Индивидуальные очистные сооружения: К классу индивидуальных очистных сооружений относят сооружения, пропускная способность которых...
История развития хранилищ для нефти: Первые склады нефти появились в XVII веке. Они представляли собой землянные ямы-амбара глубиной 4…5 м...
Топ:
Устройство и оснащение процедурного кабинета: Решающая роль в обеспечении правильного лечения пациентов отводится процедурной медсестре...
Особенности труда и отдыха в условиях низких температур: К работам при низких температурах на открытом воздухе и в не отапливаемых помещениях допускаются лица не моложе 18 лет, прошедшие...
Когда производится ограждение поезда, остановившегося на перегоне: Во всех случаях немедленно должно быть ограждено место препятствия для движения поездов на смежном пути двухпутного...
Интересное:
Как мы говорим и как мы слушаем: общение можно сравнить с огромным зонтиком, под которым скрыто все...
Мероприятия для защиты от морозного пучения грунтов: Инженерная защита от морозного (криогенного) пучения грунтов необходима для легких малоэтажных зданий и других сооружений...
Подходы к решению темы фильма: Существует три основных типа исторического фильма, имеющих между собой много общего...
Дисциплины:
2017-11-16 | 279 |
5.00
из
|
Заказать работу |
|
|
Комплементарная пара -это пара транзисторов, сходных по абсолютным значениям параметров, но имеющих разные типы проводимостей – МДП транзисторы с встроенным или индуцированным каналом p-типа и n-типа. КМДП - комплементарные МДП-транзисторы- взаимодополняющие, сформированные в одном кристалле p- и n-транзисторы. Нагрузочные МДП-транзисторы используют в составе микросхем в качестве резисторов. Необходимое значение сопротивления канала этих транзисторов создается конструктивно (выбор геометрических размеров канала) и схемотехнически (подачей на его затвор потенциала определенной величины).
Пример вентиля на комплементарной паре – инвертор – ключевая схема, содержащая активный транзистор и нагрузку, включенные между шиной питания и землей. Так же МДП-транзистор может служить в схеме в качестве конденсатора, для чего можно использовать емкости структур затвор-подложка и емкости обратносмещенных (когда транзистор не открыт) p-n-переходов сток(исток) – подложка.
Охранные кольца. При наличии положительного встроенного заряда в толстом окисле и положительного потенциала на алюминиевых шинах разводки создаются условия для формирования паразитного индуцированного n-канала в приповерхностных участках кремния p-типа электропроводности с низким уровнем легирования. Увеличение толщины диэлектрика над опасными участками не всегда возможно и не всегда гарантирует отсутствие паразитного канала. Эффективным средством против возникновения сквозных паразитных каналов является формирование кольцевой каналоограничивающей p+-области, в которой инверсия проводимости вследствие высокого уровня легирования поверхности практически невозможна. Для полного исключения возможности формирования паразитного канала на p+-область охранного кольца можно подать самый низкий потенциал схемы.
|
В цифровом вентиле с разным типом канала соотношение длин и ширин топологических размеров каналов нагрузочного и переключающего транзисторов определяется исходя из того, что транзисторы работают в противофазе, а следовательно, отношение сопротивлений нагрузочного и переключающего транзисторов не критично. Поэтому длина и ширина канала нагрузочного транзистора могут быть такими же как и у переключающего транзистора.
Исключение образования ложных каналов организуется с помощью охранных колец (на поверхности кольца концентрация примеси высока (высокий уровень легирования) в следствии чего исключается образование ложных каналов).
15. Какие особые требования предъявляются к выбору топологических форм и размеров элементов ГИС, функционирующих при длинах волн, сравнимых с размерами элементов ИМС?
Когда размеры элементов сапостовимы с длиной волны, приходится учитывать фазовые явления, связанные с пространством и временем. Эти фазовые явления предоставляют возможность проектировать устройства через выбор пространственных координат (размеров) в отношении длины волны.
Когда размеры сопоставимы с длиной линии то это распределяет структуры у которых нагрузки д.б подключения с согласованием по отражениям.
Проектировать элементы можно на основе пространственных координат.
Сопротивление нагрузки в.б = линии.
Согласующие линии что бы энергия не отражалась.
Требования задаются выбором линейных размеров топологических форм.
16. По каким критериям выбираются топологические формы и определяются размеры резисторов гибридных микросхем?
Резисторы гибридных интегральных микросхем проектируются по трем критериям:
- критерий технологической совместимости или возможности (минимальные размеры, поддерживаемые технологией, погрешности линейных размеров, погрешности совмещения в смежных слоях);
- точность исполнения (номинальное сопротивление и допустимые значения его отклонений: производственное и эксплуатационное);
- рассеиваемая мощность.
Формы: ленточные, изогнутые.
|
|
Автоматическое растормаживание колес: Тормозные устройства колес предназначены для уменьшения длины пробега и улучшения маневрирования ВС при...
Биохимия спиртового брожения: Основу технологии получения пива составляет спиртовое брожение, - при котором сахар превращается...
Опора деревянной одностоечной и способы укрепление угловых опор: Опоры ВЛ - конструкции, предназначенные для поддерживания проводов на необходимой высоте над землей, водой...
Адаптации растений и животных к жизни в горах: Большое значение для жизни организмов в горах имеют степень расчленения, крутизна и экспозиционные различия склонов...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!