Исследования униполярных структур

ИССЛЕДОВАНИЯ УНИПОЛЯРНЫХ СТРУКТУР

АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ ЛАБОРАТОРНЫЙ ПРАКТИКУМ

Методические указания
по выполнению лабораторной работы

Пенза 2010

УДК 621.382.32

 

 

Медведев С.П., Печерская Р.М., Метальников А.М., Абрамов В.Б., Карпанин О.В. Исследование униполярных структур

Методические указания подготовлены на кафедре нано- и микроэлектроники Пензенского государственного университета и предназначены для выполнения лабораторной работы по исследованию температурных зависимостей параметров униполярных транзисторов на автоматизированном лабораторном стенде.

Указания предназначены для использования в учебном процессе при подготовке специалистов инженеров, а также бакалавров и магистров по укрупненной группе специальностей и направлений подготовки 210000 – Электронная техника, радиотехника и связь.

 

 

Кафедра нано- и микроэлектроники Пензенского государственного университета

 

 

СОДЕРЖАНИЕ

 

1 ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ВВЕДЕНИЕ.. 4

1.1 Транзисторы с управляющим p-n -переходом.. 4

Статические характеристики. 5

1.3 Принцип действия МДП‑транзистора с индуцированным каналом.. 7

МДП-транзисторы со встроенным каналом.. 9

Распределение заряда. 9

Параметры МДП-транзисторов. 10

2 ОПИСАНИЕ РАБОТЫ СТЕНДА.. 12

Структура автоматизированного лабораторного стенда. 12

Снятие передаточных характеристик полевых транзисторов. 13

Снятие выходных характеристик полевых транзисторов. 13

Измерительный блок. 13

3 ОПИСАНИЕ ИНТЕРФЕЙСА ПОЛЬЗОВАТЕЛЯ.. 14

Окно схемы измерений. 14

Управляющие и регистрирующие инструменты.. 16

Рабочая тетрадь. 19

Формирование отчета. 24

4 выполнение работы... 26

Сравнение передаточных характеристик различных транзисторов. 26

Сравнение выходных характеристик различных транзисторов. 26

Исследование семейств передаточных характеристик транзисторов. 26

Исследование семейств выходных характеристик транзисторов. 26

Определение термостабильной точки передаточной характеристик транзисторов. 26

Сформировать и отпечатать отчет. 27

5 КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ... 28

ЛИТЕРАТУРА.. 29

ПРИЛОЖЕНИЕ А Кнопки панели управления и их соответствие командам меню.. 30

 

Цель работы: исследование характеристик и параметров униполярных полупроводниковых структур.

 

ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ВВЕДЕНИЕ

Полевой транзистор – это полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей заряда, протекающим через проводящий канал и управляемым электрическим полем.

В зависимости от конструкции затвора полевые транзисторы можно разделить на две группы:

1) с управляющим p‑n ‑переходом (рисунок 1.1 а);

2) с изолированным затвором (МДП‑транзисторы), они делятся на транзисторы с индуцированным каналом (рисунок 1.1 б) и со встроенным каналом (рисунок 1.1 в).

 

1.1 Транзисторы с управляющим p-n -переходом

В качестве выпрямляющего электрического перехода, с помощью которого производят управление потоком основных носителей заряда в полевом транзисторе, может быть p‑n ‑переход или выпрямляющий переход Шоттки. Полевой транзистор с гетеропереходом изготавливают методом эпитаксии соединений типа A^IIIB^V на кристалле GaAs. Выпрямляющие переходы Шоттки реализуют нанесением металла на кристаллы Si, GaAs или других полупроводниковых соединений. В настоящее время наиболее распространены полевые транзисторы с управляющим p‑n ‑переходом в кристаллах Si (рисунок 1.2).

