П17. микросхемы (технология и устройство)

Задача 17.1. Микропроцессорная система в качестве обязательного элемента содержит: А: операционный усилитель; Б: триггер; В: микроЭВМ; Г: арифметико-логическое устройство.

Задача 17.2. На рисунке П17.1 представлен элемент памяти с плавающим затвором и его характеристика. Какой процесс предваряет запись лог. 1? А: пробой стокового перехода и внедрение дырок в затвор; Б: пробой стокового перехода и внедрение электронов в затвор; В: ультрафиолетовое облучение; Г: подача отрицательного импульса на контакт затвора.

Рис. П17.1 Рис. П17.2

Задача 17.3. На рисунке П17.2 представлен элемент памяти с плавающим затвором и его характеристика. Какой процесс предваряет запись лог. 0?. А: пробой стокового перехода и внедрение электронов в подложку; Б: пробой стокового перехода и внедрение электронов в затвор; В: ультрафиолетовое облучение; Г: подача отрицательного импульса на контакт затвора.

Задача 17.4. На рисунке П17.3 представлено ПЗУ на пять пятиразрядных слов в виде матрицы 5х5, состоящей из 5 строк и 5 столбцов, в точках пересечения которых включаются элементы памяти, выполненные в виде прямосмещенных диодов. На шину адреса подается код 0100. Какой код появляется на выходе шины данных? А: 10101; Б: 11001; В:11111; Г: 01001.

Задача 17.5. На шину (см. условие задачи 17.4) адреса подается код 0011. Какой код появляется на выходе шины данных (рис. П17.3)? А: 10101; Б: 11001; В:11111; Г: 01011.

Задача 17.6. Какой код (см. условие задачи 17.4) подан на шину адреса (рис. П17.3), если на выходе число 01001? А: 1000; Б: 0010; В: 0011; Г: 0000.

Задача 17.7. Какой код (см. условие задачи 17.4) подан на шину адреса (рис. П17.3), если на выходе число 01001? А: 1000; Б: 0010; В: 0011; Г: 0000.

Рис. П17.3 Рис. П17.4

Задача 17.8. На шину (см. задачу 17.4) адреса (рис. П17.3) подается код 0100. Код какого числа появляется на выходе шины данных? А: 41; Б: 11001; В: 31; Г: 25.

Задача 17.9. В схеме (рис. П17.4) в ячейку памяти записывается слово с разрядностью: А: 2; Б: 4; В: 32; Г: 8.

Задача 17.10. При подаче на адресные входы (рис. П17.4) кода 01011 активизируется транзистор: А: VT 11; Б: VT 26; В: VT 10; Г: VT 9.

Задача 17.11. В транзисторе VT 0 (рис. П17.4) пережгли перемычки ПП с номерами 2, 6, 7. Подан код адреса 00000. Считывается слово: А: 00000; Б: 01000110; В: 01100010; Г: 10011101.

Задача 17.12. В транзисторе VT 5 (рис. П17.4) пережгли перемычки ПП с номерами 2, 6, 7. В транзисторе VT 30 пережгли перемычки ПП с номерами 1, 5, 7. В транзисторе VT 10 пережгли перемычки ПП с номерами 3, 7, 8. В транзисторе VT 15 пережгли перемычки ПП с номерами 1, 4, 8. Какой код адреса следует подать, чтобы на выходе получить слово 11000100? А: 00110; Б: 01011; В: 11110; Г: 111110.

Задача 17.13. В транзисторе VT 10 (рис. П17.4) пережгли перемычки ПП с номерами 3, 7, 8. В транзисторе VT 5 пережгли перемычки ПП с номерами 2, 6, 7. В транзисторе VT 30 пережгли перемычки ПП с номерами 1, 5, 7. В транзисторе VT 15 пережгли перемычки ПП с номерами 1, 4, 8. Какой код адреса следует подать, чтобы на выходе получить слово 01010001? А: 00110; Б: 01011; В: 11110; Г: 111110.

