Тепловые режимы электронных ключей — КиберПедия 

Общие условия выбора системы дренажа: Система дренажа выбирается в зависимости от характера защищаемого...

История создания датчика движения: Первый прибор для обнаружения движения был изобретен немецким физиком Генрихом Герцем...

Тепловые режимы электронных ключей

2017-11-28 373
Тепловые режимы электронных ключей 0.00 из 5.00 0 оценок
Заказать работу

Задача 3.1

Подобрать тип силового тиристора для ключевого регулятора постоянного тока, работающего в импульсном режиме с частотой 400 Гц, коэффициентом заполнения g = 0,6, амплитудой тока Iu. max = 30 А, напряжением источника питания 150 В, скорость спада прямого тока 15 А/мкс, обратное напряжение не более
200 В.

Рассчитать параметры для проектирования охладителя к выбранному прибору, если температура окружающей среды 40 ºC. При решении задачи пренебречь динамическими потерями мощности в приборе.

 

Решение

1. В соответствии с заданными параметрами выбираем высокочастотный тиристор ТЧ 25-5 штыревого типа с параметрами среднего тока в открытом состоянии ITAV = 25 А для максимальной температуры кристалла Tj = 110 ºC.

По заданию средний ток, протекающий через прибор

Для ITAV температура корпуса тиристора Т с = 70 ºC. Допустимое обратное повторяющееся напряжение URRM = 500 В. Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии (d iT/ d t)crit = 200 А/мкс. Время включения тиристора
tt = 5 мкс, что составляет 4% от времени действия импульса тока tи = 120 мкс. Время выключения тиристора tg = 12-30 мкс, что позволяет выключить
тиристор за время паузы t п = 80 мкс. Тепловое сопротивление кристалл – корпус
R j-c = 0,6 ºC /Вт.

2. Рассчитаем потери мощности в приборе. Для тиристора прямое падение напряжения в открытом состоянии U oc= 3,05 В, тогда потери мощности

.

3. Определим тепловые сопротивления на отдельных участках перехода теплового потока в системе СПП – окружающая среда. Если известна допустимая температура нагрева корпуса СПП Tj = 70 ºC, то при полученном значении P птемпература кристалла тиристора согласно термоэлектрической эквивалентной схеме

.

По результатам расчета тепловой режим допустим для кристалла тиристора.

Рассчитаем тепловые сопротивления перехода охладитель - окружающая среда

.


Задача 3.2

Выбрать тип силового диода для работы в качестве выпрямителя тока с частотой 50 Гцна напряжение сети U (рис. 3.2). Амплитуда выпрямленного тока Im.

Рассчитать параметры для проектирования охладителя к выбранному прибору, если температура окружающей среды 40 ºC.

 

 

Рис. 3.2

 

Исходные данные

Вариант            
U c, В            
Im, А            

 

Задача 3.3

Выбрать тип силового МОП транзистора, работающего в ключевом режиме c коэффициентом заполнения g (рис. 3.3).

Рассчитать параметры для проектирования охладителя к выбранному транзистору, если температура окружающей среды равна 40 ºC. При решении задачи пренебречь динамическими потерями мощности в приборе.

 

 

 

 

Рис. 3.3

 

Исходные данные

Вариант            
E, В            
g 0,8 0,7 0,9 0,8 0,7 0,9
R н, Ом            

 

 

Задача 3.4

Рассчитать параметры для проектирования охладителя к силовому диоду штыревого типа (рис. 3.4). Полная мощность рассеяния диода PdS. Температура окружающей среды t.

 

Рис. 3.4

Исходные данные

Вариант            
PdS, Вт            
t, 0С            

Задача 3.5

Рассчитать параметры для проектирования охладителя к силовому тиристору, таблеточного типа (рис. 3.5). Полная мощность рассеяния тиристора PdS. Тепловое сопротивление перехода кристалл-корпус Rj-с. Температура окружающей среды t.