Как показано на рисунке 2 затвор транзистора с управляющим p‑n‑ переходом представляет собой сильно легированный полупроводник p⁺‑ типа. Напряжение на p‑n ‑переходе смещено в обратном направлении, а значит, при увеличении напряжения обедненный слой под затвором распространяется в сторону слаболегированного n ‑канала. В результате сопротивление канала увеличивается, а ток во внешней цепи уменьшается. Если канал тонкий, то он может быть перекрыт у истока уже при U _з = 0 за счет равновесной разности потенциалов y₀. Тогда для восстановления проводимости канала к затвору необходимо приложить положительное напряжение | U _з| < y₀.

 

 

Статические характеристики

Полевые транзисторы имеют большие входные и выходные сопротивления. Поэтому в отличие от биполярного транзистора статические характеристики полевого транзистора исследуют с помощью источников напряжения в качестве источников питания. Следовательно, статические характеристики полевого транзистора должны соответствовать системе уравнений

(1.1)

Важными характеристиками полевого транзистора являются семейства выходных статических характеристик и семейства статических характеристик передачи.

Характеристики полевых транзисторов с управляющим p‑n ‑переходом аппроксимируются следующим выражением

, (1.2)

где I _c – ток стока, b – ширина канала, μ _р – подвижность носителей заряда в канале (дырок), L – длина канала, C ₀ – удельная емкость структуры затвор‑диэлектрик‑канал,
U _з – напряжение на затворе, U _з0 – пороговое напряжение, U _с – напряжение стока.

Выходные статические характеристики представляют собой зависимости тока стока от напряжения на стоке относительно истока при различных постоянных напряжениях на затворе (рисунок 1.3).

Рассмотрим характер зависимости I _c = f(U _cu ) при U _зи = 0. Напряжение на затворе относительно истока будет равно нулю только в том случае, если затвор закорочен с истоком. Характеристика выходит из начала координат под углом, соответствующим начальному статическому сопротивлению канала и сопротивлениям R _ии R _сприлегающих к каналу областей полупроводникового кристалла. Статическое сопротивление канала определяется его длиной и поперечным сечением, зависящим от толщины p‑n ‑перехода.

 

Первая часть характеристики, которую называют крутой частью, сублинейна, т.е. ток стока растет с ростом напряжения на стоке. Нелинейность характеристики объясняется увеличением толщины p‑n ‑перехода затвора около стока, т.к. с увеличением напряжения на стоке растет по абсолютному значению обратное напряжение на p‑n ‑переходе затвора. Ток стока, проходя по каналу, задает его неэквипотенциальность. Таким образом, наибольшая толщина p‑n ‑перехода и соответственно наименьшее поперечное сечение канала получается со стороны стока.

Другой физической причиной, приводящей к сублинейности выходной характеристики, является уменьшение подвижности носителей заряда в канале при увеличении в нем напряженности электрического поля.

При некотором напряжении на стоке U _{си нас} – напряжении насыщения, происходит перекрытие канала из-за толщины p‑n ‑перехода затвора. Ток стока при дальнейшем увеличении напряжения на стоке почти не растет.

При напряжении между затвором и истоком, равном нулю и при напряжении на стоке, равном или превышающем напряжение насыщения, ток стока называют начальным током стока I _{c нач}. Часть характеристики, соответствующую насыщению тока стока, называют пологой частью. При дальнейшем увеличении напряжения на стоке увеличивается длина перекрытой части канала и растет статическое сопротивление канала. Так как длина перекрытой части канала увеличивается из‑за увеличения толщины p‑n ‑перехода с ростом напряжения на стоке, а толщина p‑n ‑перехода пропорциональна либо корню квадратному, либо корню кубическому из напряжения, поэтому в пологой части характеристики наблюдается некоторое увеличение тока стока при увеличении напряжения на стоке.

При подаче на затвор напряжения такой полярности относительно истока, которая соответствует обратному смещению p‑n ‑перехода затвора, и при увеличении этого напряжения по абсолютному значению уменьшается начальное поперечное сечение канала. Поэтому начальные участки выходной статической характеристики при U _з ¹ 0 имеют наклон, соответствующий большим начальным статическим сопротивлениям канала.