Рис. П17.5 Рис. П17.6

Задача 17.14. В транзисторе VT 15 пережгли перемычки ПП с номерами 1, 4, 8. В транзисторе VT 5 пережгли перемычки ПП с номерами 2, 6, 7. В транзисторе VT 30 пережгли перемычки ПП с номерами 1, 5, 7. В транзисторе VT 10 пережгли перемычки ПП с номерами 3, 7, 8. Какой код адреса следует подать, чтобы на выходе получить слово 10001001? А: 00110; Б: 01011;
В: 11110; Г: 111110.

Задача 17.15. Какие диоды (рис. П17.5) следует пробить (разрушить), чтобы при адресе 0101 на выходе был код 01011? А: 53, 55; Б: 51, 52, 54;
В: 25, 23; Г: 21, 22, 24; Д: 31, 51; Е: 15, 25, 45.

Задача 17.16. Какие диоды (рис. П17.5) следует пробить (разрушить), чтобы при адресе 0011 на выходе был код 11001? А: 55, 53; Б: 51, 52, 54;
В: 32, 33; Г: 21, 22, 24; Д: 31, 51; Е: 15, 25, 45.

Задача 17.17. Какая информационная емкость микросхемы, указанной на рисунке П17.6? А: 20 кбит; Б: 2 кБ; В: 1 байт; Г: 25 бит.

Рис. П17.7 Рис. П17.8

Задача 17.18. Микросхема (рис. П17.7) имеет одноразрядную организацию ОЗУ. Дешифратор имеет 11 входов; N = 8. Информационная емкость равна: А: 4 кБайт; Б: 3 кБайт; В: 2 кБайт; Г: 1 кБайт.

Задача 17.19. Микросхема (рис. П17.7) имеет одноразрядную организацию ОЗУ. Дешифратор имеет 12 входов; N = 8. Информационная емкость равна: А: 4 кБайт; Б: 3 кБайт; В: 2 кБайт; Г: 1 кБайт.

Задача 17.20. Микросхема (рис. П17.7) имеет одноразрядную организацию ОЗУ. Дешифратор строк - 6 входов; дешифратор 7 входов; N = 8. Информационная емкость равна: А: 4 кБайт; Б: 8 кБайт; В: 2 кБайт; Г: 1 кБайт.

Задача 17.21. Какой буквой (рис. П17.8) отмечено УГО схемы ИМС с открытым коллектором?

Задача 17.22. Какой буквой (рис. П17.8) отмечено УГО схемы ИМС с открытым эмиттером?

Задача 17.23. Какой буквой (рис. П17.8) отмечено УГО ИМС с третьим состоянием?

Задача 17.24. Сколько генераторов и усилителей полупроводниковых колебаний может быть размещено в объеме одного полупроводникового кристалла интегральной микросхемы? А: один; Б: до десяти; В: до 100; Г: любое из указанных чисел.

Задача 17.25. Какие из микросхем изготавливаются с помощью метода фотолитографии? А: только гибридные; Б: только твердотельные; В: гибридные и твердотельные; Г: аналоговые.

 

РЕКОМЕНДУЕМАЯ ЛИТЕРАТУРА

Основная литература

1. Власов А.Б. Электроника. Часть I ²Элементы электронных схем². - Мурманск: МГТУ, 2007. - 157 с.

2. Власов А.Б. Электроника. Часть II ²Основные аналоговые элементы и узлы электронной аппаратуры². -Мурманск: МГТУ, 2008.- 202 с.

3. Власов А.Б. Электроника. Часть III ²Основные цифровые элементы и узлы электронной аппаратуры². -Мурманск: МГТУ, 2008.- 207 с.

4. Власов А.Б., Физические основы электронной техники: Учеб. пособие. Ч.1. Физика полупроводников. Мурманск: МГАРФ, 1994, 143 с.: ил.; Ч. 2. Физика полупроводниковых приборов. Мурманск: МГАРФ, 1994, 134 с.: ил.

