Наброски и зарисовки растений, плодов, цветов: Освоить конструктивное построение структуры дерева через зарисовки отдельных деревьев, группы деревьев...
Кормораздатчик мобильный электрифицированный: схема и процесс работы устройства...
Топ:
Проблема типологии научных революций: Глобальные научные революции и типы научной рациональности...
Оснащения врачебно-сестринской бригады.
Организация стока поверхностных вод: Наибольшее количество влаги на земном шаре испаряется с поверхности морей и океанов...
Интересное:
Уполаживание и террасирование склонов: Если глубина оврага более 5 м необходимо устройство берм. Варианты использования оврагов для градостроительных целей...
Аура как энергетическое поле: многослойную ауру человека можно представить себе подобным...
Наиболее распространенные виды рака: Раковая опухоль — это самостоятельное новообразование, которое может возникнуть и от повышенного давления...
Дисциплины:
2017-08-23 | 319 |
5.00
из
|
Заказать работу |
|
|
По способу создания делятся на:
1) полевые транзисторы с управляющим p-n переходом;
2) МДП транзисторы с изолированным затвором:
а) со встроенным каналом;
б) с индивидуальным каналом.
Интерес к ним вызван их преимуществами по сравнению с биполярными транзисторами:
1) высокая технологичность;
2) хорошая воспроизводимость требуемых параметров;
3) малая стоимость;
Высокое входное сопротивление.
Полевые транзисторыс управляющим p-n переходом
|
Схемное обозначение транзистора с управляющим p-n переходом.
Канал – полупроводник n-типа с относительно малым количеством донорской примеси.
Затвор – кольцевой слой полупроводника p-типа с высоким содержанием акцепторной примеси.
Электрод, от которого начинают движение носители заряда называется исток, электрод, к которому они движутся – сток.
По каналу, под действием продольного внешнего электрического поля, созданного Uси движутся электроны от истока к стоку.
носителей,чем n слой,изменение ширины p-n перехода происходит в основном за счет ширины канала (n). Измен. сечения токоведущ. канала → Iс Особенность полевого транзистора в том, что на Iс Особенность полевого транзистора в том, что на Iс |
Uзи – обратное для p-n перехода, возникающего между затвором и каналом. При изменении Uзи, изменяется ширина p-n перехода - участка, обедненного ОНЗ, т.к. p-слой имеет большую концентрацию основных
Особенность полевого транзистора в том, что на Iс Особенность полевого транзистора в том, что на Iс (сильнее). Эти процессы илюстрир. семейств. стокозатв. характеристик.
|
На входе его практ. не расходуется мощность.
Схема замещения пол. тр-ра с упр. p-n
В обл. выс. част. В обл. ниж. част.
Характеризует работу тр-ра в обл. 2 стоковой ВАХ для перемен. составл. тока и И
2.1.4.2 МДП транзистора
Полевые транзисторы с изолированным затвором в отличии от вышерассмотренных имеют затвор, изолированный от области канала слоем диэлектрика (им может быть SiO2)
Принцип действия основан на эффектах изменения проводимости приповерхностного слоя полупроводника на границе с диэлектриком под воздействием поперечного электрического поля.
Приповерхностный слой полупроводников является токоведущим каналом этих транзисторов.
Выполн. Двух типов – со встр. индукц. кан.
2.1.4.3 МДП тр-ры со встроен. каналом
2.1.4.4 МДП тр-р с индуц. каналом Значение межэлектрод. емкостей Сзн1Сси<10пф Сзс<2пф Меньше, чем у тр-ров с упр. n-p пер. Применяется широко в интегр. исполнении. |
ЛЕКЦИЯ №11
2.1.5 Биполярные транзисторы
2.1.5.1 Структура, схемы включения, схемное обозначение
Биполярным транзистором называется трехэлектродный полупроводниковый прибор, содержащий два взаимодействующих p-n перехода, выходной ток которого управляется изменением входного тока.
|
|
Типы сооружений для обработки осадков: Септиками называются сооружения, в которых одновременно происходят осветление сточной жидкости...
Археология об основании Рима: Новые раскопки проясняют и такой острый дискуссионный вопрос, как дата самого возникновения Рима...
Своеобразие русской архитектуры: Основной материал – дерево – быстрота постройки, но недолговечность и необходимость деления...
Типы оградительных сооружений в морском порту: По расположению оградительных сооружений в плане различают волноломы, обе оконечности...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!