Папиллярные узоры пальцев рук - маркер спортивных способностей: дерматоглифические признаки формируются на 3-5 месяце беременности, не изменяются в течение жизни...
История развития пистолетов-пулеметов: Предпосылкой для возникновения пистолетов-пулеметов послужила давняя тенденция тяготения винтовок...
Топ:
Оценка эффективности инструментов коммуникационной политики: Внешние коммуникации - обмен информацией между организацией и её внешней средой...
Отражение на счетах бухгалтерского учета процесса приобретения: Процесс заготовления представляет систему экономических событий, включающих приобретение организацией у поставщиков сырья...
Интересное:
Лечение прогрессирующих форм рака: Одним из наиболее важных достижений экспериментальной химиотерапии опухолей, начатой в 60-х и реализованной в 70-х годах, является...
Финансовый рынок и его значение в управлении денежными потоками на современном этапе: любому предприятию для расширения производства и увеличения прибыли нужны...
Как мы говорим и как мы слушаем: общение можно сравнить с огромным зонтиком, под которым скрыто все...
Дисциплины:
2021-04-18 | 94 |
5.00
из
|
Заказать работу |
Для входного каскада входные параметры предоконечного каскада являются выходными, то есть для выбора транзисторов VT2, VT4 используем следующие данные:
Исходя из рассчитанных данных выбираем биполярные транзисторы VT2, VT4: это КТ-504А - кремневые планарные n-p-n-транзисторы предназначенные для работы в радиовещательных и телевизионных приемниках, в усилительной аппаратуре и других устройствах. Корпус герметичный, металлический, с гибкими выводами, пластмассовый. Масса транзистора не более 20 г.
По зависимости статичеcкого коэффициента передачи тока от тока коллектора находим β=45.
Возьмём с запасом с учётом получения большого входного сопротивления
Выбираем полевые транзисторы VT1, VT5: это КП932А:
S1=69 мА/В;
Результирующая крутизна Дарлингтона:
Расчёт источника тока на транзисторе VT3
= Uкэ ∙ =172∙0,0036=0,7 Вт;
Выберем транзистор КТ504А.
По зависимости статичеcкого коэффициента передачи тока от тока коллектора [7] находим β=45.
По входным ВАХ [7] находим напряжение на переходе Uбэ=0,5 В.
R3=10 Ом; UR3=36 мВ; PрасR3=0,05 Вт;
UR6= Uбэ+ UR3 =0,5+0,036=0,536 В.
PрасR6= UR6∙ =0,05 Вт;
PрасR5= UR5∙ =0,05 Вт;
Расчёт ООС усилителя
,
Зададим R17 и R16:
R17=15 MoM и R16=560 кОм;
Найдём R15и R14:
R14=R17-R16-R15=15000000-560000-560000=15 МоМ;
Заключение
В данной работе спроектирован усилитель мощности, соответствующий заданным параметрам.
В ходе работы разработана принципиальная электрическая схема этого усилителя.
В данной работе представлен расчет каждого из каскадов усилителя и приведены используемые в процессе расчета характеристики.
К данному курсовому проекту прилагается чертеж, выполненный на бумаге формата А3 и представляет собой принципиальную электрическую схему спроектированного усилителя.
Список использованной литературы
1. ГОСТ 7.32-2001. Отчет о научно-исследовательской работе. Структура и правила оформления.
2. Завьялов С.А. Схемотехника усилителей мощности низких частот: учеб. пособие / С.А. Завьялов, К.В. Мурасов. - Омск: Изд-во ОмГТУ, 2010.-92 с.
3. Титце У. Полупроводниковая схемотехника: справочное руководство: [пер. с нем.] / У. Титце, К. Шенк. – М.: Мир, 1983.
4. Шкритек П. Справочное руководство по звуковой схемотехнике / П. Шкритек. – М.: Мир, 1991.
5. Хоровиц П. Искусство схемотехники / П. Хоровиц, У. Хилл. − М.: Мир, 2002.
6. Остапенко Г.С. Усилительные устройства / Г.С. Остапенко. – М.: Радио и связь, 1989.
7. Транзисторы для аппаратуры широкого применения: справочник / К.М. Брежнева [и др.]; под. ред. Б.Л. Перельмана. – М.: Радио и связь, 1981.
8. Полупроводниковые приборы: Транзисторы: справочник / В.Л. Аронов [и др.]; под общ. ред. Н.Н. Горюнова. – 2-е изд., перераб. – М.: Энергоатомиздат, 1985.
9. Ровдо А.А. Схемотехника усилительных каскадов на биполярных транзисторах / А.А. Ровдо. – М.: Додека, 2002.
10. Морган Джонс. Ламповые усилители: [пер. с англ.] / Д. Морган. – М.: ДМК Пресс, 2007.
11. Ежков Ю.С. Справочник по схемотехнике усилителей. – М.: ИП Радио Софт, 2002.
12. Интернет-источник. – http://mosfet.data-chip.ru/
13. Интернет-источник. – http://www.rlocman.ru/datasheet/data.html?di= 56443
14. Разевиг В.Д. Применение программ P-CAD и PSpice для схемотехнического моделирования на ПЭВМ. Вып. 2. Модели компонентов аналоговых устройств / В.Д. Разевиг. – М.: Радио и связь, 1992.
15. Разевиг В.Д. Система схемотехнического моделирования Micro-CAP 5 / В.Д. Разевиг. – М.: «Солон», 1997.
16. ГОСТ 7.1-2003. Система стандартов по информации, библиотечному и издательскому делу. Библиографическая запись. Библиографическое описание. Общие требования и правила составления.
Эмиссия газов от очистных сооружений канализации: В последние годы внимание мирового сообщества сосредоточено на экологических проблемах...
Архитектура электронного правительства: Единая архитектура – это методологический подход при создании системы управления государства, который строится...
История создания датчика движения: Первый прибор для обнаружения движения был изобретен немецким физиком Генрихом Герцем...
Автоматическое растормаживание колес: Тормозные устройства колес предназначены для уменьшения длины пробега и улучшения маневрирования ВС при...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!