Типы сооружений для обработки осадков: Септиками называются сооружения, в которых одновременно происходят осветление сточной жидкости...
Своеобразие русской архитектуры: Основной материал – дерево – быстрота постройки, но недолговечность и необходимость деления...
Топ:
Техника безопасности при работе на пароконвектомате: К обслуживанию пароконвектомата допускаются лица, прошедшие технический минимум по эксплуатации оборудования...
Оценка эффективности инструментов коммуникационной политики: Внешние коммуникации - обмен информацией между организацией и её внешней средой...
Когда производится ограждение поезда, остановившегося на перегоне: Во всех случаях немедленно должно быть ограждено место препятствия для движения поездов на смежном пути двухпутного...
Интересное:
Аура как энергетическое поле: многослойную ауру человека можно представить себе подобным...
Искусственное повышение поверхности территории: Варианты искусственного повышения поверхности территории необходимо выбирать на основе анализа следующих характеристик защищаемой территории...
Инженерная защита территорий, зданий и сооружений от опасных геологических процессов: Изучение оползневых явлений, оценка устойчивости склонов и проектирование противооползневых сооружений — актуальнейшие задачи, стоящие перед отечественными...
Дисциплины:
2021-04-19 | 116 |
5.00
из
|
Заказать работу |
При выборе транзистора будем руководствоваться следующими требованиями к его техническим характеристикам:
- Постоянный ток коллектора не менее 120 мА;
- Частота среза не менее 8.5 МГц;
Приведённым требованиям удовлетворяет кремниевый n-p-n транзистор КТ660Б. Данный транзистор предназначен для применения в переключающих и импульсных устройствах, в цепях вычислительных машин, в генераторах электрических колебаний и имеет следующие электрические параметры:
- Статический коэффициент передачи h21э тока в схеме ОЭ при Uкб=10 В, Iэ=2 мА: h21эмин = 200, h21эмакс = 450;
- Напряжение насыщения коллектор – эмиттер Uкэнас при Iк=500 мА, Iб=50 мА, не более: 0.5 В;
- Напряжение насыщения коллектор – эмиттер Uкэнас’ при Iк=10 мА, Iб=1 мА, не более: 0.035 В;
- Напряжение насыщения база – эмиттер Uбэнас при Iк=500 мА, Iб=50 мА, не более: 1.2 В;
- Ёмкость коллекторного перехода Ск при Uкб=10 В, не более: 10 пФ;
- Обратный ток коллектора Uкобр при Uкб=10 В, не более: 1 мкА;
- Обратный ток эмиттера Uэобр при Uбэ=4 В, не более: 0.5 мкА;
Предельные эксплуатационные данные:
- Постоянное напряжение коллектор – база Uкбmax: 30 В;
- Постоянное напряжение коллектор – эмиттер Uкэmax при Rбэ<1 кОм: 30 В;
- Постоянное напряжение коллектор–эмиттер Uкэmax при Iэ£10мА: 25 В
- Постоянное напряжение база–эмиттер Uбэmax: 5 В;
- Постоянный ток коллектора Iкmax: 800 мА;
- Постоянная рассеиваемая мощность коллектора Pmax: 0.5 Вт.
Далее зададим режим работы транзистора (рабочую точку). Для выбора режима используется семейство выходных характеристик транзистора для схемы с общим эмиттером, параметром которых является ток базы. При этом должно выполняться следующее условие для напряжения покоя коллектора: Uкэо £ 0.45×Uкmax. Пусть (с учётом приведённого условия) Uкэо=6 В. Поскольку для модуляции полупроводникового лазера необходим пороговый ток 40 мА, то Iко=40 мА, тогда ток покоя базы Iбо=0.135 мА. Поскольку максимальный ток накачки лазера 120 мА, то максимальный ток коллектора составит Iкм=120 мА, тогда Uкэм=1.7 В и Iбм=0.47 мА. По входным характеристикам транзистора определим напряжение базы покоя Uбо=0.71 В и Амплитудное значение Uбм=0.74 В.
Таким образом, режим работы транзистора определяется следующими параметрами:
- напряжение покоя коллектора: Uкэо=6 В;
- ток покоя коллектора: Iко=40 мА;
- ток покоя базы: Iбо=0.135 мА;
- напряжение покоя базы: Uбо=0.71 В;
- Амплитуда тока базы: Iбм=0.47 мА;
- Амплитуда напряжения на коллекторе: Uкэм=1.7 В;
- Амплитуда тока коллектора: Iкм=120 мА;
- Амплитуда напряжения на базе: Uбм=0.74 В.
Задав режим работы транзистора, переходим к расчету элементов схемы модулятора (рисунок 6.4). Здесь транзистор включен по схеме с общим эмиттером, а полупроводниковый лазер находится в цепи коллектора.
Падение напряжения в эмиттерной цепи должно удовлетворять условию:
где Еп – напряжение питания модулятора.
Зададимся стандартным напряжением питания Еп=12 В, тогда:
Сопротивление Rэ рассчитывается по формуле:
Ток делителя Iд должен не менее, чем в шесть раз превосходить ток покоя базы Iбо:
Соотношение между напряжением на эмиттерном сопротивлении и сопротивлении фильтра можно распределить по-разному. Для обеспечения более глубокой стабилизациирежима лучше взять URэ ≥ Uф.
Пусть:
Тогда сопротивление фильтра определяется следующим образом:
Падение напряжения на сопротивлении делителя Rб’’ равно сумме падения напряжения на сопротивлении в цепи эмиттера и напряжении смещения на базе транзистора:
Тогда сопротивление делителя Rб’’:
Аналогично найдём сопротивление Rб’:
Для схемы с эмиттерной стабилизацией напряжение питания распределяется между тремя резисторами выходной цепи (Rэ, Rк, Rф), лазерным излучателем и транзистором:
,где Uд = 2 В – падение напряжения на полупроводниковом лазере;
URф – падение напряжения на сопротивлении в цепи коллектора.
Осюда:
Тогда сопротивление в цепи коллектора равно:
Состав сооружений: решетки и песколовки: Решетки – это первое устройство в схеме очистных сооружений. Они представляют...
История развития пистолетов-пулеметов: Предпосылкой для возникновения пистолетов-пулеметов послужила давняя тенденция тяготения винтовок...
Типы оградительных сооружений в морском порту: По расположению оградительных сооружений в плане различают волноломы, обе оконечности...
История создания датчика движения: Первый прибор для обнаружения движения был изобретен немецким физиком Генрихом Герцем...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!