Состав сооружений: решетки и песколовки: Решетки – это первое устройство в схеме очистных сооружений. Они представляют...
Наброски и зарисовки растений, плодов, цветов: Освоить конструктивное построение структуры дерева через зарисовки отдельных деревьев, группы деревьев...
Топ:
Проблема типологии научных революций: Глобальные научные революции и типы научной рациональности...
Процедура выполнения команд. Рабочий цикл процессора: Функционирование процессора в основном состоит из повторяющихся рабочих циклов, каждый из которых соответствует...
Методика измерений сопротивления растеканию тока анодного заземления: Анодный заземлитель (анод) – проводник, погруженный в электролитическую среду (грунт, раствор электролита) и подключенный к положительному...
Интересное:
Как мы говорим и как мы слушаем: общение можно сравнить с огромным зонтиком, под которым скрыто все...
Подходы к решению темы фильма: Существует три основных типа исторического фильма, имеющих между собой много общего...
Национальное богатство страны и его составляющие: для оценки элементов национального богатства используются...
Дисциплины:
2017-12-12 | 341 |
5.00
из
|
Заказать работу |
|
|
Выходной элемент предназначен для усиления сигнала и осуществления контактного выхода.
Рис. 5.10 Принципиальная схема выходного
5.6.1 Выбор типа реле KL
Выбор осуществляется по условиям:
где S конт – максимально-допустимая мощность, коммутируемая контактами реле KL, при заданном напряжении оперативного тока.
S комм – полная мощность, коммутируемая контактами реле KL
U KL ср – напряжение срабатывания реле KL
U KL дл – длительно допустимое напряжение, прикладываемое к обмотке реле KL
U п – напряжение источника питания.
Выбираем реле типа РСМ-2(Ю.117.81.55) – малогабаритное электромагнитное реле постоянного тока.
5.6.2 Выбор транзистора VT 1.
Максимальный ток в транзисторе VT 1.
где U кэн1 – напряжение коллектор-эмиттер насыщенного транзистора VT 1.
R KL min – минимальное сопротивление обмотки реле.
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер VT 1.
Выбор транзисторов осуществляется с учетом выражений:
Выбираем транзистор типа КТ315Е,имеющий следующие параметры:
5.6.3 Проверка правильности выбора транзистора VT 1.
Максимальный ток коллектора равен
Условие
0.03 £ 0.7×1.5 = 1.05 А – выполняется.
5.6.4 Выбор сопротивления резистора R 28.
Сопротивление резистора R 28 выбирается из условия обеспечения тока базы VT 1 (I б1расч), необходимого для надежного открытия транзистора, по выражениям:
где U вхmin – минимальное входное напряжение, при котором должен срабатывать выходной элемент (надежно открываться и насыщаться транзистор VT 1).
n – коэффициент, учитывающий разброс значений сопротивления резистора, n = 0.05
b1расч – расчетное значение коэффициента усиления VT 1, определяется по формуле
|
Принимаем R 28 = 2.2 кОм
Определим мощность на резисторе R 28
Принимаем РR 28 = Р c ном = 0.125 Вт
Проверка по мощности:
Выбранное сопротивление проходит проверку по мощности.
Окончательно принимаем сопротивление R 28:
МЛТ-0.125-2.2 К±5%
5.6.5 Проверка допустимости выполнения выходного элемента однокаскадным.
Проверку проводим по максимально допустимому выходному току (I вых max).
5.6.6 Выбор диода VD 23.
Диод VD 23 защищает транзистор VТ 1 при отрицательном входном напряжении.
Максимальный прямой ток диода
Максимальное обратное напряжение диода равно напряжению база-эмиттер VТ 1 и не ограничивает выбора диода.
Выбор диодов осуществляется с учетом выражений:
Выбираем диод типа VD 23:
КД109А I пр.доп = 0.3 А, U обр = 100 В.
5.6.7 Выбор диода VD 23.
Диод VD 22 защищает транзистор VТ 1 от перенапряжений, возникающих при закрытии транзистора из-за наличия индуктивности у обмотки реле KL.
