Типы оградительных сооружений в морском порту: По расположению оградительных сооружений в плане различают волноломы, обе оконечности...
Архитектура электронного правительства: Единая архитектура – это методологический подход при создании системы управления государства, который строится...
Топ:
Теоретическая значимость работы: Описание теоретической значимости (ценности) результатов исследования должно присутствовать во введении...
Особенности труда и отдыха в условиях низких температур: К работам при низких температурах на открытом воздухе и в не отапливаемых помещениях допускаются лица не моложе 18 лет, прошедшие...
Интересное:
Что нужно делать при лейкемии: Прежде всего, необходимо выяснить, не страдаете ли вы каким-либо душевным недугом...
Наиболее распространенные виды рака: Раковая опухоль — это самостоятельное новообразование, которое может возникнуть и от повышенного давления...
Распространение рака на другие отдаленные от желудка органы: Характерных симптомов рака желудка не существует. Выраженные симптомы появляются, когда опухоль...
Дисциплины:
2017-12-13 | 496 |
5.00
из
|
Заказать работу |
|
|
1. Задание: Исследовать параметры полупроводниковых диодов
Порядок выполнения работы:
1.1. Запустите программу EWB 5.12.
1.2. Соберите схему для исследования параметров полупроводниковых диодов:
1.2.1. Из библиотеки компонентов источников питания Sources на поле поместите источник заданного напряжения и заземление – .
1.2.2. Из библиотеки пассивных элементов Basic на поле поместите резистор , подстроечный резистор и ключ .
1.2.3. Из библиотеки индикаторных устройств Indicators поместите амперметры и вольтметры .
1.2.4. Из библиотеки Diodes на поле поместить диод .
1.2.5. Соедините все компоненты по схеме. Установите необходимые параметры компонентов:
1.3. Снимите вольтамперные характеристики диода, меняя значение подстроечного резистора от 0% до 100% через интервал 20% Увеличение можно производить нажатием клавиши «R», уменьшение – «Shift+R». Шаг увеличения/уменьшения можно задать.
1.3.1. Исследуйте прямую ветвь диода. Для переключения ключа используйте клавишу Space (Пробел).
1.3.2. Исследуйте обратную ветвь диода.
1.3.3. Полученные данные занесите в таблицу (точность измерения – два знака после запятой):
Прямая ветвь | Обратная ветвь | ||
I, мА | U, мВ | I, мкА | U, В |
1.4. Постройте график вольтамперной характеристики.
1.5. Измените температуру работы диода (для этого щелкните два раза на диоде и в появившемся окне «Diode Properties» выберите закладку «Analysis Setup» установите температуру равную 60° С) и повторите пункты 1.3. и 1.4.
2. Задание: Исследовать параметры стабилитрона {модуль 1 глава 1.4}.
2.1. Соберите схему для исследования параметров стабилитрона.
Схема аналогична схеме для исследования параметров полупроводникового диода. Из библиотеки Diodes на рабочее поле поместите стабилитрон:
|
2.2. Снимите вольтамперные характеристики стабилитрона, меняя значение подстроечного резистора от 0% до 100% через интервал 20%:
2.2.1. Исследуйте прямую ветвь стабилитрона. Для переключения ключа используйте клавишу Space (Пробел).
2.2.2. Исследуйте обратную ветвь стабилитрона.
2.2.3. Полученные данные занесите в таблицу (точность измерения – два знака после запятой):
Прямая ветвь | Обратная ветвь | ||
I, мА | U, мВ | I, мА | U, В |
2.3. Постройте график вольтамперной характеристики стабилитрона.
2.4. Измените температуру работы стабилитрона и повторите пункты 2.2. и 2.3.
3. Задание: Исследовать параметры транзистора {модуль 1 глава 1.5}.
3.1. Из библиотеки транзисторов Transistors поместите на поле p-n-p транзистор . Соберите схему для исследования параметров транзистора:
3.2. Снимите семейство входных и выходных характеристик биполярного транзистора, меняя значение подстроечного резистора от 0% до 100% через интервал 20%. Полученные данные занесите в таблицу (точность измерения два знака после запятой):
Uкб=12 В (R2=100%) | Uкб=7,2 В (R2=60%) | Uкб=2,4 В (R2=20%) | Uкб=0 В (R2=0%) | ||
Iэ=19,69 мА (R1=100%) | |||||
Iэ=9,35 мА (R1=80%) | |||||
Iэ=3,24 мА (R1=40%) | |||||
Iэ=0 мА (R1=0%) | |||||
Iк, мА | Iк, мА | Iк, мА | Iк, мА | Uэб, мВ |
3.3. Построить графики входных и выходных характеристик транзистора:
IЭ=f(UЭБ) при UКБ=const
IК=f(UКБ) при IЭ=const
3.4. По характеристикам транзистора определить его параметры h11б и h21б при Uкб=0 В и Iэ = 3,24 мА.
3.5. Изменить температуру работы транзистора и повторите пункты 3.2. – 3.4.
4. Содержание отчета.
4.1. Таблицы результатов измерений п. 1.3. (для разных температур работы диода).
4.2. График ВАХ диода п. 1.4. (для разных температур работы диода).
4.3. Таблицы результатов измерений п. 2.2. (для разных температур работы стабилитрона);
|
4.4. График ВАХ стабилитрона п. 2.3. (для разных температур работы стабилитрона).
4.5. Таблицы результатов измерений п. 3.2. для разных температур работы транзистора.
4.6. Графики п. 3.3. для разных температур работы транзистора.
4.7. Решение задания п. 3.4.
|
|
Наброски и зарисовки растений, плодов, цветов: Освоить конструктивное построение структуры дерева через зарисовки отдельных деревьев, группы деревьев...
Индивидуальные и групповые автопоилки: для животных. Схемы и конструкции...
Двойное оплодотворение у цветковых растений: Оплодотворение - это процесс слияния мужской и женской половых клеток с образованием зиготы...
Эмиссия газов от очистных сооружений канализации: В последние годы внимание мирового сообщества сосредоточено на экологических проблемах...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!