Автоматическое растормаживание колес: Тормозные устройства колес предназначены для уменьшения длины пробега и улучшения маневрирования ВС при...
Семя – орган полового размножения и расселения растений: наружи у семян имеется плотный покров – кожура...
Топ:
Особенности труда и отдыха в условиях низких температур: К работам при низких температурах на открытом воздухе и в не отапливаемых помещениях допускаются лица не моложе 18 лет, прошедшие...
Когда производится ограждение поезда, остановившегося на перегоне: Во всех случаях немедленно должно быть ограждено место препятствия для движения поездов на смежном пути двухпутного...
Характеристика АТП и сварочно-жестяницкого участка: Транспорт в настоящее время является одной из важнейших отраслей народного хозяйства...
Интересное:
Искусственное повышение поверхности территории: Варианты искусственного повышения поверхности территории необходимо выбирать на основе анализа следующих характеристик защищаемой территории...
Подходы к решению темы фильма: Существует три основных типа исторического фильма, имеющих между собой много общего...
Как мы говорим и как мы слушаем: общение можно сравнить с огромным зонтиком, под которым скрыто все...
Дисциплины:
2017-12-21 | 287 |
5.00
из
|
Заказать работу |
|
|
Помехоустойчивость логических ИС принято характеризовать параметром, называемым статической помехоустойчивостью. Статическая помехоустойчивость - это наименьшее постоянное напряжение, которое, будучи добавлено (при самом неблагоприятном сочетании обстоятельств) к полезному входному сигналу, вызовет ошибку по всей последующей цепи логических схем. Статическая помеха наблюдается в тех случаях, когда относительно велико сопротивление проводников, подводящих к ИС напряжение питания. В схемах ТТЛ помехоустойчивость выше благодаря наличию смещающих р-n-переходов на входах инверторов. Допустимая статическая помеха для этих схем равна 0,4-1,1 В. [2]
Рассчитаем помехоустойчивость по отношению к помехам положительной полярности на входе:
;
Рассчитаем помехоустойчивость по отношению к помехам отрицательной полярности на входе:
ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ПРОЦЕСС ИЗГОТОВЛЕНИЯ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
1. Составление партии пластин.
2. Химическая обработка пластин.
3. Термическое окисление Si. Пластина после термического окисления
4. Фотолитография по окислу кремния. Вид структуры после фотолитографии
5. Имплантация ионов сурьмы.
6. Термическая диффузия имплантированных ионов сурьмы Sb+. Проводится при температуре Т = 1220 0С и времени t = 12 ч.
структура после термической диффузии
7. Травление окисла и химическая обработка пластины.
травление окисла
8. Наращивание эпитаксиального слоя.
структура после эпитаксиального наращивания
9. Химическая обработка.
10. Термическое окисление.
11. Фотолитография под разделительные дорожки.
12. Химическая обработка.
13. Термическая диффузия бора B для создания разделительных дорожек.
|
14. Фотолитография по окислу кремния для создания базовых областей.
15. Химическая обработка.
16. Имплантация ионов бора.
17. Термическая диффузия имплантированных ионов бора.
18. Фотолитография по окислу кремния под эмиттер.
19. Химическая обработка.
20. Диффузия фосфора в область эмиттера.
21. Фотолитография под контактные окна.
22. Контроль электрических параметров элементов.
23. Химическая обработка.
24. Напыление алюминия.
/
25. Фотолитография по алюминию.
26. Вплавление алюминия.
РАСЧЕТ ПЛОЩАДИ ВЕНТИЛЯ
Данные для расчета площади вентиля [3]
- размер контактных площадок для приварки проводников l1; 90мкм
- расстояние от края скрайбирующей полосы до края диффузионной области l2; 15мкм
- длина проводника l3; 40мкм
- расстояние между краем разделительной области и краем скрытого n+-слоя l4; 5мкм
- ширина транзистора VT1 l5; 25мкм
- щирина области разделительной диффузии l6; 3мкм
- ширина транзистора VT2 l7; 30мкм
- щирина резистора l8; 4мкм
- длина транзистора VT1 l9. 65мкм
90+30+40+10+25+9+30+4=238мкм
Для удобства изготовления длину топологической площадки выбираем равной щирине
L=240мкм.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
В ходе курсовой работы был сделан расчет статистических параметров а также статической помехоустойчивости базового ТТЛШ вентиля. Все полученные значения удовлетворяют нормальной работе элемента транзисторно-транзисторной логики. Также в ходе этой работы был сделан топологический чертеж транзистора и его вертикальная структура, был произведен расчет площади вентиля.
|
|
История создания датчика движения: Первый прибор для обнаружения движения был изобретен немецким физиком Генрихом Герцем...
Кормораздатчик мобильный электрифицированный: схема и процесс работы устройства...
Индивидуальные и групповые автопоилки: для животных. Схемы и конструкции...
Эмиссия газов от очистных сооружений канализации: В последние годы внимание мирового сообщества сосредоточено на экологических проблемах...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!