 канала
PC847 LTV847, TLP521-4, K847P2, ILQ621, ISP847, PS2501-4, KB847, OPTQ161 DIP-16 4 канала

 

 


Поделиться с друзьями:

Папиллярные узоры пальцев рук - маркер спортивных способностей: дерматоглифические признаки формируются на 3-5 месяце беременности, не изменяются в течение жизни...

Таксономические единицы (категории) растений: Каждая система классификации состоит из определённых соподчиненных друг другу...

Механическое удерживание земляных масс: Механическое удерживание земляных масс на склоне обеспечивают контрфорсными сооружениями различных конструкций...

Особенности сооружения опор в сложных условиях: Сооружение ВЛ в районах с суровыми климатическими и тяжелыми геологическими условиями...



© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!

0.017 с.