Рис. 3.5

 

Исходные данные

Вариант            
PdS, Вт            
t, ºC            

 

Задача 3.6

Рассчитать параметры для проектирования охладителя к силовому IGBT- транзистору (рис. 3.6). Полная мощность рассеяния транзистора PdS. Тепловое сопротивление перехода кристалл-корпус Rj-c. Температура окружающей среды t.

 

 

Рис. 3.6

 

Исходные данные

Вариант            
PdS, Вт            
t, 0С            

Пассивные элементы

Задача 4.1

Для сглаживания пульсации постоянного входного напряжения U вх установлен Г-образный LC фильтр, состоящий из L Ф и C Ф (рис. 4.1). Задан коэфициент сглаживания фильтра S 1 на частоте основной гармоники пульсации f 1. На этой частоте можно принебречь влиянием эквалентной собственной индуктивности конденсатора L Э. Определить изменение коэффициента сглаживания фильтра при изменении частоты основной гармоники пульсации до f 2 для 2-х случаев:

а) без учёта влияния собственной индуктивности конденсатора L э;

б) с учётом влияния на этой частоте индуктивности L э.

 

 

Рис. 4.1

 

 

Исходные данные

Дано Значения Найти
f 1 , Гц   S 2
С ф, мкФ  
S 1  
L э, мкГн  
f 2, кГц  

 

 

Решение

а) Коэффициент сглаживания LC -фильтра для гармонической составляющей с круговой частотой w (на холостом ходу) равен отношению модулей сопротивления LC -цепи и сопротивления конденсатора, т.е.

 

На частоте w1 = 2p f 1 = 2p 102рад/скоэффициент S = 10.

При изменении частоты до значения w2 = 2p f 2= 2p 105 рад/c без учёта влияния L э получим

.

 

б) Учитывая собственную индуктивность конденсатора L э можем записать

 

.

 

Очевидно, что L э<< L ф, поэтому можем пренебречь значением L э во втором сомножителе и учесть его только в первом сомножителе, где L э стоит в знаменателе и оказывает существенное влияние при больших w. Пренебрегая указанным образом и учитывая, что L ф× C ф×w 2 –1=1,1×107 (из а)очевидно, что это просто есть значение коэффициента сглаживания без учёта паразитной индуктивности конденсатора), а также, используя заданные значения L э и C ф получаем

 

.

 

 

Задача 4.2

Определить коэффициент сглаживания S Г-образного RC -фильтра в цепи постоянного тока (рис. 4.2) для гармонической составляющей пульсации частотой f. Сопротивление резистора фильтра R. Конденсатор имеет следующие значения параметров схемы замещения из последовательно соединённых элементов СS; rS; LS.

 

 

 

Рис. 4.2. Последовательная схема замещения конденсатора

 

 

Исходные данные

Вариант           Найти
f, кГц           S
R, Ом   0,5   0,5  
СS,мкФ          
rS, Ом 0,1 0,2 0,1 0,5 0,05
LS, мкГн          
               

 

Задача 4.3

В конденсаторе переменного тока емкостью C (рис. 4.3)при частоте f и действующем значении синусоидального напряжения U с выделяется активная мощность Р. Какая мощность будет выделяться, если частота напряжения станет равной 2f, при условии, что тангенс угла потерь конденсатора и диэлектрическая проницаемость его диэлектрика от частоты не зависят?

 

Исходные данные

  Вариант           Найти
С, мкФ           P  
f, Гц            
U c , B            
P, Bт            
                             

 

Задача 4.4

На входе выпрямителя, имеющего прямоугольную схему входного тока на частоте, включены LC -фильтры, шунтирующие 3-ю и 5-ю гармоники входного тока выпрямителя. Конденсаторы шунтирующих цепей имеют одинаковую емкость, а индуктивности фильтров обеспечивают условия резонанса для соответствующих гармоник. Какими будут значения амплитуд 3-й и 5-й гармоник тока, поступающих в сеть, если частота сети увеличится на 10 %? Эквивалентное входное сопротивление сети со стороны выпрямителя имеет индуктивный характер и представлено в схеме эквивалентной индуктивностью L э.

