Типы сооружений для обработки осадков: Септиками называются сооружения, в которых одновременно происходят осветление сточной жидкости...
Типы оградительных сооружений в морском порту: По расположению оградительных сооружений в плане различают волноломы, обе оконечности...
Топ:
Генеалогическое древо Султанов Османской империи: Османские правители, вначале, будучи еще бейлербеями Анатолии, женились на дочерях византийских императоров...
Оценка эффективности инструментов коммуникационной политики: Внешние коммуникации - обмен информацией между организацией и её внешней средой...
Характеристика АТП и сварочно-жестяницкого участка: Транспорт в настоящее время является одной из важнейших отраслей народного...
Интересное:
Берегоукрепление оползневых склонов: На прибрежных склонах основной причиной развития оползневых процессов является подмыв водами рек естественных склонов...
Искусственное повышение поверхности территории: Варианты искусственного повышения поверхности территории необходимо выбирать на основе анализа следующих характеристик защищаемой территории...
Уполаживание и террасирование склонов: Если глубина оврага более 5 м необходимо устройство берм. Варианты использования оврагов для градостроительных целей...
Дисциплины:
2017-11-16 | 810 |
5.00
из
|
Заказать работу |
|
|
Полупроводниковые слитки (из них вырезают пластины, которые в дальнейшем используют при производстве приборов) получают методом направленной кристаллизации расплава исходного материала, предварительно очищенного от посторонних примесей (химических загрязнений) и обычно легированного определённым химическим элементом заданной концентрации - примесью, или легирующей добавкой.
Примесные полупроводники всегда содержат донорную или акцепторную примесь. В производстве полупроводниковых приборов примесные полупроводники используют чаще, поскольку в них свободные носители заряда образуются при более низких температурах, чем в собственных полупроводниках, и эти температуры сообразуются с рабочими температурами полупроводникового прибора.
Полупроводники, используемые для изготовления приборов, для обеспечения стабильности свойств последних должны иметь высокую степень чистоты. Например, содержание различных случайных примесей - загрязнений - в кремнии не должно превышать 1 * 10-11 %, в германии - 5 * 10-9 %, селене - 8 * 10-3 %, а для синтеза полупроводниковых соединений применяют селен с содержанием примесей не более 10-6... 10-5 %. Высокая степень чистоты полупроводниковых материалов достигается путём применения специальных технологий.
В частности, при изготовлении полупроводниковых приборов к поверхности кремниевых пластин предъявляются требования по минимальному содержанию различных загрязнений: органических, примесей металлов, механических частиц.
Ну из этого наверно можно вынести только одно: примесь – добавляется искусственно, для улучшения каких –то качеств, а загрязнение появляется само, без особого внешнего вмешательства, и главное, не дает никаких улучшений.
|
32) Что такое рекомбинация свободных носителей заряда? Ее механизмыРЕКОМБИНАЦИЯ носителей заряда в полупроводниках - исчезновение пары свободных противоположно заряженных носителей в результате перехода электрона из энергетич. состояния в зоне проводимости в незанятое энергетич. состояние в валентной зоне. При Р. выделяется избыточная энергия порядка ширины запрещённой зоны . Различают излучательную и безызлучатель-ную Р. Первая сопровождается излучением светового кванта с энергией (см. Рекомбинационное излучение). При безызлучательной Р. избыточная энергия может непосредственно передаваться решётке путём возбуждения её колебаний (фононная безызлучатель-ная Р.) пли рекомбинирующий электрон посредством кулоновского взаимодействия может передать энергию др. электрону зоны, переводя его в высокоэнергетич. состояние (оже-рекомбинация).
33) Что происходит в полупроводнике при одновременном внесении донорной и акцепторной примеси? Как определить тип электропроводности такого полупроводника?
Практически р-n-переход осуществляется не механическим контактом двух разных полупроводников, а внесением донорных и акцепторных примесей в разные части чистого полупроводника.
Удельная электрическая проводимость примесного полупроводника определяется концентрацией основных носителей и тем выше, чем больше их концентрация. На практике часто встречается случай, когда полупроводник содержит и донорные, и акцепторные примеси. Тогда тип электропроводности будет определяться примесью, концентрация которой выше. Полупроводник, у которого концентрации доноров Nd и акцепторов Na равны (Nd = Na)), называют скомпенсированным.
34,35)
36) Изобразить зонную энергетическую диаграмму собственного полупроводника и показать на ней переходы электронов.
Проведем анализ зонной диаграммы собственного полупроводника, представленной на рис. 1.24. Как уже отмечалось, в собственном полупроводнике при Т =0 валентная зона полностью заполнена электронами, а зона проводимости абсолютно свободна. В этих условиях полупроводник ведет себя подобно идеальному диэлектрику, то есть не проводит электрический ток.
|
При температуре Т >0 имеется вероятность того, что некоторые из электронов за счет тепловых колебаний решетки преодолевают потенциальный барьер D W g и "окажутся" в зоне проводимости. Такой переход, соответствующий генерации свободных носителей заряда, обозначен на рис. 1.24 стрелкой, направленной вверх. Одновременно в полупроводнике наблюдается процесс рекомбинации носителей заряда, обозначенный на рис. 1.24 стрелкой, направленной вниз. При установившейся температуре полупроводника скорости процессов генерации и рекомбинации равны.
При приложении к полупроводнику внешнего электрического поля Е электроны зоны проводимости переходят на близлежащие свободные уровни энергии в зоне проводимости и принимают участие в процессе электропроводности.
В результате перехода электрона в зону проводимости, в валентной зоне полупроводника остается свободное энергетическое состояние, представляющее дырку. Вследствие этого валентная зона оказывается не полностью заполненной электронами. Благодаря наличию незанятых состояний электроны валентной зоны также принимают участие в процессе электропроводности за счет эстафетных переходов под действием электрического поля на более высокие освободившиеся энергетические уровни. Совокупное поведение электронов валентной зоны можно представить как движение дырок, обладающих положительным зарядом q и эффективной массой m*.
|
|
Механическое удерживание земляных масс: Механическое удерживание земляных масс на склоне обеспечивают контрфорсными сооружениями различных конструкций...
Опора деревянной одностоечной и способы укрепление угловых опор: Опоры ВЛ - конструкции, предназначенные для поддерживания проводов на необходимой высоте над землей, водой...
Общие условия выбора системы дренажа: Система дренажа выбирается в зависимости от характера защищаемого...
Биохимия спиртового брожения: Основу технологии получения пива составляет спиртовое брожение, - при котором сахар превращается...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!