Индивидуальные очистные сооружения: К классу индивидуальных очистных сооружений относят сооружения, пропускная способность которых...
Особенности сооружения опор в сложных условиях: Сооружение ВЛ в районах с суровыми климатическими и тяжелыми геологическими условиями...
Топ:
Марксистская теория происхождения государства: По мнению Маркса и Энгельса, в основе развития общества, происходящих в нем изменений лежит...
Комплексной системы оценки состояния охраны труда на производственном объекте (КСОТ-П): Цели и задачи Комплексной системы оценки состояния охраны труда и определению факторов рисков по охране труда...
Особенности труда и отдыха в условиях низких температур: К работам при низких температурах на открытом воздухе и в не отапливаемых помещениях допускаются лица не моложе 18 лет, прошедшие...
Интересное:
Искусственное повышение поверхности территории: Варианты искусственного повышения поверхности территории необходимо выбирать на основе анализа следующих характеристик защищаемой территории...
Что нужно делать при лейкемии: Прежде всего, необходимо выяснить, не страдаете ли вы каким-либо душевным недугом...
Мероприятия для защиты от морозного пучения грунтов: Инженерная защита от морозного (криогенного) пучения грунтов необходима для легких малоэтажных зданий и других сооружений...
Дисциплины:
2020-10-20 | 115 |
5.00
из
|
Заказать работу |
|
|
Тиристор — полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми состояниями, имеющий три (и более) р-п -переходов, который может переключаться из закрытого состояния в открытое, и наоборот.
На рис. 1.23, а приведена обобщенная структурная схема тиристора. Верхняя p -область соединяется с выводом А (анодом), нижняя n – с выводом К (катодом). Внутренние p - и n- области могут снабжаться управляющими выводами У 1 и У 2.
При анализе работы тиристор представляют обычно в виде двух взаимодействующих биполярных транзисторов (рис. 1.23, б). На рис. 1.23, в приведен схемотехнический эквивалент такого представления. В зависимости от наличия управляющих выводов Уk тиристоры подразделяют на диодные (динисторы), у которых отсутствуют выводы управления, и триодные (тринисторы).
Приложим к структуре (рис. 1.23, а) напряжение питания U п, смещающее в прямом направлении эмиттерные p-n -переходы 1 и 3 транзисторов VT 1 и VT 2, образованные крайними областями структуры. При этом средний p-n -переход 2 смещен в обратном направлении, и ток в структуре отсутствует. По мере увеличения напряжения p-n- переход 2 (см. коллекторные переходы транзисторов VT 1 и VT 2 на рис. 1.23, в) глубже смещается в обратном направлении и достигает напряжения электрического пробоя.
При этом появляются коллекторные токи транзисторов, причем ток I К1 = I Б2 и ток I К2 = I Б1. Это приводит к еще большему увеличению коллекторных токов. В структуре развивается лавинообразный процесс, приводящий к насыщению транзисторов VT 1 и VT 2. Напряжение между выводами анода и катода тиристора снижается и ток достигает значения тока нагрузки I н ≈ U п/ R н.
Описанному процессу соответствует ВАХ при токе управления I У = 0, представленная на рис. 1.24. На ней можно выделить несколько характерных областей: 0 а (0 ≤ u (t) ≤ U от0) – прямое непроводящее состояние тиристора (область большого сопротивления), аб – область отрицательного сопротивления, бв (i (t) ≥ I уд) – включенное состояние тиристора (область малого сопротивления), 0 д (0 ≥ u (t) ≤ | U проб|) – область обратного непроводящего состояния.
|
Напряжение U от называют напряжением включения (отпирания) тиристора (динистора). Отметим, что участок отрицательного сопротивления является неустойчивым, поэтому прибор способен скачком переходить с участка 0 а на участок бв ВАХ и обратно, т.е. тиристор может быть использован в качестве электронного ключа. Для выключения прибора необходимо либо уменьшить его ток I a до величины, меньшей тока удержания I уд, либо уменьшить напряжение питания U п до нуля.
Отметим разновидность тиристоров, обратная ветвь ВАХ которых подобна характеристике прямо смещенного диода (участок 0 г ВАХ, см. рис. 1.24). Это достигается введением в структуру дополнительного встречно включенного диода.
Тринистор отличается от динистора наличием управляющего вывода У, к которому подключается управляющее напряжение U У. При этом через базу одного из транзисторов структуры протекает управляющий ток I У, приводящий к уменьшению напряжения U от0. В зависимости от того, через базу какого из транзисторов структуры протекает ток, различают управление тиристором по катоду (используется вывод У 1) или по аноду (используется вывод У 2) (см. рис. 1.23, а). На процессы переключения это не оказывает существенного влияния.
Тринистор чаще всего используют как управляемый электронный ключ. При этом внешнее напряжение (U п, см. рис. 1.23, а) выбирают меньшим, чем напряжение U от0. Поэтому при отсутствии управляющего напряжения U У (тока I У) тринистор надежно заперт (участок 0 а ВАХ). При появлении управляющего тока (например, I У2, см. рис. 1.24) напряжение включения U от2 снижается и тринистор переходит во включенное состояние (участок бв ВАХ). После этого управляющий ток может быть отключен, но тринистор будет находиться во включенном состоянии до момента снижения его тока менее I уд или снижения напряжения питания U п менее U от0. Таким образом, для включения тринистора могут использоваться короткие импульсы тока.
|
Среди разновидностей отметим так называемые запираемые> тиристоры, способные переходить из включенного состояния в выключенное при подаче соответствующего сигнала управления, и симметричные тиристоры, ВАХ которых симметрична относительно начала координат.
Симметричные тиристоры строят на пятислойной структуре и выполняют как с управляющим выводом (такой прибор называют симистором или диак). Данный тип прибора используют для коммутации нагрузки в цепях переменного тока.
На рис. 1.25 приведены условные графические обозначения тиристоров: динистор (а), симметричный динистор – диак (б), тринистор с управлением по катоду не запираемый (в) и запираемый (д), тринистор управляемый по аноду не запираемый (г) и запираемый (е), симистор (ж).
|
|
Индивидуальные и групповые автопоилки: для животных. Схемы и конструкции...
Папиллярные узоры пальцев рук - маркер спортивных способностей: дерматоглифические признаки формируются на 3-5 месяце беременности, не изменяются в течение жизни...
Своеобразие русской архитектуры: Основной материал – дерево – быстрота постройки, но недолговечность и необходимость деления...
Автоматическое растормаживание колес: Тормозные устройства колес предназначены для уменьшения длины пробега и улучшения маневрирования ВС при...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!