Решаемые задачи и область применения

Основные задачи при этой схеме базирования - определить положение заготовки для образования новых плоскостей, отверстий, пазов и др. элементов на заданных расстояниях от трёх взаимно перпендикулярных базовых плоскостей, перпендикулярно, параллельно или под заданным углом к ним.

Рис.3.1. Распределение степеней свободы между базовыми плоскостями призматической заготовки

Базирование по трём плоскостям применяют для призматических заготовок и для разнообразных по форме заготовок, имеющих хотя бы две взаимноперпендикулярные плоскости (рис.3.1). Базовые плоскости могут быть не взаимно перпендикулярными, но при этом возникает погрешность базирования (см. ниже).

Распределение степеней свободы

При базировании по плоскостям технологическими базами являются:

Установочнаябаза лишает заготовку 3-х степеней свободы;

Направляющаябаза - 2-х степеней свободы;

Опорная база (1-ой степени свободы).

Установочная база лишает заготовку перемещения вдоль оси Z и поворотов относительно осей Y (φ_Y) и X (φ_X). В качестве установочной базы принимают наиболее развитую плоскость, обеспечивающую наибольшую устойчивость заготовки, на которую будет направлено усилие закрепления.

Направляющая база лишает заготовку перемещения вдоль оси Y и поворотов относительно осиZ(φ_z). В качестве направляющей базы принимают более длинную вдоль соответствующей координаты плоскость.Чем больше длина между опорными точками на ней, тем меньше возможная погрешность поворота (φ_z).

В качестве опорной базы принимаютлюбую плоскость. Опорная база лишает заготовку перемещения вдоль оси Х (φ_X).

Во время закреплениязаготовки распределение степеней свободы между выбранными базамиможет измениться, в зависимости от направления действия силызакрепления W (рис. 3.2). Учитывая возможную неперпендикулярность базовых плоскостей между собой, нижняя база будет установочной, если сила Wбудет направлена на неё (рис. 3.2, а). В случае по рис. 3.2, б нижняя плоскость заготовки будет оторвана от опор, и не будет лишать заготовку трёх степеней свободы.

Погрешности базирования

Погрешности базирования появляются при явном или скрытом несовмещении технологической и измерительной баз. Случай явного несовмещения баз был рассмотрен на лекции 2 (рис. 2.5, а).

Пример скрытого несовмещения баз показан на рис.3.3. Выполняемое отверстие должно расположиться на расстоянии А от верхней кромки О этой плоскости. Кромка О принадлежит наклонной плоскости, и выбор последней в качестве направляющей технологической базы внешне не противоречит правилу совмещения измерительной и технологической баз.

Однако угол наклона γ на партии заготовок варьируется в пределах некоторого углового допуска IT _γ. Соответственно координата А будет выполнена с погрешностью базирования e_А, вычисляемой с помощью геометрических построений (см. треугольники omp и onp):

(3.1)

БАЗИРОВАНИЕ ПО НАРУЖНЫМ ЦИЛИНДРИЧЕСКИМ ПОВЕРХНОСТЯМ