При больших напряжениях на стоке может возникнуть пробой p‑n‑ перехода затвора. Обратное напряжение на p‑n ‑переходе затвора изменяется вдоль длины канала, достигая максимального значения у стокового конца канала. Напряжение, приложенное к p‑n ‑переходу затвора в этом месте, является суммой напряжений на стоке и на затворе. Таким образом, пробой полевого транзистора может происходить при разных напряжениях на стоке в зависимости от напряжения на затворе. Чем больше U _з, тем меньше U _с, при котором произойдет пробой p‑n ‑перехода затвора (рисунок 1.3).

Статические характеристики передачи полевого транзистора представляют собой зависимости тока стока от напряжения на затворе при различных постоянных напряжениях на стоке. При изменении напряжения на стоке смещением характеристик передачи практически можно пренебречь в связи с малым изменением тока в пологой части выходных статических характеристик (рисунок 1.4).

Напряжение между затвором и истоком полевого транзистора с управляющим переходом, при котором ток стока достигает заданного низкого значения, называют напряжением отсечки полевого транзистора U _{зи отс}.

 

По статической характеристике передачи можно определить основной параметр полевого транзистора, характеризующий его усилительные свойства – крутизну полевого транзистора S, представляющую собой отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком:

(1.3)

Этот параметр характеризует эффективность управляющего действия затвора.

1.3 Принцип действия МДП‑транзистора с индуцированным каналом

При напряжении на затворе относительно истока, равном нулю, и при наличии напряжения на стоке ток стока оказывается ничтожно малым. Он представляет собой обратный ток p‑n ‑перехода между подложкой и сильнолегированной областью стока. При отрицательном потенциале на затворе, в результате проникновения электрического поля через диэлектрический слой в полупроводник при малых напряжениях на затворе (меньших U _{зи пор}) у поверхности полупроводника под затвором возникает объединенный основными носителями заряда слой и область объемного заряда, состоящая из ионизированных нескомпенсированных примесных атомов. При напряжениях на затворе, больших порогового U _{зи пор}, у поверхности полупроводника под затвором возникает инверсный слой, который и является проводящим каналом между истоком и стоком. С изменением напряжения на затворе изменяется концентрация носителей заряда в проводящем канале, а также толщина или поперечное сечение проводящего канала, т.е. происходит модуляция сопротивления проводящего канала. Основной причиной модуляции сопротивления проводящего канала в МДП-транзисторах с индуцированным каналом является изменение концентрации носителей заряда в проводящем канале; в полевых транзисторах с управляющим переходом – изменение толщины или поперечного сечения канала. При изменении сопротивления проводящего канала изменяется и ток стока.

В связи с тем, что затвор отделен от подложки диэлектрическим слоем, ток в цепи затвора ничтожно мал, мала и мощность, потребляемая от источника сигнала в цепи затвора и необходимая для управления относительно большим током стока. Таким образом, МДП-транзистор с индуцированным каналом может производить усиление электрических сигналов по напряжению и по мощности.Принцип усиления мощности в МДП-транзисторах можно рассматривать с точки зрения передачи носителями заряда энергии постоянного электрического поля (энергии источника питания в выходной цепи) переменному электрическому полю.

В МДП-транзисторе до возникновения канала почти все напряжение источника питания в цепи стока падало на полупроводнике между истоком и стоком, создавая относительно большую постоянную составляющую напряженности электрического поля. Под действием напряжения на затворе в полупроводнике под затвором возникает канал, по которому от источника к стоку движутся носители заряда – дырки. Дырки, двигаясь по направлению постоянной составляющей электрического поля, разгоняясь этим полем, и их энергия увеличивается за счет энергии источника питания в цепи стока. Одновременно с возникновением канала и появлением в нем подвижных носителей заряда уменьшается напряжение на стоке, т.е. мгновенное значение переменной составляющей электрического поля в канале направленно противоположно постоянной составляющей. Поэтому дырки тормозятся переменным электрическим полем, отдавая ему часть своей энергии. Вольт-амперные характеристики показаны на рисунке 1.5.

