Двойное оплодотворение у цветковых растений: Оплодотворение - это процесс слияния мужской и женской половых клеток с образованием зиготы...
Поперечные профили набережных и береговой полосы: На городских территориях берегоукрепление проектируют с учетом технических и экономических требований, но особое значение придают эстетическим...
Топ:
Теоретическая значимость работы: Описание теоретической значимости (ценности) результатов исследования должно присутствовать во введении...
Генеалогическое древо Султанов Османской империи: Османские правители, вначале, будучи еще бейлербеями Анатолии, женились на дочерях византийских императоров...
Характеристика АТП и сварочно-жестяницкого участка: Транспорт в настоящее время является одной из важнейших отраслей народного...
Интересное:
Уполаживание и террасирование склонов: Если глубина оврага более 5 м необходимо устройство берм. Варианты использования оврагов для градостроительных целей...
Наиболее распространенные виды рака: Раковая опухоль — это самостоятельное новообразование, которое может возникнуть и от повышенного давления...
Средства для ингаляционного наркоза: Наркоз наступает в результате вдыхания (ингаляции) средств, которое осуществляют или с помощью маски...
Дисциплины:
2020-10-20 | 293 |
5.00
из
|
Заказать работу |
|
|
Транзистор может работать на постоянном токе, малом переменном сигнале, большом переменном сигнале и в ключевом режиме. Входные и выходные характеристики транзистора обычно приводятся в справочниках (каталогах) транзисторов, которые широко используют для анализа работы транзисторов и для расчета схем при больших сигналах
При расчете устройств с бинарными транзисторами часто их представляют в виде четырехполюсников. Как любой четырехполюсник, БТ характеризуется входными и выходными вольт-амперными характеристиками (ВАХ). Эти характеристики для схемы включения с ОЭ изображены на рис. 1.12, а и б.
Входная ВАХ БТ практически повторяет ВАХ полупроводникового диода. Незначительное ее смещение при напряжении U КЭ > 0 обусловлено тепловым током обратно смещенного коллекторного перехода.
На семействе выходных ВАХ БТ можно выделить три области, соответствующие различным режимам его работы: область 1, соответствующая режиму насыщения, область активного режима работы 2 и область 3, соответствующая режиму отсечки.
В режимах отсечки и насыщения управление транзистором практически отсутствует. В активном режиме транзистор выполняет функцию активного элемента электрических схем усиления сигналов, генерирования колебаний, переключения и т.п.
Семейства входных и выходных
статических характеристик транзистора в схеме с ОЭ могут быть получены в результате эксперимента или расчёта.
12. h -параметры БТ
П ри расчете устройств с небольшими изменениями входных сигналов часто используют h -параметры транзистора, представляя его в виде линейного четырехполюсника, описываемого системой из двух уравнений, в которых индекс ‘Э’ у коэффициентов уравнений указывает, что они относятся к схеме с ОЭ:
|
где – входное динамическое сопротивление транзистора (h 11Э = 100-1000 Ом);
– безразмерный коэффициент внутренней обратной связи по напряжению, значение которого лежит в пределах 0,002-0,0002);
– коэффициент передачи тока при постоянном напряжении на коллекторе; его также обозначают K i или β (h 21Э = 15-200);
– выходная проводимость транзистора при постоянном токе базы (h 22Э = 10-4-10-6 См).
Частотные свойства БТ
Наличие эффекта изменения объемного заряда в области базы, входной C БЭ и проходной C БК емкостей p-n -переходов отражается на его частотных свойствах, которые оценивают обычно частотами среза: нижней f н и верхней f в коэффициента передачи по току h 21Э.
На рис 1.15 представлена амплитудно-частотная характеристика (АЧХ) коэффициента передачи по току h 21Э в функции от частоты f входного сигнала u вх
Физический смысл предельных частот среза f н и f в коэффициента h 21Э – это частоты, на которых модуль коэффициента h 21Э снижается не более, чем в 1/√2 ≈ 0,707 раз, по сравнению с его значением в полосе пропускания Δ f = f в – f н.
14. Составной транзистор
Как следует из табл. 1.2, усилительные свойства БТ определяются параметром h 21Э. Этот параметр зависит от конструкции прибора (фактически от толщины базового слоя), поэтому его значение ограничено технологическими возможностями. Как правило, значение h 21Э не превышает одну-две сотни у маломощных и нескольких десятков у мощных БТ.
Эффективным способом увеличения коэффициента h 21Э является использование структуры составного транзистора, в которой выходной ток одного БТ используется в качестве управляющего тока для другого БТ.
Cхемы составного транзистора эквивалентных структур п-р-п (схема Дарлингтона) (а) и p-n-p (схема Шиклая) (б) представлены на рис. 1.16. В первом приближении можно полагать, что при таком включении транзисторов VT 1 и VT 2 результирующий коэффициент передачи по току
|
h 21Э.∑ = h 21Э.1 h 21Э.2. (1.7)
Контрольные вопросы по теме 1
1. Какими зарядами создаётся запирающий слой р-п -перехода и внутреннее электрическое поле перехода?
2. Объясните зависимость ширины запирающего слоя р-п -перехода от полярности приложенного напряжения.
|
|
Автоматическое растормаживание колес: Тормозные устройства колес предназначены для уменьшения длины пробега и улучшения маневрирования ВС при...
Организация стока поверхностных вод: Наибольшее количество влаги на земном шаре испаряется с поверхности морей и океанов (88‰)...
Наброски и зарисовки растений, плодов, цветов: Освоить конструктивное построение структуры дерева через зарисовки отдельных деревьев, группы деревьев...
Состав сооружений: решетки и песколовки: Решетки – это первое устройство в схеме очистных сооружений. Они представляют...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!