Двойное оплодотворение у цветковых растений: Оплодотворение - это процесс слияния мужской и женской половых клеток с образованием зиготы...
История развития пистолетов-пулеметов: Предпосылкой для возникновения пистолетов-пулеметов послужила давняя тенденция тяготения винтовок...
Топ:
Теоретическая значимость работы: Описание теоретической значимости (ценности) результатов исследования должно присутствовать во введении...
Характеристика АТП и сварочно-жестяницкого участка: Транспорт в настоящее время является одной из важнейших отраслей народного...
Определение места расположения распределительного центра: Фирма реализует продукцию на рынках сбыта и имеет постоянных поставщиков в разных регионах. Увеличение объема продаж...
Интересное:
Средства для ингаляционного наркоза: Наркоз наступает в результате вдыхания (ингаляции) средств, которое осуществляют или с помощью маски...
Отражение на счетах бухгалтерского учета процесса приобретения: Процесс заготовления представляет систему экономических событий, включающих приобретение организацией у поставщиков сырья...
Подходы к решению темы фильма: Существует три основных типа исторического фильма, имеющих между собой много общего...
Дисциплины:
2021-06-30 | 26 |
5.00
из
|
Заказать работу |
|
|
При проектировании усилителя, получили следующие значения резисторов:
R1=100 Ом; R2=200 Ом; R3=120 Ом; R4=20 КОм; R5=20 КОм; R6=200 Ом; R7=70 Ом.
Важным параметром резистора, во многом определяющим его характеристики, является
(4.7)
где b эфф.0 - минимальная эффективная ширина, определяемая технологическими ограничениями; b эфф.Р -минимальная эффективная ширина, определяемая допустимой удельной рассеиваемой мощностью (Р0); bэфф.Т -минимальная эффективная ширина, обеспечивающая заданную точность изготовления.
Значение bэфф.Р находится из выражения для допустимой мощности(Р), рассеиваемая резистором, которая должна удовлетворять неравенству
(4.8)
где Р0 ≈ 5 Вт/мм2 - допустимая удельная мощность. Отсюда следует, что
(4.9)
В качестве диэлектрика для резисторов выберем рений.
Рассчитаем мощность рассеиваемую на резисторе R1:
Р1=Up12/R1=(0.8*10-6)2/100=6.4*10-15 Вт (4.10)
(4.11)
Определим bТ=(2*ΔbT)/(δR-δRs)=(2*0.2*10-6)/0.2-0.1=4*10-6 (4.12)
Где: Δ bT =0,2*10-6м.
δR - погрешность в номиналах сопротивлений.
δRs - погрешность в номинале поверхностного сопротивления.
Рассчитаем коэффициент формы:
Кф1=R1/Rко=100/250=0,4 (4.13)
Найдем длину резистора:
L1=Кф1*bэфф=0,4*30*10-6=1,2*10-5 м (4.14)
Где: bэфф - минимально эффективная ширина.
Параметры всех резисторов приведены в таблице 4.2
Резистор | Uраб, мкВ | P, Bт | bp, м | bt, м | Кф | L, м |
R1 | 0,8 | 6,4*10-15 | 5,65*10-11 | 4*10-6 | 0,4 | 1,2*10-5 |
R2 | 6,5 | 3,2*10-15 | 2,82*10-11 | 4*10-6 | 0,89 | 2,4*10-5 |
R3 | 6,4 | 5,33*10-15 | 4,71*10-11 | 4*10-6 | 0,48 | 2,44*10-5 |
R4 | 0,2 | 3,2*10-15 | 2,82*10-10 | 4*10-6 | 0,08 | 2,4*10-6 |
R5 | 1,46 | 3,2*10-15 | 2,82*10-10 | 4*10-6 | 0,08 | 2,4*10-6 |
R6 | 24,2 | 3,2*10-15 | 2,82*10-11 | 4*10-6 | 0,8 | 2,4*10-5 |
R7 | 24 | 9,14*10-15 | 8,08*10-11 | 4*10-6 | 0,28 | 8,4*10-6 |
Разработка топологии кристалла
|
Исходными данными являются принципиальная электрическая схема с заданным расположением контактных площадок и геометрические размеры элементов. На этом этапе решаются такие вопросы, как определение необходимого числа изолированных областей, минимизация возможного числа пересечений коммутационных шин элементов и длины шин.
На данном этапе рассматривается ряд вариантов топологии, отличающихся компоновкой отдельных узлов. В процессе разработки вариантов топологии происходит перемещение элементов, изменение их формы, в частности, многократный изгиб каналов резисторов, изменение формы контактов, формы транзисторов и другие модификации. При этом необходимо осуществлять корректировку геометрических размеров элементов для сохранения значений их электрических параметров. На свободных периферийных участках кристалла располагаются метки совмещения, тестовые элементы и другие вспомогательные элементы. В заключение выбираем оптимальный предварительный вариант топологии.
Спроектированная топология должна: удовлетворять всем предъявляемым электрическим, конструктивным и технологическим требованиям и ограничениям; обеспечивать возможность экспериментальной проверки электрических параметров элементов или отдельных блоков схемы; давать возможность сокращения числа технологических операций и стоимости изготовления (простые методы изоляции элементов; однослойная металлизация и др.); плотность размещения элементов должна быть по возможности максимальной.
|
|
Состав сооружений: решетки и песколовки: Решетки – это первое устройство в схеме очистных сооружений. Они представляют...
Организация стока поверхностных вод: Наибольшее количество влаги на земном шаре испаряется с поверхности морей и океанов (88‰)...
Архитектура электронного правительства: Единая архитектура – это методологический подход при создании системы управления государства, который строится...
Своеобразие русской архитектуры: Основной материал – дерево – быстрота постройки, но недолговечность и необходимость деления...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!