Распределение заряда

Рассмотрим баланс удельных зарядов в МДП-транзисторе. В равновесном состоянии (U _з = 0) вблизи поверхности имеется обогащенный слой. Отрицательный заряд обогащенного слоя балансируется положительными зарядами на затворе и на границе Si‑SiO₂ (рисунок 1.7 а). Первый обусловлен контактной разностью потенциалов, а второй – ионами в диэлектрике и поверхностными состояниями донорного типа. Если подать на затвор отрицательное напряжение U _з = j _MS, то заряд на затворе сделается равным нулю, а в обогащенном слое исчезнет составляющая, связанная с контактной разностью потенциалов (рисунок 1.7 б).

 

 

Если увеличить напряжение на затворе U _з до значения U _{0 F} (U _{0 F} – напряжение спрямления зон), то обогащенный слой полностью ликвидируется, а заряд на затворе становится отрицательным, равным сумме зарядов ионов и поверхностных состояний (рисунок 1.7 в). Дальнейшее увеличение U _з сопровождается увеличением положительного заряда доноров и соответствующим увеличением отрицательного заряда на затворе; при этом поверхностный потенциал j _S становится положительным и возрастает до значения j _ms ≈ 2j _F, когда образуется канал.

В момент образования канала напряжение на затворе равно пороговому напряжению U _{0 В} (U _{0 В} – напряжение изгиба зон) (рисунок 1.7 г). Из рассмотренного баланса следует, что удельный заряд дырок в канале определяется по выражению

(1.4)

где Q _п.с. – суммарный заряд поверхностных состояний и ионов.

Параметры МДП-транзисторов

Основным параметром полевого транзистора с изолированным затвором, отражающим его усилительные свойства, является крутизна характеристики. Крутизна характеристики передачи при низкой частоте, соответствующая крутой части выходных статических характеристик, может быть определена по формуле

(1.5)

Для пологой части:

(1.6)

Для увеличения крутизны характеристики исходный полупроводник должен обладать большей подвижностью носителей заряда. Крутизна характеристики будет больше в полевых транзисторах с меньшей длиной канала. Нижний предел длины канала ограничен технологией изготовления. Также ее можно увеличить путем увеличения удельной емкости между затвором и каналом. Эта емкость определяется относительной диэлектрической проницаемостью и толщиной слоя диэлектрика под затвором.

В усилительной техники МДП-транзисторы всегда используются в режиме насыщения, поскольку ему свойственны наименьшие нелинейные искажения и оптимальные значения дифференциальных параметров: крутизны S, внутреннего сопротивления R_i и собственного коэффициента усиления_. µ.

(1.7)

Эти параметры связаны между собой «ламповым» соотношением: μ = SR_i.

 

ОПИСАНИЕ РАБОТЫ СТЕНДА

Измерительный блок

На рисунке 2.2 представлен измерительный блок со снятой крышкой. В блоке установлена термокамера с исследуемыми образцами униполярными транзисторами, плата источника питания, плата с электронными узлами измерительных преобразователей и микропроцессорная плата интерфейсного модуля.

 

 

Окно схемы измерений

Выбор схем осуществляется при помощи вкладок, расположенных в верхней части окна схемы измерения (рисунок 3.2).

 

В данном стенде существует две схемы включения униполярных транзисторов, для определения их характеристик. На каждой схеме присутствует свой набор управляющих и регистрирующих инструментов. Внешний вид приборных панелей, отличается от реально существующих приборов (рисунок 3.3). Более того, на них есть специальные кнопки, которых в принципе не бывает на реальных устройствах: например, кнопка «Справка», позволяющая получить справочную информацию о данном приборе.

 

Схема №1, предназначена для измерения передаточных характеристик униполярных транзисторов (рисунок 3.4 а). Изменить напряжение, подаваемое на затвор-исток, можно при помощи функционального генератора.

Схема №2, предназначена для измерения выходных характеристик униполярных транзисторов (рисунок 3.4 б). Изменить напряжение, подаваемое на затвор-исток, можно при помощи регулятора напряжения.

