Общие условия выбора системы дренажа: Система дренажа выбирается в зависимости от характера защищаемого...
Своеобразие русской архитектуры: Основной материал – дерево – быстрота постройки, но недолговечность и необходимость деления...
Топ:
Оценка эффективности инструментов коммуникационной политики: Внешние коммуникации - обмен информацией между организацией и её внешней средой...
Выпускная квалификационная работа: Основная часть ВКР, как правило, состоит из двух-трех глав, каждая из которых, в свою очередь...
Марксистская теория происхождения государства: По мнению Маркса и Энгельса, в основе развития общества, происходящих в нем изменений лежит...
Интересное:
Отражение на счетах бухгалтерского учета процесса приобретения: Процесс заготовления представляет систему экономических событий, включающих приобретение организацией у поставщиков сырья...
Уполаживание и террасирование склонов: Если глубина оврага более 5 м необходимо устройство берм. Варианты использования оврагов для градостроительных целей...
Наиболее распространенные виды рака: Раковая опухоль — это самостоятельное новообразование, которое может возникнуть и от повышенного давления...
Дисциплины:
2017-11-17 | 369 |
5.00
из
|
Заказать работу |
|
|
Для уменьшения погрешности измерений следует соблюдать включения измерительных приборов. При прямом включении диода по схеме на рисунке 2.1а миллиамперметр измеряет сумму токов, проходящих через вольтметр и диод.
а) б)
Рисунок 2.1- Схемы для снятия вольтамперных характеристик диодов
Поскольку сопротивления прямо включенного перехода мало по сравнению с внутренним сопротивлением вольтметра, ток через диод значительно превышает ток вольтметра, и погрешность измерения тока будет незначительной.
Если по этой же схеме производить измерение обратного тока диода, то погрешность его измерения будет большой ввиду того, что сопротивление обратно смещенного перехода очень велико, и ток вольтметра может в несколько раз превышать ток диода. Поэтому измерение обратного тока диода следует производить по схеменарисунке 2.1б, для которой существует некоторая погрешность измерения напряжения на диоде. Однако эта погрешность очень мала, т.к. падение напряжения на низкоомном миллиамперметре значительно меньше, чем падение напряжения на диоде.
При исследовании обратной ветви характеристики стабилитрона отнуля до Uст следует пользоваться схемой на рисунке 2.1б, а при снятии рабочего участка, когда ток стабилитрона начинает резко увеличиваться, необходимо перейти к схеме нарисунке 2.1а, поменяв в ней полярность включения диода.
Элементы схемы и измерительные приборы в значительной степени определяются типом исследуемого диода. В таблице2.1 приведены основные параметры некоторых плоскостных диодов, получивших широкое применение в электронной аппаратуре.
Примечание: значение ЭДС источника постоянного тока, зависит от типа исследуемого полупроводникового прибора. Однако в большинстве случаев достаточно прикладывать к диоду в прямом направлении напряжение порядка 1В, а в обратном - порядка 30 - 40В.
|
Таблица 2.1 - Основные данные плоскостных полупроводниковых диодов
Тип диода | Выпрямленный ток (среднее значение), Iвыпр., А | Обратный ток(среднее значение), Iобр., mА | Импульсное обратное напряжение, В | Вид полупроводника | Постоянное прямое напряжение более, В |
КД221 | 0,7 | 0,6 | Кремний | 1,4 | |
КД240 | 0,4 | Кремний | 1,2 | ||
КД208А Б,Г,Д | 1,5 | 0,1 | Кремний |
Порядок выполнения работы
2.3.1 Снять прямые характеристики диодов.
2.3.2
2.3.3 Установить приборы в следующие режимы: P1(mA; x10); P2(V; x1).
2.3.4 Определить цену деления каждого прибора и записать в отчет на схеме.
2.3.5 Снять зависимость Iпр. = f (Uпр.), изменяя Iпр. от 0 до 10 мА согласно таблице 2.2, при помощи регулятора «ИПН 1»
2.3.6 Повторить измерения с диодом VD2.
2.3.7 Результаты измерений занести в таблицу № 2.2.
2.3.8 Снять обратные характеристики диодов.
2.3.9 Собрать схему с диодом VD1 (Рисунок 2.3).
2.3.10 Для измерения напряжения использовать дополнительный вольтметр с пределом измерения 50 В.
2.3.11 Определить цену деления каждого прибора и записать в отчет на схеме.
2.3.12 Снять зависимость Iобр.= f(Uобр.), изменяя Uобр. в соответствии
с таблицей № 2.3.
2.3.13 Результаты занести в таблицу № 2.3.
2.3.14 Построить ВАХ для диода VD1 и VD2.
2.3.15 Определить для диодов ─ динамическое сопротивление Rпр~., Rоб~ по формулам (2.2), (2.3).
Rпр~ = , (2.2)
где ΔUпр – изменение напряжения при прямом включении;
ΔIпр – соответствующее изменение тока при прямом включении.
Rоб~= , (2.3)
где ΔUоб – изменение напряжения при обратном включении;
ΔIоб – соответствующее изменение тока при обратном включении.
Содержание отчета
2.4.1 Тема и цель работы.
2.4.2 Оборудование и перечень приборов.
2.4.3 Схемы для снятия ВАХ диодов.
|
2.4.4 Таблицы с результатами измерений.
2.4.5 ВАХ для VD1, VD2,.
2.4.6 Для диодов ─ динамическое сопротивление Rпр~, Rоб~.
2.4.7 Вывод о проделанной работе.
Таблица 2.2 - Iпр. = f (Uп) Таблица 2.4 - Iобр.= f(Uобр.)
|
|
2.5 Контрольные вопросы
2.5.1 Почему p-n переход часто называют запирающем слоем?
2.5.2 Какое из приведенных утверждений правильное?
2.5.3 Электронно-дырочный переход - это слой, обеднённый носителями заряда;
2.5.4 Электронно-дырочный переход - это слой, обогащённый носителями заряда;
2.5.5 Как результаты работы подтверждают основное саойство диода?
|
|
Кормораздатчик мобильный электрифицированный: схема и процесс работы устройства...
Типы оградительных сооружений в морском порту: По расположению оградительных сооружений в плане различают волноломы, обе оконечности...
Таксономические единицы (категории) растений: Каждая система классификации состоит из определённых соподчиненных друг другу...
Индивидуальные очистные сооружения: К классу индивидуальных очистных сооружений относят сооружения, пропускная способность которых...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!