Своеобразие русской архитектуры: Основной материал – дерево – быстрота постройки, но недолговечность и необходимость деления...
Механическое удерживание земляных масс: Механическое удерживание земляных масс на склоне обеспечивают контрфорсными сооружениями различных конструкций...
Топ:
Проблема типологии научных революций: Глобальные научные революции и типы научной рациональности...
Оснащения врачебно-сестринской бригады.
Определение места расположения распределительного центра: Фирма реализует продукцию на рынках сбыта и имеет постоянных поставщиков в разных регионах. Увеличение объема продаж...
Интересное:
Мероприятия для защиты от морозного пучения грунтов: Инженерная защита от морозного (криогенного) пучения грунтов необходима для легких малоэтажных зданий и других сооружений...
Влияние предпринимательской среды на эффективное функционирование предприятия: Предпринимательская среда – это совокупность внешних и внутренних факторов, оказывающих влияние на функционирование фирмы...
Инженерная защита территорий, зданий и сооружений от опасных геологических процессов: Изучение оползневых явлений, оценка устойчивости склонов и проектирование противооползневых сооружений — актуальнейшие задачи, стоящие перед отечественными...
Дисциплины:
2017-06-29 | 355 |
5.00
из
|
Заказать работу |
|
|
Пусть ток, протекающий по индуктивности, изменяется по гармоническому закону , где , — действующее значение и начальная фаза тока.
Используя связь между током и напряжением индуктивности, определяемую законом Фарадея, найдем мгновенное напряжение на индуктивности
, (4.19)
где , — действующее значение и начальная фаза напряжения на индуктивности.
Из (4.19) видно, что напряжение на индуктивности изменяется по гармоническому закону, а его начальная фаза больше начальной фазы тока на . Следовательно, напряжение на индуктивности опережает по фазе ток на 90°. Действующее значение напряжения на индуктивности пропорционально действующему значению тока, частоте и значению индуктивности.
Определим мгновенную мощность индуктивности
.
Мгновенная мощность индуктивности представляет собой гармоническую функцию с частотой , которая аналогична мгновенной мощности емкости.
На рис. 4.16 изображены временные диаграммы напряжения, тока и мощности индуктивности. Когда ток и напряжение индуктивности одновременно положительны или отрицательны, имеет место положительный полупериод мощности, в течение которого индуктивность накапливает энергию магнитного поля. Когда ток и напряжение индуктивности имеют разные знаки, то имеет место отрицательный полупериод мощности, в течение которого индуктивность отдает энергию магнитного поля. В результате, среднее значение мощность за период равно нулю, что соответствует реактивному характеру сопротивления индуктивности.
Заменим в (4.19) вещественные функции напряжения и тока их изображениями в показательной форме записи и , получаем уравнение:
;
.
Сокращая оператор вращения и учитывая, что и , найдём комплексную амплитуду напряжения
|
,
где и — модуль и начальная фаза комплексной амплитуды напряжения индуктивности.
Поделив левую и правую части уравнения на и учитывая, что , находим комплексное действующее значение тока напряжения индуктивности
,
где , — модуль и аргумент комплексного действующее значение напряжения, которые совпадают с аналогичными значениями, найденными ранее путём преобразования вещественных функций.
Векторная диаграмма комплексных тока и напряжения индуктивности показана на рис. 4.17. Вектор напряжения повернут относительно вектора тока на угол 90°против часовой стрелки, поскольку напряжение на индуктивности опережает по фазе ток на .
Найдем комплексное сопротивление индуктивности
и комплексную проводимость индуктивности
.
и запишем их в показательной и алгебраической форме:
, .
Определим модуль, аргумент, вещественную и мнимую части комплексного сопротивления:
, ;
, ,
и комплексной проводимости индуктивности:
;
, , .
Модуль сопротивления индуктивности изменяется прямо пропорционально частоте, а аргумент является положительным и не зависит от частоты (рис. 4.18).
На комплексной плоскости комплексные сопротивление и проводимость индуктивности изображаются векторами, ориентированными соответственно вдоль положительной и отрицательной мнимых полуосей (рис. 4.19 а, б). Комплексная схема замещения индуктивности в виде комплексного сопротивления показана на рис. 4.19,в.
Рис. 4.19
Полученные выше соотношения показывают, что комплексные сопротивления и проводимости идеализированных реактивных элементов не зависят от амплитуды (действующего значения) и начальной фазы внешнего воздействия и определяются только параметрами этих элементов и частотой внешнего воздействия.
|
|
Типы сооружений для обработки осадков: Септиками называются сооружения, в которых одновременно происходят осветление сточной жидкости...
История создания датчика движения: Первый прибор для обнаружения движения был изобретен немецким физиком Генрихом Герцем...
Индивидуальные очистные сооружения: К классу индивидуальных очистных сооружений относят сооружения, пропускная способность которых...
Семя – орган полового размножения и расселения растений: наружи у семян имеется плотный покров – кожура...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!