 

На схемах присутствуют следующие элементы:

· функциональный генератор,предназначен для формирования пилообразного напряжения;

· коммутатор объектов,предназначен для переключения исследуемых транзисторов и отражения информации об их свойствах;

· нагреватель,предназначен для включения и выключения нагрева образца;

· измеритель температуры,предназначен для измерения температуры на образце;

· характериограф,предназначен для измерения зависимости тока от напряжения, в зависимости от схемы включения транзистора;

· источник напряжения, предназначен для задания напряжения;

· вольтметр, предназначен для измерения напряжения задаваемого напряжения.

При наведении курсора на элемент схемы, он меняет свое очертание со стандартной «стрелки» на «указывающую руку». Если теперь нажать на левую кнопку «мыши», соответствующий инструмент становится видимым.

Примечание. Даже если регистрирующий инструмент невидим, измерения все равно производятся и могут быть записаны в рабочую тетрадь при нажатии соответствующей кнопки в области управления рабочей тетрадью.

Рабочая тетрадь

Непременным атрибутом при работе за классическим измерительным стендом является рабочая тетрадь, в которую экспериментатор заносит показания приборов. В программе эта возможность также реализована. Рабочая тетрадь открывается в отдельном окне с помощью команд меню или кнопок панели управления. Она предназначена для ведения текущих записей результатов измерений, расчетов построенных на полученных результатах, и построения графиков. Все данные рабочей тетради хранятся в базе данных. База данных – это файл с расширением *. mdb, расположенный в папке «Data». Каждой рабочей тетради соответствует свой файл с уникальным названием.

Рабочая тетрадь состоит из трех связанных частей:

• Таблицы – в ней сосредоточены значения измеряемых величин и результаты расчетов, полученных из измеренных данных;
• Формулы – здесь располагаются формулы, необходимые для расчетов; их можно добавлять, удалять и редактировать;
• Графики – здесь сосредоточены графики, построенные как по измеренным данным, так и по результатам расчетов; их также можно добавлять, удалять и редактировать.

Переключаться между частями рабочей тетради можно при помощи вкладок, расположенных в верхней части окна (рисунок 3.14).

 

3.3.1 Таблицы. В этой части рабочей тетради в первую очередь представлены значения измеряемых и расчетных величин, полученных на основе измеренных (рисунок 3.15). Эти значения оформлены в виде таблицы, расположенной в нижней части окна. Изменить эти данные нельзя, их можно только просматривать. Одна таблица соответствует одному измерению. Под измерением понимается один эксперимент, в котором получены одна или несколько строк с данными, позволяющими рассчитать нужные величины или построить необходимые зависимости.

Выше таблицы с результатами располагается информационная область, в которой представлены:

· название объекта исследований;

· тип проводимости;

· номер схемы измерений, с помощью которой получены экспериментальные данные.

 

В левой верхней части окна рабочей тетради имеется таблица с названием измерения и датой его проведения. С помощью «мыши» или стрелок клавиатуры можно перемещаться по уже имеющимся результатам. При этом в таблице результатов показываются измеренные и рассчитанные данные выбранного измерения.

Кнопка позволяет редактировать название измерения. При нажатии на нее появляется окно для ввода названия, которое показано на рисунке 3.16.

 

 

В правой верхней части окна рабочей тетради находится панель управления измерениями.

Кнопки панели управления реализуют следующие команды:

· Новое – открывает новое измерение. В таблице появляется новая запись с названием по умолчанию и датой проведения измерения и включается режим редактирования названия – появляется окно ввода с названием;

· Записать – записывает несколько строк данных в таблицу рабочей тетради. При переходе к другой части рабочей тетради («Формулы» или «Графики»), заканчивается запись данных в таблицу. Аналогичный эффект наблюдается при перемещении на другое измерение;

· Удалить – удаляет все измерение вместе со связанными с ним формулами.

