Опора деревянной одностоечной и способы укрепление угловых опор: Опоры ВЛ - конструкции, предназначенные для поддерживания проводов на необходимой высоте над землей, водой...
Своеобразие русской архитектуры: Основной материал – дерево – быстрота постройки, но недолговечность и необходимость деления...
Топ:
Выпускная квалификационная работа: Основная часть ВКР, как правило, состоит из двух-трех глав, каждая из которых, в свою очередь...
Установка замедленного коксования: Чем выше температура и ниже давление, тем место разрыва углеродной цепи всё больше смещается к её концу и значительно возрастает...
Интересное:
Средства для ингаляционного наркоза: Наркоз наступает в результате вдыхания (ингаляции) средств, которое осуществляют или с помощью маски...
Влияние предпринимательской среды на эффективное функционирование предприятия: Предпринимательская среда – это совокупность внешних и внутренних факторов, оказывающих влияние на функционирование фирмы...
Инженерная защита территорий, зданий и сооружений от опасных геологических процессов: Изучение оползневых явлений, оценка устойчивости склонов и проектирование противооползневых сооружений — актуальнейшие задачи, стоящие перед отечественными...
Дисциплины:
 2017-12-13 |
 252 |
из
5.00
|
Заказать работу |
|
|
|
|
Полевые транзисторы (униполярные транзисторы).
Если биполярные транзисторы работали на 2х типах носителей (на электронах и на дырках), то полярные транзисторы только на одном – униполярные транзисторы.
Транзисторы управляются зарядом. Переменное сопротивление между током и истоком (при приложенном напряжении оно изменяется либо по линейному, либо нелинейному закону).
-МДП (Ме-д/э-п/п) -МОП (Ме-окисел-п/п)
По типу проводимости:
n-канальный МОП:
1) с индуцированным каналом
SiO2 – тонкий подзатворный окисл.
-Паразитные (подложечные) переходы. Значит смещение в обратном положении. Значит подложку подключают к самому низкому потнециалу, электроны создают связь между С и И ток потечет.
Проходная характеристика транзистора (n-МОП)
Uпор = Uзи|Ic = 1мкА
НЗ - нормально закрытый.
2) Со встроенным каналом
Тонкая толщина, слабая проводимость, можем закрывать канал.
Два диодных перехода И-П и С-П они паразитные.
p-канальный МОП:
1) с индуцированным каналом
- имеет отрицательный ток(дырочный).
- откроется транзистор отрицательного напряжения.
- Отрицательное Uпор.
2) со встроенным каналом.
Полевые транзисторы с управляющим p-n переходам.
n-канальный
управляющий p-n-p переход
P – канальный
Режимы работы полевых транзисторов.
1. РО: UЗИ<UПОР
UСИ= 
IC=0
2. крутая обл.: 
,где k - крутизна полевого транзистора
3. Пологая обл.:
Резистивно-транзисторная логика. Принцип работы по передаточной характеристике. Влияние нагрузки на основные параметры.
РТЛ является составной частью других логических устройств, самостоятельно не используется.
|
|
Электрическая схема:
| A | В | С | F | Примечание |
| Т1-Т3-НАР(Iэ=0) | ||||
| Т3-НАР(Iэ), Т1, Т2-НАР(Iэ=0) | ||||
| Т2-НАР(Iэ), Т1, Т3-НАР(Iэ=0) | ||||
| Т1, Т2, Т3-НАР(Iэ) |
Примечание: T1->T3 –НАР (Iэ=0) T3 – НАР (Iэ); Т1->Т2 –НАР (Iэ=0)
=> Fсднф=неА*неВ*неС=не(А+В+С)
Если на хотя бы одном из входов задана логическая «1», то соответсвующий транзистор работает в НАР и через него протекает ток. Этот ток вызывает падение напряжения на R4, что понижает выходное напряжение и преводит к состоянию логического «0».
Только когда на всех входах задан «0», все транзисторы работают в НАР с I’=0. Сквозной ток в схеме не протекает, нет падения напряжения на R4 => на входе «1»
Уровень «1»: U1 =Uип
«0»: U0 = Uкэ.нас = 0.1-> 0/2 В
Эмиттерно-связанная логическая схема. Эквивалентная схема. Принцип работы по входной характеристике.
