Ограничения при обращении к пространству памяти — КиберПедия 

Организация стока поверхностных вод: Наибольшее количество влаги на земном шаре испаряется с поверхности морей и океанов (88‰)...

Адаптации растений и животных к жизни в горах: Большое значение для жизни организмов в горах имеют степень расчленения, крутизна и экспозиционные различия склонов...

Ограничения при обращении к пространству памяти

2020-04-01 64
Ограничения при обращении к пространству памяти 0.00 из 5.00 0 оценок
Заказать работу

 

Три внутренних шины (DM, РМ и I/O) ADSP-2106x могут использоваться для обращения к карте памяти процессора согласно следующим правилам:

По шине DM можно обращаться ко всему пространству памяти.

По шине РМ можно обращаться только к пространству внутренней памяти и к 12 младшим мегасловам пространства внешней памяти.

По шине I/O можно обращаться ко всему пространству памяти, за исключением отображенных в карте памяти регистров ЮР (в пространстве внутренней памяти).

Заметим, что в Версии кристалла 1.0 ( Silicon Revision 1.0) и более ранних версиях при операции адресации с предмодификацией не должно изменяться пространство памяти адреса. Например, предмодификация адреса в пространстве внутренней памяти не должна давать адрес в пространстве внешней памяти. Есть одно исключение из этого правила: команда косвенного перехода (JUMP) или команда вызова (CALL) с пред-модификацией адреса могут вызывать переход из внутренней памяти во внешнюю. Версии кристалла 2.0 ( Silicon Revision 2.0) и более поздние версии не имеют ограничений на предмодификацию.

 

Интерфейс внешней памяти

 

Процессор ADSP-2106x обеспечивает адресацию через внешний порт до 4 гигаслов памяти, расположенной вне кристалла. Это внешнее адресное пространство включает пространство памяти многопроцессорной системы (память на кристалле других ADSP-2106x, объединенных в многопроцессорную систему), а также пространство внешней памяти (область памяти, расположенной вне кристалла).

Сигналы управления памятью позволяют осуществлять прямое соединение с быстрыми статическими устройствами памяти (SRAM). Могут также использоваться отображенные в карте памяти периферийные устройства и более медленная память с определяемой пользователем комбинацией программируемых состояний ожидания и аппаратных сигналов подтверждения связи. Выводы SBTS (перевод шины в третье состояние) и PAGE (граница страницы) могут использоваться для интерфейса с динамической памятью (DRAM).

Во внешней памяти могут храниться и команды, и данные. Внешняя шина данных (DATA47) должна быть 48-разрядной для передачи команд и/или 40-разрядных данных с плавающей точкой повышенной точности, или 32-разрядной для передачи данных с плавающей точкой одиночной точности. Если внешняя память содержит только данные или упакованные команды, которые будут передаваться по DMA, то внешняя шина данных может быть 16 - или 32-разрядной. В системе такого типа устройство ввода-вывода процессора ADSP-2106х осуществляет распаковку входящих данных и упаковку выходящих данных.

 

Банки внешней памяти

 

Внешняя память разделена на четыре равных банка; каждый из этих банков связан с собственным генератором состояний ожидания. Это позволяет отображать более медленные периферийные устройства в карту памяти того банка, для которого определено конкретное число состояний ожидания. Отображая периферийные устройства в различных банках, вы можете обеспечить работу устройств I/O, которые имеют различные требования к синхронизации.

Банк 0 начинается с адреса 0x0040 0000 во внешней памяти, за ним следуют банки 1, 2 и 3. Когда ADSP-2106x генерирует адрес, находящийся внутри одного из четырех банков, то активизируются соответствующие линии выбора памяти MSo.

Выводы могут использоваться как выбор кристалла для памяти или других внешних устройств, устраняя тем самым необходимость во внешней декодирующей логике. MSo обеспечивает линию выбора банка динамической памяти DRAM, когда он используется в комбинации с сигналом PAGE (см. "Обнаружение границы страницы DRAM").

Размер банков памяти может быть от 8 килослов до 256 мегаслов и должен быть равен степени двойки. Выбор размера банка памяти выполняется с помощью поля бит MSIZE регистра SYSCON следующим образом:

 

MSIZE = log, (желаемый размер банка) - 13.

 

Линии MSi-o ~ линии декодированного адреса памяти, состояние которых изменяется в то же самое время, что и у других линий адреса. Когда нет  обращения к внешней памяти, то линии MS-i-o неактивны. Однако они активны, когда выполняется условная команда обращения к памяти, независимо от того, истинно условие или нет.д.ля обеспечения правильной работы условные команды записи в память не должны применяться в системах, использующих сигнал SW > если такое обращение в память не может быть прервано.

Заметим, что внутренняя память ADSP-2106x разделена на два блока, называемые блок 0 и блок 1, в то время как пространство внешней памяти разделено на четыре банка.

 

Небанковая память

 

Область памяти выше банков 0-3 называется небанковым пространством внешней памяти. Для доступа в это адресное пространство линии выбора памяти MSX не выставляются. Доступ к небанковому пространству памяти может также иметь состояния ожидания, определенные в полях UBWS и UBWM регистра WAIT.

 


Поделиться с друзьями:

Эмиссия газов от очистных сооружений канализации: В последние годы внимание мирового сообщества сосредоточено на экологических проблемах...

Индивидуальные очистные сооружения: К классу индивидуальных очистных сооружений относят сооружения, пропускная способность которых...

Поперечные профили набережных и береговой полосы: На городских территориях берегоукрепление проектируют с учетом технических и экономических требований, но особое значение придают эстетическим...

Состав сооружений: решетки и песколовки: Решетки – это первое устройство в схеме очистных сооружений. Они представляют...



© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!

0.012 с.