 

 

 

Рис. 4.3

 

 

Исходные данные

  Вариант           Найти
L э, мкГн           i c3 i c5  
C, мкФ            
                             

 

 

Задача 4.5

Как изменится резонансная частота LC -цепи, состоящая из параллельно соединённых реактора с индуктивностью L и конденсатора с емкостью С, если учесть последовательную собственную индуктивность конденсатора L э.


 

 

 

 

Рис. 4.4. Последовательная схема замещения конденсатора

 

 

Исходные данные

  Вариант           Найти
L, мкГн           D f  
С, мкФ            
L э, мкГн 0,05 0,02 0,01 0,1 0,03  
                             

 

Задача 4.6

На вход Г-образного LC -фильтра в цепи переменного тока поступает напряжение прямоугольной формы с амплитудой E max. Длительность прямоугольного импульса t вкл, а период Т. Определить действующее значение напряжения U вых на выходе фильтра, учитывая 1-ю, 2-ю и 3-ю гармонические составляющие и потери активной мощности в конденсаторе. Индуктивность последовательного реактора фильтра L Ф . Схему замещения конденсатора можно представить состоящей из последовательно соединённых резистора RS, индуктивности LS и конденсатора CS.


а) б)

 

Рис. 4.5. Последовательная схема замещения конденсатора

 

Исходные данные

  Вариант           Найти
E max , В           U вых  
t вкл, мс            
L ф, мкГн            
RS , Ом 0,1 0,2 0,2 0,1 0,2  
LS, мкГн            
C S , мкФ            
Т, мс            
                             

 

 

Задача 4.7

Определить действующее значение I нд тока нагрузки в схеме с магнитным ключом. Выходное напряжение имеет синусоидальную форму с амплитудой Um и частотой f.

Магнитопривод ключа Ts имеет идеальную кривую намагничивания, площадь поперечного сечения магнитопровода S и количество витков W.

а) б)

 

Рис. 4.6

 

Исходные данные

Дано Значения Найти
Um,B   I нд
R н ,Ом  
Bm , 1,2
f, Гц  
W  
S, см2 1,5

 

 

Решение

Задержка на включение магнитного ключа t 1 определяется его перемагничиванием.

в)

 

Рис. 4.6 (продолжение)

По закону электромагнитной индукции , пренебрегая рассеянием магнитного поля, можно записать в виде:

.

Интегрируя левую и правую часть получаем:

 

Задача 4.8

Определить среднее значение напряжения на нагрузке в схеме с магнитным ключом. Выходное напряжение имеет заданную форму, амплитуду Um и частоту f (рис.4.7 а, б).

Магнитопривод ключа Ts имеет идеальную кривую намагничивания, площадь поперечного сечения магнитопровода S, и количество витков W.

 

а) б)

Рис. 4.7

Исходные данные

  Вариант           Найти
Um, В           U ср  
R н, Ом            
Bm, Тл 1,5 1,3 1,4 1,0 1,5  
f, Гц            
W            
S, см2 1,4 1,3 1,2 2,0 1,4  
Форма напряжения Рис.4.7 в Рис. 4.7 г Рис. 4.7 д Рис.4.7 г Рис.4.7 в  
                             

 

 

Формы напряжения:

в) г)

д)

 

 

Рис. 4.7 (продолжение)



Поделиться с друзьями:

Индивидуальные и групповые автопоилки: для животных. Схемы и конструкции...

Состав сооружений: решетки и песколовки: Решетки – это первое устройство в схеме очистных сооружений. Они представляют...

Археология об основании Рима: Новые раскопки проясняют и такой острый дискуссионный вопрос, как дата самого возникновения Рима...

История развития хранилищ для нефти: Первые склады нефти появились в XVII веке. Они представляли собой землянные ямы-амбара глубиной 4…5 м...



© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!

0.008 с.