5. Власов А.Б., Черкесова З.Н. Задачи и методы их решения по курсу ²Электротехника и электроника. Мурманск: МГТУ, 2009. 129 с.

6. Власов, А.Б. Виртуальный лабораторный практикум ″Электроника″, – Мурманск: Изд-во МГТУ, 2010. 137с.

7. Власов, А.Б., Черкесова З.Н. Лабораторный практикум ″Электроника″, – Мурманск: Изд-во МГТУ, 2010. – 117 с.

Дополнительная

8. В.И. Карлащук. Электронная лаборатория на IBM PC. -М.: Солон - Пресс, 2006.

9. Г.А. Кардашев. Виртуальная электроника. М.: Горячая Линия, 2002. - 206 с.

10. Бабич Н.П. Основы цифровой схемотехники. М.: Додэка-ХХI, Киев: МК-Пресс, 2007. -480 с.

11. Шило В.Л. Популярные цифровые микросхемы: Справочник. -М.: Радио и связь, 1987. - 352 с.

12. Кучумов А.И. Электроника и схемотехника: Учебное пособие. 2-е изд., перераб. и доп. -М.: Гелиос, АВР, 2004. -336 с.

13. Алексенко А.Г. и др. Применение прецизионных аналоговых микросхем / А.Г. Алексенко, Е. А. Коломбет, Г.И. Стародуб. - 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Радио и связь, 1985. - 256 с.

14. Электроника: справ. кн. / под ред. Ю.А. Быстрова. - СПб.: Энергоатомиздат. СПб. отд-ние: 1996. - 554 с.

15. Штумпф, Э.П. Судовая электроника и силовая преобразовательная техника. -СПб.: Судостроение. 1993. - 362 с.

16. Источники электропитания радиоэлектронной аппаратуры: Справочник/ Г.С. Найвельт, К.Б. Мазель и др.; под ред. Г.С. Найвельта. - М.: Радио и связь, 1985. - 576 с.

17. Забродин Ю.С. Промышленная электроника: Учеб. пособие для вузов. - М.: Высш. шк., 1982. - 446 с.

18. Бобровников Л.З. Электроника: Учебник для вузов. – СПб.: Питер, 2004. – 560 с.

19. Гусев В.В., Гусев Ю.М. Электроника. М.: Высш. шк., 1991, 623 с.: ил.

20. Пасынков В.В. Материалы электронной техники. М.: Высш. шк., 1980.

 

 

