Наброски и зарисовки растений, плодов, цветов: Освоить конструктивное построение структуры дерева через зарисовки отдельных деревьев, группы деревьев...
Общие условия выбора системы дренажа: Система дренажа выбирается в зависимости от характера защищаемого...
Топ:
Процедура выполнения команд. Рабочий цикл процессора: Функционирование процессора в основном состоит из повторяющихся рабочих циклов, каждый из которых соответствует...
Комплексной системы оценки состояния охраны труда на производственном объекте (КСОТ-П): Цели и задачи Комплексной системы оценки состояния охраны труда и определению факторов рисков по охране труда...
Устройство и оснащение процедурного кабинета: Решающая роль в обеспечении правильного лечения пациентов отводится процедурной медсестре...
Интересное:
Отражение на счетах бухгалтерского учета процесса приобретения: Процесс заготовления представляет систему экономических событий, включающих приобретение организацией у поставщиков сырья...
Искусственное повышение поверхности территории: Варианты искусственного повышения поверхности территории необходимо выбирать на основе анализа следующих характеристик защищаемой территории...
Инженерная защита территорий, зданий и сооружений от опасных геологических процессов: Изучение оползневых явлений, оценка устойчивости склонов и проектирование противооползневых сооружений — актуальнейшие задачи, стоящие перед отечественными...
Дисциплины:
2021-06-30 | 24 |
5.00
из
|
Заказать работу |
|
|
При расчёте УМ используют параметры транзистора из структурной схемы, определенные по методике.
4. Расчет коллекторной цепи транзистора.
4.1. Амплитуда первой гармоники напряжения на коллекторе Uк кр в критическом режиме:
угол отсечки 1200>θнч>800 ,
Ек – напряжение питания берутся из расчета структурной схемы.
P1– мощность 1-ой гармоники на коллекторе, рассчитываемого каскада (оконечного, предоконечного или промежуточного).
4.2. Максимальное напряжение на коллекторе.
4.3. Амплитуда первой гармоники коллекторного тока:
4.4. Постоянная составляющая коллекторного тока:
4.5. Высота импульса коллекторного тока:
,
где -максимально допустимый коллекторный ток (приводится в справочнике)
3.85A 6 А
4.6. Мощность, потребляемая от источника питания:
4.7. Коэффициент полезного действия коллекторной цепи:
проверка:
4.8. Мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора:
- допустимая мощность рассеиваемая на коллекторе (из справочника)
4.9. Сопротивление коллекторной нагрузки:
Rэкв. для мощных ВЧ-генераторов имеет малую величину и может составлять доли Ома, величина >100 (Ом) характерна для усилителей напряжения и маломощных УМ и НЧ-умножителей частоты.
5. Расчет базовой (входной) цепи транзисторного генератора по схеме ОЭ.
5.1. Амплитуда первой гармоники базового тока:
где =38,73 –статический коэффициент усиления по току
или типовое значение для выбранного транзистора
h21э тип = 35 (из справочника)
коэффициент усиления по току на рабочей частоте (из расчёта структурной схемы)
|
= 10
при правильном выборе транзистора
Ск – емкость коллекторного перехода;
fраб – рабочая частота усилителя мощности.
5.2. Максимально возможная величина сопротивления на радиочастоте резистора, включенного между базовым и эмиттерным выводами транзистора:
при
RБК |
Rдоп |
Ск – емкость коллекторного перехода.
Если RБК< 500 [Ом], то RБК применять не рекомендуется,
если RБК> 500 [Ом], то необходимо проверить целесообразность подключения RБК.
определим мощность рассеивания
Если условие
0.101 < 1.412
не выполняется, то RБК не подключается.
При подключении RБК проверяем:
Полученное значение должно удовлетворять условию:
5.3. Величина дополнительного резистора Rдоп, задающего смещение ЕБЭ=Еотс, т.е. θ=900.
где Еотс=Е′;
;
h21э – коэффициент передачи по току на рабочей частоте h21э=
;из расчёта структурной схемы
h21эо – статистический коэффициент передачи по току, из расчёта структурной схемы
Если Rдоп.< 1 (Ом), то вместо Rдоп. в схему включают дроссель.
Uвх |
Если , то расчет проведен правильно, в дальнейших расчетах используется Rдоп.
Если , то принять
5.4.Максимальное обратное напряжение на эмиттерном переходе
0.492< 4
5.5.
СКА – активная (внутренняя) часть емкости коллекторного перехода
где СК = СКА + СКП,
СКП – пассивная (внешняя) часть емкости коллекторного перехода,
ζ – зависит от технологии изготовления транзистора, данные приведены в табл.3.
транзистор | сплавной | сплавно-диффузионный | меза | планарный меза-планарный, эпитаксиально-планарный |
ζ | 1 | 2 | 3 | 3…4 |
Если Rвхоэ – отрицательное, то усилитель мощности будет работать неустойчиво, необходимо изменить режим УМ или ввести RЭкорр.
|
5.6. Входная мощность:
5.7. Коэффициент усиления по мощности:
6. Расчет согласующих цепей.
X2 |
X1 |
Rэкв |
ρ |
RА или Rвх |
В дальнейших формулах подставляем величину добротности Q, которой задались для одиночного П-контура Q = 2.9
Параметр контура | Значения параметра для П-контура |
одного | |
Полоса пропускаемых частот | |
КПД системы контуров |
где Qx.x- добротность ненагруженного контура, Qx.x= 100.
Прежде чем приступить к расчету параметров фильтра, необходимо убедиться также в том, что заданное сопротивление нагрузки (фидера или антенны) больше минимально допустимого:
для одного П-контура
или RВХ след.каск.>RНmin
Эквивалентное сопротивление коллекторной нагрузки берется из энергетического расчета усилителя мощности
Сначала рассчитываются параметры схемы по формулам таблицы.
Этапы расчета | Формулы для расчета схем |
Рис. 3.1,а | |
1. | |
2. | |
3. | |
4. | |
5. | |
6. |
Проверяем добротность
, расчет фильтра верен.
Элементы фильтров определяются по формулам:
Рассчитаем С1
Рассчитаем С2
Рассчитаем L1
Рассчитав емкости фильтров, необходимо номиналы конденсаторов выбирать по стандартному ряду, учитывая паразитные емкости транзистора (рис. 3.1,а).
где Ск – емкость коллекторного перехода,
Поскольку конденсатор с отрицательным номиналом не имеет смысла, рассчитываем фильтры другого типа. Аналогично подбираются конденсаторы для других вариантов схем.
Схема | Расчетные соотношения | КПД |
Общий случай | ||
Т2-цепочка | R0>R1>R2 R0=1858Ом |
Элементы фильтров определяются по формулам:
Рассчитаем С1
Рассчитаем С2
Рассчитаем L1
Рассчитав емкости фильтров, необходимо номиналы конденсаторов выбирать по стандартному ряду Е24.
|
|
История развития хранилищ для нефти: Первые склады нефти появились в XVII веке. Они представляли собой землянные ямы-амбара глубиной 4…5 м...
Наброски и зарисовки растений, плодов, цветов: Освоить конструктивное построение структуры дерева через зарисовки отдельных деревьев, группы деревьев...
Семя – орган полового размножения и расселения растений: наружи у семян имеется плотный покров – кожура...
Механическое удерживание земляных масс: Механическое удерживание земляных масс на склоне обеспечивают контрфорсными сооружениями различных конструкций...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!