Переключатель тока предназначен для выполнения логической функции. В зависимости от комбинации входных сигналов, ток Iо протекает либо через R1 либо через R2.
Эмиттерные повторители
– Понижают выходные логические уровни чтобы входные транзисторы (последующих каскадов) работали в рабочих точках только в НАР
– Понижают выходное сопротивление
В качестве источника тока принято использовать резистор.
| А | В | F1 | F2 | Примечания |
Т2 – НАР ( )
| ||||
| T1’ – НАР ()
| ||||
| Т1 – НАР ()
| ||||
T1,T1’ – НАР ( ), на R2 ток = IR5
|
Таким образом
Принцип работы.
1) при Uвх<Uоп
Uбэ входных транзисторов <Uбэ опорного транзистора
поэтому входные транзисторы работают в НАР с Iк=0
опорный транзистор перехватывает весь ток IR5
в результате через R1 ток не течет, через R2 протекает весь ток IR5
Uк1 соответствует высокому напряжению (земля)
Uк2 отличается от земли на UR2
эти уровни передаются на выход эмиттерными повторителями 
2) при Uвх>Uоп
Входные транзисторы перехватывают ток IR5, что приводит к падению напряжения на R1. низкий уровень напряжения передается с коллектора Т1 на выход
|
|
Транзистор Т2 работает в НАР с Iк=0, нет падения напряжения на R2, высокий уровень Uк2 передается на выход.
3) при Uвх=Uоп
В момент переключения ток IR5 протекает через все транзисторы. Соответствующие токи вызывают падение напряжения на R1 и R2 и эмиттерные повторители повторяют эти уровни на выходе.
Диодно-транзисторная логика. Входная и передаточная характеристики. Влияние нагрузки на основные измеряемые параметры.
И-НЕ: 
Достоинства: простая схемотехника, технология, топология.
Недост: узкая зона помехоуст, высокая потребл мощность, низкая нагрузочная способность, среднее быстродействие.
| A | B | F | Пояснения |
| D1, D2- открыты, D3, T1, T2- закрыты | |||
| D1- открыт, D2, D3, T1, T2- закрыты | |||
| D2- открыт, D1, D3, T1, T2- закрыты | |||
| T1, D3- открыты, D1, D2- закрыты |
если хотя бы на одном входе задана лог «0», то соответств входной диод открыт, T1 – в НАРе с Iэ=0, Т2 – в РО и на выходе «1», которая равна Uип2. Только когда на всех входах «1», то входные диоды закрыты, Т1 – НАР, Т2 – из НАР переходит в РН, на выходе «0» под действием протекающего входного тока (U0=Uкэн2).
Для передаточной хар-ки достаточно одновходовой схемы.
Принцип работы транзисторно-транзисторной логической схемы с простым инвертором.
Влияние нагрузки на основные измеряемые параметры.
T1-многоэмиттерный транз-ор, может управляться по каждому эмиттеру.
| A | B | F | Пояснения |
| Т1-РН, Т2-НАР(Iэ=0) | |||
| Т1-РН(A),-//-//- | |||
| Т1-РН(A), -//-//- | |||
| Т1-ИР, Т2-РН |
И-НЕ:
Если хотя бы на одном из входов задан «0», то соотв-ий эмиттерный переход транз-а Т1 открыт, коллекторный – также открыт, тр-р работает в РН с током коллектора = 0. Потенциал базы Т2 недостаточный, чтобы открыть Т2: Т2-в НАРе с Iэ=0, нет сквозного тока на выходе «1», равная источнику пит-я. Только когда на всех выходах «1», Т1 в ИР (закрыт эемит, открыт коллект), Т2 из НАР переходит в РН, выходной уровень определяется уровнем «0», который =Uкэн.
|
|
|
Типы сооружений для обработки осадков: Септиками называются сооружения, в которых одновременно происходят осветление сточной жидкости...
Архитектура электронного правительства: Единая архитектура – это методологический подход при создании системы управления государства, который строится...
Эмиссия газов от очистных сооружений канализации: В последние годы внимание мирового сообщества сосредоточено на экологических проблемах...
Механическое удерживание земляных масс: Механическое удерживание земляных масс на склоне обеспечивают контрфорсными сооружениями различных конструкций...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!