 

3.3.2 Формулы. В этой части рабочей тетради в первую очередь представлены выражения, с помощью которых производятся расчеты (рисунок 3.17).Выражения строятся на основе измеренных данных и уже существующих выражений. Список всех формул, доступных в данном измерении, располагается в центральной части окна рабочей тетради.

В первой колонке списка отображаются идентификаторы, которые могут быть использованы при построении новых выражений. Во второй колонке представлены собственно выражения, в третьей – результат расчета, в четвертой – размерность и в пятой – комментарии, позволяющие пояснить назначение данного выражения. Если идентификатор представляет собой экспериментальное значение, вместо выражения во второй колонке стоит слово «измерение». Выражения могут быть скалярными и векторными. В первом случае в выражении не содержится ни одного векторного идентификатора, оно имеет одно значение, которое и представлено в колонке результата. Если выражение векторное, это значит, что оно имеет несколько значений, которые отображаются в таблице, расположенной внизу окна рабочей тетради. В этом случае в колонке результата (третьей) ставится знак [...]. Все экспериментальные результаты – векторные. Если в формуле присутствует хоть один векторный идентификатор, то все выражение становится векторным.

Зеленым цветом выделены измеренные значения, коричневым – параметры образцов. Эти выражения изменить нельзя. Если в формуле содержится ошибка, то строка в списке выделяется красным цветом. В формулах могут присутствовать только идентификаторы, расположенные выше по списку.

Редактировать формулы можно с помощью построителя выражений,предназначенного для работы с выражениями, которые строятся на основе измеренных данных и уже существующих выражений (рисунок 3.18).

Выражение можно либо составить с помощью кнопок, либо непосредственно в строке ввода с помощью клавиатуры (если имеется представление об особенности синтаксиса). Размерность выражения в расчетах не участвует. Она нужна для информации экспериментатора и для обозначения осей графиков. Однако пустой быть не должна, – если величина безразмерная, следует ввести какое-нибудь обозначение, например «б/р».

Назначение встроенных функций в построителе выражений известны из курса математики.

 

 

3.3.3 Графики. В этой части рабочей тетради представлены графики, построенные как по измеренным данным, так и по результатам расчетов (рисунок 3.19). Каждый график может быть либо одной кривой, либо семейством кривых, зависящих от параметра.

В верхней части окна расположена область управления, позволяющая просматривать, добавлять, удалять и редактировать графики. В левой части области имеется таблица с названием графика. Именно это название будет отображаться в качестве заголовка. С помощью «мыши» или стрелок клавиатуры можно перемещаться по уже имеющимся графикам. При этом они отображаются в области построения.

При редактировании или построении нового графика, открывается диалоговое окно, которое показано на рисунке 3.20). Каждый график может быть либо одной кривой, либо семейством кривых, зависящих от параметра. В левой верхней части окна имеется таблица, где перечислены кривые графика. Здесь же можно добавить, удалить кривую или изменить ее название. Правее группы «Кривые» расположена группа управляющих элементов «Данные». В этой области окна назначаются данные для осей каждой кривой. С помощью выпадающих списков можно сопоставить каждой оси любую из колонок таблицы рабочей тетради. Обратите внимание – данные могут быть взяты из разных измерений. Также можно устанавливать логарифмический масштаб по любой из осей.

 

Внимание: при выборе логарифмического масштаба значения должны быть только положительными.

 

В нижней части окна располагаются элементы управления внешним видом графика. При изменении этих параметров результат сразу отражается в области построения графиков рабочей тетради.

Для изменения названий осей графика следует щелкнуть «мышкой» на области ввода название оси. При этом появляется кнопка справа от области ввода. После нажатия на эту кнопку, название оси отразится на графике, а кнопка пропадет.

 

Формирование отчета

При формировании отчета приложение интегрируется с текстовым редактором MS Word. Открыть отчет возможно только при открытой рабочей тетради, либо при помощи меню (рисунок 3.21 а), либо при помощи кнопок на панели инструментов (рисунок 3.21 б).

