Укажите формулы, соответствующие h-параметрам биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером — КиберПедия 

Состав сооружений: решетки и песколовки: Решетки – это первое устройство в схеме очистных сооружений. Они представляют...

Типы оградительных сооружений в морском порту: По расположению оградительных сооружений в плане различают волноломы, обе оконечности...

Укажите формулы, соответствующие h-параметрам биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером

2022-10-28 56
Укажите формулы, соответствующие h-параметрам биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером 0.00 из 5.00 0 оценок
Заказать работу

5 h11

8 h12

7 h21

6 h22

0

0

0  

0

 

 

##theme 2

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

Укажите выражение для вычисления параметра биполярного транзистора - h21

+

-

-

-

 

 

##theme 2

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

Укажите выражение для вычисления параметра биполярного транзистора - h22

-

-

+

-

 

 

##theme 2

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

Укажите выражение для вычисления параметра биполярного транзистора – h11

-

+

-

-

 

 

##theme 2

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

Укажите выражение для вычисления параметра биполярного транзистора - h12

-

-

-

+

 

 

##theme 2

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

Укажите семейство характеристик, по которому можно найти параметр h21б.

-номер1

+номер 2

-номер 3

 

 

##theme 2

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

Укажите семейство характеристик, по которому можно найти параметр h22э.

-номер1

-номер 2

+номер 3

 

 

##theme 2

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

Укажите семейство характеристик, по которому можно найти параметр h12э.

-номер 1

+номер 2

-номер 3

 

 

##theme 2

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

Укажите семейство характеристик, по которому можно найти параметр h11б.

+номер 1

-номер 2

-номер 3

 

 

##theme 2

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

Укажите формулу, определяющую значение элемента, отмеченного цифрой "1", эквивалентной схемы, изображенной на рисунке. Предполагается, что биполярный транзистор работает в схеме с общей базой.

-

-

+

-

 

 

##theme 2

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

Укажите формулу, определяющую значение элемента, отмеченного цифрой "1", эквивалентной схемы, изображенной на рисунке. Предполагается, что биполярный транзистор работает в схеме с общим эмиттером.

+

-

-

-

 

 

##theme 2

##score 2

##type 3

##time 0:00:00

Введите номер эквивалентной схемы биполярного транзистора для системы h -параметров.

1

 

 

##theme 2

##score 2

##type 3

##time 0:00:00

Введите номер эквивалентной схемы биполярного транзистора для системы Y-параметров.

2

 

 

##theme 2

##score 2

##type 1

##time 0:00:00

Определить изменение напряжения Δ Uэб, если при неизменном напряжении коллектора, ток эмиттера изменяется с 4 мА до 6 мА. Входное сопротивление транзистора в режиме короткого замыкания на выходе по переменному току h11=10 Ом.

- 20 В

+ 20 мВ

- 5 мВ

- 40 мВ

 

 

##theme 2

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

На рисунке изображено распределение потенциалов в биполярном p-n-p –транзисторе, отсутствию напряжений соответствует линия «4». Укажите номер линии, соответствующей работе транзистора в активном режиме.

-номер «1»

+номер «2»

-номер «3»

 

 

##theme 2

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

На рисунке изображено распределение потенциалов в биполярном p-n-p –транзисторе, отсутствию напряжений соответствует линия «4». Укажите номер линии, соответствующей работе транзистора в режиме отсечки.

-номер «1»

-номер «2»

+номер «3»

 

 

##theme 2

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

На рисунке изображено распределение потенциалов в биполярном p-n-p –транзисторе, отсутствию напряжений соответствует линия «4». Укажите номер линии, соответствующей работе транзистора в режиме насыщения.

+номер «1»

-номер «2»

-номер «3»

 

 

##theme 2

##score 1

##type 3

##time 0:00:00

Введите номер зависимости коэффициента усиления по току от частоты биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером.

2

 

 

##theme 2

##score 1

##type 3

##time 0:00:00

Введите номер зависимости коэффициента усиления по току от частоты биполярного транзистора, включенного по схеме с общей базой

1

 

 

##theme 2

##score 2

##type 1

##time 0:00:00

Определите по частотной характеристике биполярного транзистора граничную частоту.

- 1 МГц

- 10 МГц

+ 100 МГц

 

 

##theme 2

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

Определите по частотной характеристике биполярного транзистора предельную частоту.

- 1 МГц

+ 10 МГц

- 100 МГц

 

 

##theme 2

##score 2

##type 1

##time 0:00:00

Предельная частота транзистора w пр=10 МГц. Определить коэффициент передачи тока эмиттера a на частоте 17,3 МГц, если на низких частотах он равен 0,96.

+ 0,48

- 0,58

- 0,78

 

 

##theme 2

##score 2

##type 1

##time 0:00:00

Предельная частота транзистора w пр=5 МГц. Определить коэффициент передачи тока базы β на частоте 8,66 МГц, если на низких частотах он равен 96.

+ 48

- 58

- 78

 

 

##theme 2

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

Если частота будет выше предельной в3 раз, коэффициент передачи по току транзистора уменьшится

+ в 2 раза

- в √3 раз

- в 4 раза

 

 

##theme 2

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

На низких частотах коэффициент усиления по току h 21б=0,95. Коэффициент передачи по току на предельной частоте w пр равен

+ 0,671

- 0,7

- 1

 

 

##theme 2

##score 2

##type 1

##time 0:00:00

На низких частотах коэффициент усиления по току h21б=0,9. Коэффициент передачи по току на предельной частоте w пр равен

+ 0,636

- 0,707

- 1

 

 

##theme 2

##score 2

##type 1

##time 0:00:00

На низких частотах коэффициент усиления по току h21э=95. Коэффициент передачи по току на предельной частоте w пр равен

+ 67,1

- 70,7

- 1

 

 

##theme 2

##score 2

##type 1

##time 0:00:00

На низких частотах коэффициент усиления по току h21э=60. Коэффициент передачи по току на предельной частоте w пр равен

+ 42,4

- 30

- 1

 

 

##theme 2

##score 2

##type 1

##time 0:00:00

Если предельная частота транзистора, включенного в схеме с общим эмиттером 10 МГц, коэффициент усиления 70, то предельная частота в схеме с общей базой -              

+ 710 МГц

- 690 МГц

- 100 МГц

 

 

##theme 2

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

Если предельная частота биполярного транзистора, включенного в схеме с общей базой 100 МГц, коэффициент усиления 0,98, то предельная частота в схеме с общим эмиттером -           

+ 2 МГц

- 98 МГц

- 10 МГц

- 20 МГц

 

 

##theme 2

##score 1

##type 1

##time 0:00:00


Поделиться с друзьями:

Типы сооружений для обработки осадков: Септиками называются сооружения, в которых одновременно происходят осветление сточной жидкости...

Двойное оплодотворение у цветковых растений: Оплодотворение - это процесс слияния мужской и женской половых клеток с образованием зиготы...

Своеобразие русской архитектуры: Основной материал – дерево – быстрота постройки, но недолговечность и необходимость деления...

Адаптации растений и животных к жизни в горах: Большое значение для жизни организмов в горах имеют степень расчленения, крутизна и экспозиционные различия склонов...



© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!

0.054 с.