Типы оградительных сооружений в морском порту: По расположению оградительных сооружений в плане различают волноломы, обе оконечности...
Индивидуальные и групповые автопоилки: для животных. Схемы и конструкции...
Топ:
Характеристика АТП и сварочно-жестяницкого участка: Транспорт в настоящее время является одной из важнейших отраслей народного...
Выпускная квалификационная работа: Основная часть ВКР, как правило, состоит из двух-трех глав, каждая из которых, в свою очередь...
Установка замедленного коксования: Чем выше температура и ниже давление, тем место разрыва углеродной цепи всё больше смещается к её концу и значительно возрастает...
Интересное:
Отражение на счетах бухгалтерского учета процесса приобретения: Процесс заготовления представляет систему экономических событий, включающих приобретение организацией у поставщиков сырья...
Уполаживание и террасирование склонов: Если глубина оврага более 5 м необходимо устройство берм. Варианты использования оврагов для градостроительных целей...
Влияние предпринимательской среды на эффективное функционирование предприятия: Предпринимательская среда – это совокупность внешних и внутренних факторов, оказывающих влияние на функционирование фирмы...
Дисциплины:
2017-11-27 | 187 |
5.00
из
|
Заказать работу |
|
|
Эффективная масса электрона у потолка валентной зоны является величиной постоянной, но отрицательной по знаку, электрон ускоряется в направлении, противоположном действию внешней силы.
ЗАПОЛНЕНИЕ ЗОН ЭЛЕКТРОНАМИ; ДЕЛЕНИЕ НА ПРОВОДНИКИ,
ДИЭЛЕКТРИКИ И ПОЛУПРОВОДНИКИ
Каждая энергетическая зона содержит по крайней мере N уровней, на которых могут размещаться электроны, где N — число атомов в кристалле. Для кристалла размером 1 см3 N» 1022.
При ширине зоны порядка единиц электрон-вольт расстояние между уровнями в ней составляет» 10‑22 эВ. Это расстояние столь ничтожно, что зоны можно считать практически непрерывными.
Так как на каждом уровне может разместиться не более двух электронов с противоположными спинами, то при ограниченном числе электронов, содержащихся в твердом теле, заполненными окажутся лишь несколько наиболее низких энергетических зон.
По характеру заполнения электронами верхних зон все тела можно разделить на две большие группы.
К первой группе относятся тела, у которых над целиком заполненными зонами располагается зона, заполненная лишь частично (рис. 5.5, а). Такая зона возникает в том случае, когда атомный уровень, из которого она образуется, заполнен в атоме неполностью. Она может возникать также при наложении заполненных зон на пустые или частично заполненные зоны (рис. 5.5, б). Наличие частично заполненной зоны присуще металлам.
Рис. 5.5. Зонная структура твердых тел: а, б — металлы; в — полупроводники и диэлектрики
Ко второй группе относятся тела, у которых над целиком заполненными зонами располагаются пустые зоны (рис. 5.5, в). Типичным примером та ких тел являются алмаз, кремний, германий.
|
Электрические свойства могут различаться сильно. Например, у металлов электропроводность 107— 108 Ом‑1·cм‑1, у хороших диэлектриков – 10‑14 Ом‑1·cм‑1.
По величине запрещенной зоны тела второй группы условно делят на диэлектрики и полупроводники. К диэлектрикам относят тела с широкой запрещенной зоной. У типичных из них Eg > 3 эВ. Так, у алмаза Eg = 5,2 эВ, у нитрида бора 4,6 эВ, у Аl 2 О 3 7 эВ. К полупроводникам относят тела с Eg ≤ 3 эВ. У германия Eg = 0,65 эВ, у кремния 1,08 эВ, у арсенида галлия 1,4 эВ, у антимонида индия 0,17 эВ.
СОБСТВЕННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ
Химически чистые полупроводники называются собственными полупроводниками. На рис. 5.6,апоказана упрощенная схема зонной структуры собственного полупроводника.
Рис.5.6. Зонная структура собственного полупроводника: Еc — энергия дна зоны проводимости, Ev — энергия потолка валентной зоны.
При абсолютном нуле валентная зона полупроводника заполнена полностью (рис.5.6, а), зона проводимости, расположенная над валентной зоной, является пустой.
При температуре, отличной от абсолютного нуля (рис.5.6, б), часть электронов валентной зоны переходит в зону проводимости. Это приводит к появлению в зоне проводимости носителей заряда электронов; в валентной зоне появляются свободные уровни. Под действием поля электроны валентной зоны имеют возможность переходить на свободные уровни и создавать в кристалле электрический ток. При приложении к кристаллу внешнего поля в нем возникает направленное движение электронов как в зоне проводимости, так и в валентной зоне. Кристалл становится проводящим. Носители заряда в валентной зоне называются дырками.
|
|
История развития хранилищ для нефти: Первые склады нефти появились в XVII веке. Они представляли собой землянные ямы-амбара глубиной 4…5 м...
Архитектура электронного правительства: Единая архитектура – это методологический подход при создании системы управления государства, который строится...
Организация стока поверхностных вод: Наибольшее количество влаги на земном шаре испаряется с поверхности морей и океанов (88‰)...
Автоматическое растормаживание колес: Тормозные устройства колес предназначены для уменьшения длины пробега и улучшения маневрирования ВС при...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!