 

После выбора этой команды активизируется соответствующее приложение редактора с открытым файлом отчета, а на окнах приложения появляются кнопки (рисунок 3.22). Эти кнопки позволяют скопировать соответствующий элемент приложения в отчет (кнопки появляются в районе левого верхнего угла копируемого элемента).

 

Нажатие на эту кнопку приводит к появлению в отчете соответствующего элемента. Переключение между отчетом и лабораторной работойлегко осуществляется при помощи панели задач Windows.

При копировании графиков в отчет допускается выбор представления графического изображения в виде метафайла (*. wmf) или в виде растра (*. bmp). Такая возможность реализуется из главного меню Инструменты–Параметры копирования. Выбор представления графического изображения зависит от возможностей принтера и определяется экспериментально.

После того, как отчет сформирован, его можно распечатать. Закрыть отчет можно с помощью команды меню или кнопки на панели инструментов. После выбора этой команды закрывается соответствующее приложение редактора и пропадают кнопки на окнах лабораторной работы.

 

Выполнение работы

КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ

 

1. Какие разновидности полевых транзисторов существуют?

2. Как с помощью полевого транзистора происходит преобразование энергии относительно мощного источника питания выходной цепи в энергию электрических колебаний?

3. Почему свойства и характеристики полевых транзисторов следует описывать системой уравнений, в которых токи являются функциями напряжений, а не наоборот?

4. Какие физические факторы могут влиять на характер зависимости тока стока от напряжения на стоке полевого транзистора с управляющим переходом?

5. Какими физическими явлениями, происходящими в полевом транзисторе, ограничивается диапазон рабочих частот этого прибора?

6. Чем отличаются структуры МДП-транзисторов с индуцированным и со встроенным каналами? Как это отличие отражается на статических характеристиках передачи и каковы специфические параметры тех и других полевых транзисторов?

7. Полевые транзисторы с изолированным затвором и индуцированным каналом. Распределение зарядов при различных напряжениях на затворе.

8. Каков принцип действия приборов с зарядовой связью?

9. Какие существуют разновидности структур секции переноса приборов с зарядовой связью?

10. Каков смысл основных параметров прибора с зарядовой связью?

11. Какие факторы влияют на эффективность переноса информационного заряда в приборе с зарядовой связью?

12. Каковы основные применения приборов с зарядовой связью?

 

ЛИТЕРАТУРА

 

1. Полупроводниковые приборы: учебник для вузов / В. В.Пасынков, П.К.Чиркин., А.Д.Шинков – М.: Высш. шк., 1981.

2. Степаненко, И. П. Основы микроэлектроники: учеб. пособие для вузов / И. ПСтепаненк.. – М.: Сов. радио, 1980.

 

 

ПРИЛОЖЕНИЕ А

КНОПКИ ПАНЕЛИ УПРАВЛЕНИЯ И ИХ
СООТВЕТСТВИЕ КОМАНДАМ МЕНЮ

 

Меню	Подменю	Кнопки	Значения
Рабочая тетрадь	Новая		Создать новую запись о «Рабочей тетради» в базе данных.
Открыть		Открыть существующую в базе данных «Рабочую тетрадь».
Удалить		Удалить запись о «Рабочей тетради» в базе данных. Эта команда доступна только тогда, пока не открыта ни одна «Рабочая тетрадь», т.е. только сразу же после запуска приложения.
Открыть отчет		Открыть существующий или создать новый отчет. Команда доступна только при открытой «Рабочей тетради».
Закрыть отчет		Команда доступна только при открытом отчете.
Выход		Выход из приложения.
Инструменты	Параметры копирования	нет	Вызывает диалог представления графиков при копировании (в виде растра или в виде метафайла). Выбор представления зависит от возможностей Вашего принтера и определяется экспериментально.
Упорядочить		Возвращает окна всех инструментов в их положение по умолчанию.
Справка	Содержание		Запускает этот файл справки.
О программе		Выводит справочное окно «О программе».

 

ИССЛЕДОВАНИЯ УНИПОЛЯРНЫХ СТРУКТУР