ОГЛАВЛЕНИЕ

Введение………………………………………………………….
тема 1. ПРИБОРЫ, ИСПОЛЬЗУЕМЫЕ ДЛЯ ПРОВЕДЕНИЯ ИССЛЕДОВАНИЙ полупроводниковых приборов
1.1. Автоматические мосты переменного тока…………….
1.2. Осциллографы……………………………………………………..
1.3. Генераторы………………………………………………………….
Тема 2. Проводимость полупроводников и металлов
Лабораторная работа № 2.1 ″Исследование параметров терморезисторов″………..……………
2.1. Терморезисторы: термисторы и позисторы………………………
Подготовка к работе……………………….
Измерения и обработка результатов………
Лабораторная работа № 2.2 ″Исследование параметров варисторов″
2.2. Общие сведения о варисторах…………………………………….
Подготовка к работе……………………….
Измерения и обработка результатов………
Лабораторная работа № 2.3 ²Исследование метода термозонда и эффекта Холла²………………………
2.3. Определение типа носителей в полупроводниках………………
2.3.1. Метод термозонда…………………………………………..
2.3.2. Метод Холла………………………………………………
2.3.3. Определение концентрации и подвижности носителей…
Подготовка к работе……………………….
Измерения и обработка результатов………
ТЕМА 3. полупродниковые диоды ……….…..
Лабораторная работа № 3.1 ″Исследование полупроводниковых диодов″………………………………………
3.1. Характеристики полупроводниковых диодов……………………
Подготовка к работе……………………….
Измерения и обработка результатов………
Лабораторная работа № 3.2″Исследование полупроводниковых стабилитронов″…………………………...
3.2. Полупроводниковые стабилитроны и стабисторы………………
3.3. Описание стенда……………………………………………………
Подготовка к работе……………………….
Измерения и обработка результатов………
Лабораторная работа №3.3″Исследование светодиодов″……………….
3.4. Характеристики светодиодов...........................................................
3.4.1. Управляемые источника света. Светодиоды……………
3.4.2. Строение светодиодов……………………………………..
3.4.3. Общие сведения об обозначении светодиодов……………
3.4.4. Особенности лабораторной установки……………………
Подготовка к работе……………………….
Измерения и обработка результатов………
Лабораторная работа №3.4″Исследование фоторезисторов и фотодиодов″…………………………..
3.5. Общие сведения о фотоприемниках………………………………
3.5.1. Фоторезисторы……………………………………………
3.5.2. Параметры и характеристики фоторезистора…………….
3.5.3. Особенности работы фотодиодов………………………….
3.5.4. Описание установки………………………………………..
Подготовка к работе……………………….
Измерения и обработка результатов………
тема 4. биполярные транзисторы
Лабораторная работа №4.1 ″Статические характеристики биполярного транзистора″………………………………..
4.1. Характеристики биполярных транзисторов……………………...
4.1.1. Схемы включения биполярных транзисторов …………..
4.1.2. Схема с общей базой……………………………………….
4.1.3. Схема с общим эмиттером…………………………………
4.1.4. Описание установки………………………………………..
Подготовка к работе……………………….
Измерения и обработка результатов………
тема 5. Полевые транзисторы
Лабораторная работа № 5.1″Статические характеристики полевого транзистора″
5.1. Характеристики полевого транзистора…………………………..
5.1.1. Полевой транзистор с управляющим p-n -переходом…….
5.1.2. Полевой транзистор с изолированным затвором…………
5.1.3. Особенности схемы измерения……………………………
Подготовка к работе……………………….
Измерения и обработка результатов………
Тема 6. Элементы технологии производства ИМС
Лабораторная работа № 6.1″Исследование элементов технологии изготовления микросхем″…………….
6.1. Элементы технологии изготовления ИМС………………………
6.1.1. Классификация ИМС……………………………………….
6.1.2. Понятие о технологическом цикле производства ИМС….
6.1.3. Производство планарного биполярного транзистора…….
6.1.4. Производство планарного полевого транзистора………..
6.1.5. Структура транзисторов статических микросхем памяти..
6.1.6. Общие сведения о топологии микросхем памяти………...
6.1.7. Описание установки и процедуры испытаний……………
Подготовка к работе……………………….
Измерения и обработка результатов………
Приложение
Задачи по темам ²Аналоговая и цифровая электроника²
П1. Элементы электронных схем………………………..
П2. Диоды и тиристоры………………………………….
П3. Источники вторичного напряжения………………..
П4. транзисторы…………………………………………..
П5. Аналоговые устройства………………………………
П6. Операционные усилители и схемы на их основе…..
П7. Преобразовательные устройства и генераторы……..
П8. Стабилизаторы……………………………………….
П9. Логические микросхемы……………………………..
П10. Логические схемы…………………………………..
П11. Схемы на ЛЭ………………………………………..
П12. Триггеры……………………………………………...
П13. Регистры и счетчики………………………………..
П14. Преобразователи кодов…………………………….
П15. Мультиплексоры, демультиплексоры, сумматоры..
П16. Цифро-аналоговые преобразователи……………….
П17. микросхемы (технология и устройство)………...
РЕКОМЕНДУЕМАЯ ЛИТЕРАТУРА…………………
ОГЛАВЛЕНИЕ…………………………………