П4.4. Биполярные транзисторы

 

Применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения параметров биполярных транзисторов установлены ГОСТом 20003-74 «Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров».

Основные типы приборов и вид их корпусов приведен на рис.П.4.3

В табл. П4.4 приведены сведения об основных параметрах некоторых биполярных транзисторов:

· I _об..к - обратный ток коллектора (ток через коллекторныйпереход при заданном обратном напряжении коллектор-базаи разомкнутом выводе эмиттера );

· U _{кэ.макс}- максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эммитер;

· U _{кб макс} -максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база;

· h 21_э-статический коэффициентпередачи тока биполярного транзистора (отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы при заданном постоянном обратном напряжении коллектор-эмиттер в схеме с общим эмиттером);

· f _гр - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером (частота, при которой модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером экстраполируется к единице);

· I _{к макс(и)} - максимально допустимыйпостоянный (импульсный) ток коллектора;

· Р _{к. макс}. - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора транзистора без теплоотвода.

Наименование прибора

КТ201.КТ203, КТ313.КТ316.КТ326,КТ327, КТ340,КТ342,КТ343,КТ347.КТ349.КТ351, КТ352, КТ363.КТ3102.КТ3108.КТ3117, КТ3142,КТ3175.КТ616

Корпус

 

Наименование прибора KT201-M.KT2D9.KT3 16-М. КТ337, КТ349-М, КТ345, КТ350,КТ351,КТ352, КТ363-М, КТ368-М. КТ375, КТ399-М, КТЗ 102-М, КТ3107,КТ3117-1.КТ3128-1, КТ502, КТ503. КТ632-1, КТ638, КТ645, КТ660,КТ668,КТ680, КТ681.КТ685. КТ686

Корпус

Рис.П4.3. Основные типы приборов и корпусов

Таблица П.3.4- Биполярные транзисторы

Тип прибора	Тип перехода	I к..бо, мА (мкА)	U кэ макс, В	U кб макс, В	h21э	f гр, МГц	I кмакс(и), А	Р кмакс, Вт
2Т117А	p - n - p	-		-	0,5-0,7	0,2	0,05(1)	0,3
2Т201А	n - p - n	0,5)			20-60		0,1	0,15
КТ306А	n - p - n	0,5)			20-60		0,03(0,05)	0,15
КТ312А	n - p - n	0,01			10-100		0,03(0,06)	0,225
КТ345А	p - n - p	0,5)					0,2(0,3)	0,3
КТ363А	p - n - p	0,5)			20-120		0,03(0,05)	0,15
КТ382А	n - p - n	0,5)			40-330		0,02(0,04)	0,1
КТ391А-2	n - p - n	0,5)					0,01	0,07
КТ3102Д	n - p - n	(0,015)			200-500		0,1(0,2)	0,25
КТ3107А	p - n - p	0,01			70-140		0,1(0,2)	0,3
ГТ404А	n - p - n	0,025		-	30-80		0,5	0,6
2Т504А	n - p - n	0,1			15-100	20-82	1(2)
2Т603А	n - p - n	0,003	-		20-80		0,3(0,6)	0,5
2Т708А	p - n - p	-					2,5(5)
1Т806	p - n - p			-	10-100		20(25)
2Т847А	n - p - n		-		8-25		15(25)
2Т964А	n - p - n				10-50	30-80
2Т9130А	n - p - n	0,001			60-250		0,15(0,3)
КТ9143А	p - n - p						0,1(0,3)

П4.5 Полевые транзисторы

Применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения параметров полевых транзисторов установлены ГОСТом 19095-73 «Транзисторы полевые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров».

Основные типы приборов и вид их корпусов приведен на рис. П4.4.

В табл. П4.5 приведены сведения об основных параметрах некоторых полевых транзисторов:

· I _.нач.с- начальный ток стока полевого транзистора(ток стока при напряжении между затвором и истоком,равном нулю, и при напряжении при истоке, равным или превышающем напряжение насыщения);

· I _мах.с- максимально допустимый постоянный ток стока;

· I _у.з- ток утечки затвора при заданном напряжении между затвором и остальными выводами, замкнутыми между собой;

· U _отс- напряжение отсечки полевого транзистора (напряжение между затвором и истоком полевого транзистора с p-n-переходом или с изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения);

· U _{макс.си}- максимально допустимое постоянное напряжение между стоком и истоком;

· U _{макс.зи}- максимально допустимое постоянное напряжение между затвором и истоком;

· S - крутизна характеристики полевого транзистора (отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора с общим истоком);

· К _ш - коэффициент шума полевого транзистора, отношение полной мощности шумов на выходе полевого транзистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала;

· С _вх - входная емкость полевого транзистора;

· С _пр- проходная емкость полевого транзистора;

· F _макс - максимальная рабочая частота;

· Р _макс.р - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на транзисторе.

Наименование прибора КП 102,КП 103

Корпус

 

Наименование прибора КП 303,КП 307, КП 310, КП 337

Корпус

 

Наименование прибора КП 312, КП 341

Корпус

 

Рис.П4.4. Основные типы приборов и виды их корпусов

Таблица 4.5-Полевые транзисторы

Наименова -ние прибора	S, мА(А)/В	К ш, Дб	U отс, В	Iз. у, нА(мкА)	I с.нач, мА	С вх, пФ	С пр пФ	F макс, МГц
2П101А	0,3				0,3-10		2,2-2,7	-
2П103А	2,1		2,2		1,2
2П301А	2,6		-		0,5	3,5	0,7
2П303А					2,5			-
2П333А	5,8	-			-		-
2П341А		2,8				4,2		-
2П602А-2		3,6	-			-	-
2П609А				(1)			3,2	-
КП704А	(2,5)	-	-		0,8	-	-	-
2П816А		-	-					-