Эмиссия газов от очистных сооружений канализации: В последние годы внимание мирового сообщества сосредоточено на экологических проблемах...
Типы оградительных сооружений в морском порту: По расположению оградительных сооружений в плане различают волноломы, обе оконечности...
Топ:
Оценка эффективности инструментов коммуникационной политики: Внешние коммуникации - обмен информацией между организацией и её внешней средой...
Установка замедленного коксования: Чем выше температура и ниже давление, тем место разрыва углеродной цепи всё больше смещается к её концу и значительно возрастает...
Теоретическая значимость работы: Описание теоретической значимости (ценности) результатов исследования должно присутствовать во введении...
Интересное:
Как мы говорим и как мы слушаем: общение можно сравнить с огромным зонтиком, под которым скрыто все...
Принципы управления денежными потоками: одним из методов контроля за состоянием денежной наличности является...
Подходы к решению темы фильма: Существует три основных типа исторического фильма, имеющих между собой много общего...
Дисциплины:
 2017-06-13 |
 628 |
из
5.00
|
Заказать работу |
|
|
|
|
Таблица 6.
Методы и средства контроля параметров структур после основных операций изготовления кристаллов полупроводниковых ИМС
| Технологическая операция | Контролируемые параметры | Методы контроля | Средства контроля | Вид контроля | Возможные дефекты | |
| Формирование партии пластин | Толщина, диаметр, прогиб Длина базового и дополнительного срезов Ориентация поверхности Тип электропроводности Поверхностные дефекты Чистота поверх-нрсти Удельное сопротивление | Визуальный >> Рентгеновская дифрактометрия Электрический Визуальный >> Электрический | Индикатор МИГ-1, установка для замера геометрических размеров Линейка Дифрактометр УРС-50ИМ, поворотное устройство Установка определения типа электропроводности Микроскопы МБС-1, МБС-2, линейка Микроскопы МБС-1, МБС-2, стол СМП-1 Измеритель ИУС-1 | Цех — 100%, ОТК — 10% Цех, ОТК-5% Цех, ОТК - выборочно Цех, ОТК —5% Цех — 100%, ОТК —5% То же Цех, ОТК — выборочно (одна пластина) | Отклонение размеров от заданных в ТД То же Отклонения ориентации от допустимого, заданного в ТД - Трещины. сколы, царапины, риски Пятна, подтеки, следы мате риалов Отклонения сопротивления от заданного в ТД | |
| Очистка поверхности | Чистота поверхности | Визуальный | Установка УВК-2, микроскопы МБС-1, МБС-2 | Цех — 100%, ОТК-5% | Подтеки, разводы, пятна, светящиеся точки | |
| Эпитаксиальное наращивание | Толщина слоя Удельное поверхностное сопротивление Плотность дислокаций и дефектов упаковки Целостность пластины | Фотометрический Электрический Визуальный >> | Спектрофотометры ИКС-14, ИКС-22 Измеритель ИУС-3 Микроскопы ММУ-1, ММУ-3 - | То же Цех, ОТК — выборочно То же Цех, ОТК-100% | Отклонения от норм, заданных в ТД То же >> Риски, сколы, трещины | |
| Продолжение таблицы 6 | ||||||
| Термическое окисление (нанесение оксида или нитрида) | Толщина слоя Пористость Плотность заряда Качество поверхности слоя | Визуальный, эллипсометрический Электрохимический, электронная микроскопия Вольт-фарадных характеристик Визуальный | Микроскопы МБС-1, МБС-2, цветовая таблица; эллипсометр Установка электроосажденния, электронный микроскоп Установка ИППМ-2 Лампа ЛБ-30 | Цех- 100%, ОТК-5% Цех, ОТК — выборочно Цех. ОТК — выборочно Цех- 100%. ОТК-5% | Отклонения от норм, заданных в ТД То же Отклонения от норм, заданных в ТД Включения, проколы | |
| Фотолитография | Внешний вид рисунка Размеры элементов рисунка (модуля) Плотность дефектов | Визуальный >> >> | Микроскопы МБС-1, МБС-2, микроинтерферометр МИИ-4 Микроскоп ММУ-3, микрометр МОВ-1Х1.6, микроинтерферометр МИИ-4. То же | Цех— 100%, ОТК —5% Цех, ОТК - выборочно (5%) То же | Подтеки, остатки фоторезиста, разводы, пятна Уход размеров за пределы, заданные в ТД Проколы в слоях SiO2 (Si3N4), остатки слоев в окнах, выступы и впадины по контуру элемента | |
| Локальная диффузия (ионное легирование) | Глубина диффузионного (легированного) слоя Удельное поверхностное сопротивление Пробивное напряжение | Визуальный на шлифах Электрический >> | Установка для получения шлифов Измеритель ИУС-3 Характериограф ПНХТ-1 | Цех, ОТК — выборочно (одна пластина-спутник из каждой партии) То же Цех — 100% по тестовым срукту-рам, ОТК — выборочно | Отклонения от глубины, заданно в ТД Отклонения от норм, заданных в ТД То же | |
| Металлизация | Чистота поверхности алюминиевой пленки Толщина алюминиевой пленки Адгезия алюминиевой пленки | Визуальный >> >> | Микроскопы ММУ-1, ММУ-3 Микроинтерферометр МИИ-4 Микроскоп МИИ-4 | Цех -100%, ОТК-20% Цех, ОТК — 100% Цех, ОТК — выборочно (одна - две пластины из партии) | Поры, царапины Отклонения от толщины, заданной в ТД Отклонения, разрывы | |
|
|
|
|
Контроль толщины плёнок можно осуществлять также с помощью микроинтерферометра Линника (МИИ-4).
Контроль электрических параметров электронных средств
Методы контроля электрических параметров
В процессе производства РЭС используют 3 метода контроля электрических параметров:
1) по измерительным приборам;
2) сравнение с образцом;
3) метод замещения.
|
|
|
Типы оградительных сооружений в морском порту: По расположению оградительных сооружений в плане различают волноломы, обе оконечности...
Опора деревянной одностоечной и способы укрепление угловых опор: Опоры ВЛ - конструкции, предназначенные для поддерживания проводов на необходимой высоте над землей, водой...
Адаптации растений и животных к жизни в горах: Большое значение для жизни организмов в горах имеют степень расчленения, крутизна и экспозиционные различия склонов...
История развития хранилищ для нефти: Первые склады нефти появились в XVII веке. Они представляли собой землянные ямы-амбара глубиной 4…5 м...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!