Архитектура электронного правительства: Единая архитектура – это методологический подход при создании системы управления государства, который строится...
Таксономические единицы (категории) растений: Каждая система классификации состоит из определённых соподчиненных друг другу...
Топ:
Установка замедленного коксования: Чем выше температура и ниже давление, тем место разрыва углеродной цепи всё больше смещается к её концу и значительно возрастает...
Характеристика АТП и сварочно-жестяницкого участка: Транспорт в настоящее время является одной из важнейших отраслей народного хозяйства...
Когда производится ограждение поезда, остановившегося на перегоне: Во всех случаях немедленно должно быть ограждено место препятствия для движения поездов на смежном пути двухпутного...
Интересное:
Влияние предпринимательской среды на эффективное функционирование предприятия: Предпринимательская среда – это совокупность внешних и внутренних факторов, оказывающих влияние на функционирование фирмы...
Искусственное повышение поверхности территории: Варианты искусственного повышения поверхности территории необходимо выбирать на основе анализа следующих характеристик защищаемой территории...
Что нужно делать при лейкемии: Прежде всего, необходимо выяснить, не страдаете ли вы каким-либо душевным недугом...
Дисциплины:
 2017-07-09 |
 204 |
из
5.00
|
Заказать работу |
|
|
|
|
Исходные данные:
· выходная мощность: 
Вт.
При расчёте транзистора Р1 (мощность, которую должен отдавать транзистор оконечного каскада в режиме усиления) будем принимать равной 10.2 Вт для обеспечения выходной мощности 8.7 Вт с учётом потерь.
· рабочая частота: 143 МГц.
Для усилителя мощности выбираем транзистор 2t934Б.
Оценим усиление транзистора на заданной частоте с учётом типовых значений:
| раб.частота (МГц) | мощность (Вт) | kp | КПД (%) | Напряжение питания (В) | Схема включения |
| >12 | 4…7 | >50 | ОЭ |
Для худшего случая примем kp типовой=4. Коэффициент усиления по мощность kp=4 невелик и изменяется приблизительно пропорционально квадрату частоты:
По принятому КПД цепей согласования (межкаскадных связей), равному 0.8, определим мощность, необходимую для возбуждения оконечного каскада (т.е. усилителя мощности):
Оценим возможность применения выбранного транзистора при заданной рабочей температуре 
. Используя КПД транзистора, рассчитаем потери мощности на коллекторе:
Исходя из максимальной температуры перехода 
определим:
Таким образом, условия температурного режима выполняются.
Параметры транзистора и вводимые значения:
| f=143 | P=10.2 | ОЭ |
| fГ=1000 | h21Э=75 | Sкр=0.66 |
| ЕК=28 | E’=0.7 | |
| UКЭ ДОП=60 | UЭБ ДОП=4 | Ik0MAX=2 |
| RПК=8.8 | ТП=160 | ТК=40 |
| сЭ=115 | сКА=2.9 | сК=8.6 |
| rБ=1.9 | rЭ=0 | rК=2 |
| LБ=3.1 | LЭ=1.2 | LК=2.5 |
Пассивная ёмкость коллекторного перехода:
сКП=сК-сКА=5.7
Расчёт транзисторного усилителя мощности:
1. мощность, развиваемая эквивалентным генератором (ЭГ) тока на выходе транзистора:
|
|
2. крутизна линии граничного режима:
3. коэффициент использования транзистора по коллекторному напряжению в граничном режиме:
4. амплитуда напряжения ЭГ:
5. амплитуда тока первой гармоники ЭГ:
6. пиковое напряжение на коллекторе:
7. сопротивление нагрузки ЭГ:
8. крутизна по переходу:
9. сопротивление рекомбинации неосновных носителей:
10. крутизна статической характеристики транзистора:
11. угол отсечки импульса ЭГ:
12. коэффициенты разложения для нулевой и первой гармонических составляющих:
13. пиковое обратное напряжение на эмиттерном переходе:
UЭБ ДОП= 
14. управляющий ток:
15. ток эмиттера:
16. напряжение на сопротивлении rЭ с учётом индуктивности LЭ:
17. первая гармоника напряжения на переходе:
18. напряжение на активной ёмкости коллекторного перехода cKA:
19. ток через ёмкость cKA:
20. ток через сопротивление rБ:
21. напряжение на rБ:
22. напряжение на пассивной ёмкости коллекторного переходе сКП:
23. ток через ёмкость сКП:
24. сопротивление потерь коллектора rК, приведённое к параллельному эквиваленту относительно пассивной емкости коллекторного перехода:
25. ток источника возбуждения транзистора:
26. напряжение на индуктивности вывода базы:
27. напряжение возбуждения транзистора:
28. первая гармоника тока коллектора:
29. амплитуда напряжения на нагрузке:
30. входное сопротивление и входная проводимость для первой гармоники:
31. мощность возбуждения – выходная мощность предыдущего каскада:
32. мощность в нагрузке:
33. постоянная составляющая тока коллектора:
34. потребляемая мощность:
35. коэффициент полезного действия:
36. коэффициент усиления по мощности:
37. допустимая мощность рассеяния транзистора:
38. рассеиваемая мощность в транзисторе:
|
|
39. сопротивление нагрузки на внешних выводах транзистора:
|
|
|
Индивидуальные очистные сооружения: К классу индивидуальных очистных сооружений относят сооружения, пропускная способность которых...
Семя – орган полового размножения и расселения растений: наружи у семян имеется плотный покров – кожура...
Адаптации растений и животных к жизни в горах: Большое значение для жизни организмов в горах имеют степень расчленения, крутизна и экспозиционные различия склонов...
Поперечные профили набережных и береговой полосы: На городских территориях берегоукрепление проектируют с учетом технических и экономических требований, но особое значение придают эстетическим...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!