Выбор диодов осуществляется с учетом выражений:
Выбор диодов осуществляется также с учетом выражений:
Выбираем диод типа VD 22:
КД109А I пр.доп = 0.3 А, U обр = 100 В
Результаты выбора элементов выходного элемента ВЭ сведены в таблицу 5.6
Таблица 5.6
Элемент | Обозначение | Тип |
Реле | - | РСМ-2(Ю.117.81.55) |
Резистор | R28 | МЛТ-0.125-2.5 К±5% |
Диод | VD23 | КД 109 А |
Диод | VD24 | КД 109 А |
Результаты выбора всех элементов устройства сравнения двух синусоидальных величин сведены в таблицу 5.7
Таблица 5.7
Устройство | Элемент | Обозначение | Тип |
Преобразователи синусоидальных напряжений П1,П2,П3 и П4 | Операционный усилитель | - | К 140 УД 7 |
Стабилитрон | VD 1(VD 2, VD 3, VD 4)) | КС 191 А | |
Резистор | R 1 и R 4,(R 7и R 10). | МЛТ-0.5-88 К±5% | |
Резистор | R 2(R 5, R 8, R 11) | МЛТ-0.125-100 К±5% | |
Резистор | R 3(R 6, R 9, R 12) | МЛТ-0.125-0.68 К±5% | |
Логические элементы И1(+), И2(-). | Резистор | R 13(R 15) | МЛТ-0.5-3.3 К±5% |
Резистор | R 14(R 16) | МЛТ-0.125-33 К±5% | |
Диод | VD 5(VD 6) | КД 109 А | |
Диод | VD 8(VD 9) | КД 109 А | |
Стабилитрон | VD 7(VD 10) | КС 191 А | |
Элементы времени ЭВ1, ЭВ2 | Резистор | R 18 (R 21) | МЛТ-0.125-2.3 К±5% |
Резистор | R 17 (R 20) | МЛТ-0.125-23 К±5% | |
Резистор | R 19 (R 22) | МЛТ-0.125-230 К±5% | |
Конденсатор | С1, (С2) | МБМ-М24И | |
Стабилитрон | VD 13 (VD 16) | КС 191 А | |
Диод | VD 11(VD 14) и VD 12(VD 15) | КД 109 А | |
Логический элемент ИЛИ | Резистор | R23 | МЛТ-0.125-3.3 К±5% |
Резистор | R24 | МЛТ-0.125-33 К±5% | |
Диод | VD 17, VD 18 | КД 109 А | |
Стабилитрон | VD19 | КС 191 А | |
Расширитель импульсов РИ | Резистор | R25 | МЛТ-0.125-3.3 К±5% |
Резистор | R26 | МЛТ-0.125-256 К±5% | |
Резистор | R27 | МЛТ-0.125-1280 К±5% | |
Конденсатор | С3 | МБМ-М13И | |
Стабилитрон | VD20 | КС 191 А | |
Диод | VD 20(VD 21) | КД 109 А | |
Выходной элемент ВЭ | Реле | - | РСМ-2(Ю.117.81.55) |
Резистор | R28 | МЛТ-0.125-2.5 К±5% | |
Диод | VD21 | КД 109 А | |
Диод | VD21 | КД 109 А |
|
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
В данном курсовом проекте был разработан измерительный орган с двумя подведенными величинами. Были спроектированы следующие элементы:
- двухобмоточный промежуточный трансформатор напряжения;
- промежуточный трансформатор тока, нагруженный на активное сопротивление;
- устройство сравнения по фазе двух электрических величин, выполненное на принципе сравнения времени совпадения по знаку мгновенных значений сравниваемых величин с заданным временем на базе интегральных операционных усилителей, диодов, транзисторов, стабилитронов, резисторов.
В графической части работы выполнена принципиальная схема измерительного органа с временными диаграммами напряжений на функциональных элементах.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1. В.А.Фабрикант, Л.В.Паперно, Элементы устройств РЗ и А энергосистем и их проектирование – М:Высш.школа, 1974
2. Л.В. Паперно. Проектирование устройств РЗ на бесконтактных элементах – М. Высш. школа, 1979
3. Р.М. Терещук, Справочник радиолюбителя – Киев, Наукова Думка, 1981
4. Л.М. Колесов, Автоматизированное проектирование промежуточного трансформатора тока, нагруженного на активное сопротивление (МУ для курсового проектирования по дисциплине «Элементы автоматических устройств энергосистем») – Иваново, ИЭИ, 1988.
5. Л.М. Колесов, Проектирование двухобмоточного трансформатора напряжения (МУ для курсового проектирования по дисциплине «Элементы автоматических устройств энергосистем») – Иваново, ИЭИ, 1988.
6. Л.М. Колесов, Устройство сравнения двух синусоидальных величин по фазе (МУ для курсового проектирования по дисциплине «Элементы автоматических устройств энергосистем») – Иваново, ИЭИ, 1990.
|
7. Л.М. Колесов, Проектирование устройств сравнения двух синусоидальных величин (МУ для курсового проектирования по дисциплине «Элементы автоматических устройств энергосистем») – Иваново, ИЭИ, 1988.
|
|
Поперечные профили набережных и береговой полосы: На городских территориях берегоукрепление проектируют с учетом технических и экономических требований, но особое значение придают эстетическим...
Биохимия спиртового брожения: Основу технологии получения пива составляет спиртовое брожение, - при котором сахар превращается...
Семя – орган полового размножения и расселения растений: наружи у семян имеется плотный покров – кожура...
Наброски и зарисовки растений, плодов, цветов: Освоить конструктивное построение структуры дерева через зарисовки отдельных деревьев, группы деревьев...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!